一种雾化片控制电路制造技术

本实用新型专利技术属于雾化片驱动技术领域，更具体地，涉及一种雾化片控制电路。该雾化片控制电路采用单片机进行控制，单片机控制IC电路进行升压，IC电路经过两次升压后，产生Vpp为80V的波形，通过该波形驱动雾化片正常工作。

A control circuit for atomization sheet

The utility model belongs to the technical field of atomizing piece drive, and more specifically, relates to a control circuit of atomization sheet. The atomizer control circuit is controlled by single chip microcomputer. The IC circuit is controlled by single-chip microcomputer to boost the voltage. After two times of IC boost, the Vpp generates 80V waveform, which drives the atomizer to work normally.

【技术实现步骤摘要】
一种雾化片控制电路
本技术属于雾化片驱动
，更具体地，涉及一种雾化片控制电路。
技术介绍
雾化片，超声波雾化器利用电子高频震荡(振荡频率为1.7MHz或2.4MHz，超过人的听觉范围，该电子振荡对人体及动物绝无伤害)，通过陶瓷雾化片的高频谐振，将液态水分子结构打散而产生自然飘逸的水雾，不需加热或添加任何化学试剂。与加热雾化方式比较，能源节省了90％。另外在雾化过程中将释放大量的负离子,其与空气中漂浮的烟雾、粉尘等产生静电式反应，使其沉淀，同时还能有效去除甲醛、一氧化碳、细菌等有害物质，使空气得到净化，减少疾病的发生。参考专利文献CN106100432A公开了一种压电陶瓷雾化片驱动电路，包括雾化片和高频脉冲发生电路，所述高频脉冲发生电路包括电源输出端、变压器、第一开关管、第二开关管和开关管控制电路，所述变压器包括相配合的第一原边绕组、第二原边绕组、第一副边绕组和铁芯，所述第一副边绕组与雾化片并联，所述第一原边绕组和第一开关管串联后并联在电源输出端上，所述第二原边绕组和第二开关管串联后并联在电源输出端上，所述开关管控制电路输出第一控制信号和第二控制信号，所述第一控制信号输入至第一开关管，所述第二控制信号输入至第二开关管。该参考专利文献公开的雾化片驱动电路，通过开关管控制电路控制开关管的通断，实现对脉冲频率的控制，对于脉冲幅值没有进行反馈，该实施例采用开环控制，当供电电压不稳定时，没有进行调整，可能会对雾化片造成损害。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足之处，本技术提出了一种雾化片控制电路，该雾化片控制电路采用单片机进行控制，单片机控制IC电路进行升压，IC电路经过两次升压后，产生Vpp为80V的波形，通过该波形驱动雾化片正常工作。本技术采用如下技术方案：一种雾化片控制电路，它包括单片机MCU、静电保护元件U2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一场效应管Q1、第九电阻R9、第三电容C3、第一电感CD1、第二二极管D2、第四电容C4、第二电感CD2、第十五电阻R15、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第九电容C9、第三场效应管Q3、第七电容C7；所述静电保护元件U2的第四引脚经第四电阻R4接单片机MCU的第一端口，单片机MCU的第二端口经第九电阻R9接第一场效应管Q1的栅极，第一场效应管Q1的漏极接电源BAT+，源极接静电保护元件U2的第六引脚，静电保护元件U2的第六引脚经第三电容C3接地，静电保护元件U2的第六引脚与第一引脚之间串接第一电感CD1，静电保护元件U2的第一引脚经第二二极管D2、第四电容C4接第二引脚，静电保护元件U2的第二引脚接地，静电保护元件U2的第三引脚经第五电阻R5接地，第六电阻R6的一端接静电保护元件U2的第三引脚，另一端接第四电容C4和第二二极管D2的公共端；单片机MCU的第三引脚经第十五电阻R15接第三场效应管Q3的栅极，第三场效应管Q3的源极经第十八电阻R18接地，第三场效应管Q3的漏极经第二电感CD2接第四电容C4和第二二极管D2的公共端，第三场效应管Q3的漏极经第七电容C7接雾化片，所述单片机MCU的第四引脚经第九电容C9接地，单片机MCU的第四引脚经第十七电阻R17接第三场效应管Q3的源极。本技术方案进一步的优化，所述单片机MCU为51系列单片机。本技术方案进一步的优化，所述静电保护元件U2的型号为LC3312。本技术方案进一步的优化，所述第一场效应管Q1为P型场效应管。本技术相对于现有技术，具有如下有益效果：1.本技术采用单片机对IC电路进行控制，使得IC电路经常两次升压后，达到目标电压值；2.本技术采用单片机控制IC电路的断路与通路，实现智能控制；3.本技术单片机对二次升压后的电压值进行采样，实时了解升压后的电压值，实现精确控制。附图说明图1是雾化片控制电路的原理图。具体实施方式为进一步说明各实施例，本技术提供有附图。这些附图为本技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。参阅图1所示，本技术优选一实施例的雾化片控制电路的原理图。它包括单片机MCU、静电保护元件U2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一场效应管Q1、第九电阻R9、第三电容C3、第一电感CD1、第二二极管D2、第四电容C4、第二电感CD2、第十五电阻R15、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第九电容C9、第三场效应管Q3、第七电容C7；所述静电保护元件U2的第四引脚经第四电阻R4接单片机MCU的第一端口，单片机MCU的第二端口经第九电阻R9接第一场效应管Q1的栅极，第一场效应管Q1的漏极接电源BAT+，源极接静电保护元件U2的第六引脚，静电保护元件U2的第六引脚经第三电容C3接地，静电保护元件U2的第六引脚与第一引脚之间串接第一电感CD1，静电保护元件U2的第一引脚经第二二极管D2、第四电容C4接第二引脚，静电保护元件U2的第二引脚接地，静电保护元件U2的第三引脚经第五电阻R5接地，第六电阻R6的一端接静电保护元件U2的第三引脚，另一端接第四电容C4和第二二极管D2的公共端；单片机MCU的第三引脚经第十五电阻R15接第三场效应管Q3的栅极，第三场效应管Q3的源极经第十八电阻R18接地，第三场效应管Q3的漏极经第二电感CD2接第四电容C4和第二二极管D2的公共端，第三场效应管Q3的漏极经第七电容C7接雾化片，所述单片机MCU的第四引脚经第九电容C9接地，单片机MCU的第四引脚经第十七电阻R17接第三场效应管Q3的源极。需要说明的是，该实施例的单片机MCU型号为AT89S51。AT89S51是一个低功耗，高性能CMOS8位单片机，片内含4kBytesISP(In-systemprogrammable)的可反复擦写1000次的Flash只读程序存储器，器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术制造，兼容标准MCS-51指令系统及80C51引脚结构，芯片内集成了通用8位中央处理器和ISPFlash存储单元，AT89S51在众多嵌入式控制应用系统中得到广泛应用。此外，所述静电保护元件U2的型号为LC3312。所述第一场效应管Q1为P型场效应管。该实施例的CN2接口一端接雾化片，一端接地。静电保护元件U2与其他电子元器件组成IC电路。单片机MCU的第一端口进行升压IC电路的控制，第五电阻R5和第六电阻R6对升压IC升压值进行设置，升压IC进行一次升压达到16V后，单片机MCU的第三端口控制电路对电压进行二次升压，二次升压后，在CN2产生VPP(Vpp是指交流或脉冲信号的最低值到最高值的电压,也称峰峰值。)为80V的波形，驱动雾化片正常工作。单片机MCU的第四端口，对二次升压的电压值进行采样。单片机MCU的第二端口，控制电池到升压IC的断路与通路。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种雾化片控制电路，其特征在于：它包括单片机MCU、静电保护元件U2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一场效应管Q1、第九电阻R9、第三电容C3、第一电感CD1、第二二极管D2、第四电容C4、第二电感CD2、第十五电阻R15、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第九电容C9、第三场效应管Q3、第七电容C7；所述静电保护元件U2的第四引脚经第四电阻R4接单片机MCU的第一端口，单片机MCU的第二端口经第九电阻R9接第一场效应管Q1的栅极，第一场效应管Q1的漏极接电源BAT+，源极接静电保护元件U2的第六引脚，静电保护元件U2的第六引脚经第三电容C3接地，静电保护元件U2的第六引脚与第一引脚之间串接第一电感CD1，静电保护元件U2的第一引脚经第二二极管D2、第四电容C4接第二引脚，静电保护元件U2的第二引脚接地，静电保护元件U2的第三引脚经第五电阻R5接地，第六电阻R6的一端接静电保护元件U2的第三引脚，另一端接第四电容C4和第二二极管D2的公共端；单片机MCU的第三引脚经第十五电阻R15接第三场效应管Q3的栅极，第三场效应管Q3的源极经第十八电阻R18接地，第三场效应管Q3的漏极经第二电感CD2接第四电容C4和第二二极管D2的公共端，第三场效应管Q3的漏极经第七电容C7接雾化片，所述单片机MCU的第四引脚经第九电容C9接地，单片机MCU的第四引脚经第十七电阻R17接第三场效应管Q3的源极。...

【技术特征摘要】
1.一种雾化片控制电路，其特征在于：它包括单片机MCU、静电保护元件U2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一场效应管Q1、第九电阻R9、第三电容C3、第一电感CD1、第二二极管D2、第四电容C4、第二电感CD2、第十五电阻R15、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第九电容C9、第三场效应管Q3、第七电容C7；所述静电保护元件U2的第四引脚经第四电阻R4接单片机MCU的第一端口，单片机MCU的第二端口经第九电阻R9接第一场效应管Q1的栅极，第一场效应管Q1的漏极接电源BAT+，源极接静电保护元件U2的第六引脚，静电保护元件U2的第六引脚经第三电容C3接地，静电保护元件U2的第六引脚与第一引脚之间串接第一电感CD1，静电保护元件U2的第一引脚经第二二极管D2、第四电容C4接第二引脚，静电保护元件U2的第二引脚接地，静电保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：章进武，
申请(专利权)人：厦门炬研电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35