实现线电压检测控制的电路结构制造技术

本发明专利技术涉及一种实现线电压检测控制的电路结构，其中包括电路结构包括第一MOS管、第三电阻、第四MOS管和第四电阻，第一MOS管为高压启动晶体管，第一MOS管的漏极通过第三电阻连接至被采样的线电压端口，第一MOS管的源极连接至输出供电端，第四MOS管的栅极输入采样时钟信号，第四MOS管的源极通过第四电阻连接至接地端，第四MOS管的漏极与第一MOS管的源极相连接。采用该种结构的实现线电压检测控制的电路结构，主要是在采样的过程中复用了高压启动管脚，进而不需要增加外部的分压采样电阻，并节省了一个芯片引脚，同时合理的电路设计也保证了电源线电压采样的准确高效，简化了电路结构，降低电路成本，具有更广泛的应用范围。

Circuit structure for realizing line voltage detection control

The invention relates to a circuit structure of line voltage detection and control, including the circuit structure comprises a first MOS tube, third resistors, fourth MOS tube and MOS tube as the first fourth resistors, high voltage startup transistor, the first MOS tube drain through the third resistor connected to the sampled voltage line port, the first source of MOS tube the output end is connected to the power supply, grid input fourth MOS tube sampling clock signal, the fourth MOS tube source through the fourth resistor is connected to the ground terminal, the drain pipe is connected with the first MOS of the source phase fourth MOS tube. The realization of this kind of structure of the circuit structure of line voltage detection and control, mainly in the process of sampling the reuse of high voltage startup pins, and does not need to increase the external pressure of the sampling resistor, and saves a chip pin, circuit design and reasonable assurance that the power line voltage sampling accuracy and high efficiency, simplified the structure of the circuit, the circuit cost, has wider application range.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及开关电源
，尤其涉及开关电源中线电压检测领域，具体是指一种实现线电压检测控制的电路结构。
技术介绍
在开关电源控制系统中，市电整流后的直流电压值是一个十分重要的参数，而输入电压的变化将对开关电源系统的工作稳定性产生较大的影响，为实现检测输入电压的变化值，进而根据输入电压的变化值调节和控制开关电源系统，使其更稳定。常规的输入线电压采样电路如图1所示。交流市电通过100桥式整流后得到了104，通过串联到地的电阻102和103分压来的得到输入线电压的采样信号105，然后输入到控制芯片IC。但是此方法需要增加外部电阻以分压，无法实现高低压的隔离，且对控制器芯片来说多了一个引脚，从而增加了成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种能够通过对高压启动管脚的复用、实现在不增加芯片管脚的前提下对线电压进行快速准确检测、简化电路设计、降低成本、具有更广泛应用范围的实现线电压检测控制的电路结构。为了实现上述目的，本专利技术的实现线电压检测控制的电路结构具有如下构成：该实现线电压检测控制的电路结构，其主要特点是，所述的电路结构包括第一MOS管、第三电阻、第四MOS管和第四电阻，所述的第一MOS管为高压启动晶体管，所述的第一MOS管的漏极通过所述的第三电阻连接至被采样的线电压端口，所述的第一MOS管的源极连接至输出供电端，所述的第四MOS管的栅极输入一采样时钟信号，所述的第四MOS管的源极通过所述的第四电阻连接至接地端，所述的第四MOS管的漏极与所述的第一MOS管的源极相连接。较佳地，所述的电路结构还包括第二二极管，所述的第一MOS管的源极通过所述的第二二极管连接至输出供电端。较佳地，所述的电路结构还包括第三MOS管，所述的第三MOS管的栅极输入一使能信号，所述的第三MOS管的漏极连接所述的第一MOS管的栅极，所述的第三MOS管的源极连接至接地端。更佳地，所述的电路结构还包括第一二极管，所述的第三MOS管的源极通过所述的第一二极管连接至接地端。更佳地，所述的电路结构还包括第一电阻，所述的第三MOS管的漏极通过所述的第一电阻连接至输出供电端。更佳地，所述的电路结构还包括第二电阻、电容和第二MOS管，所述的第二MOS管的源极连接至输出供电端，所述的第二MOS管的漏极连接至所述的第一MOS管的栅极，所述的第二MOS管的栅极通过所述的第二电阻连接至输出供电端，所述的电容连接于所述的第二MOS管的栅极和第一MOS管的源极之间。采用了该专利技术中的实现线电压检测控制的电路结构，具有如下有益效果：本专利技术相对于现有技术而言，主要是在采样的过程中复用了高压启动管脚，进而不需要增加外部的分压采样电阻，并节省了一个芯片引脚。同时合理的电路设计也保证了电源线电压采样的准确高效，简化了电路结构，降低电路成本，具有更广泛的应用范围。附图说明图1为现有技术中的线电压检测的结构示意图。图2为本专利技术的实现线电压检测控制的电路结构示意图。图3为采用本专利技术的电路结构对线电压进行采样控制的示意图。具体实施方式为了能够更清楚地描述本专利技术的
技术实现思路
，下面结合具体实施例来进行进一步的描述。如图2所示，为本专利技术的实现线电压检测控制的电路结构示意图。该电路的组成有：MOS管201-204、电阻205-208、二极管209和210、电容211。其中201（第一MOS管）为耗尽型高压启动晶体管，201的漏极经过电阻207（第三电阻）连接到所需采样的线电压端口213上，源极经过二极管210（第二二极管）后连接至216端为芯片供电。MOS管204（第四MOS管）是由采样时钟信号214控制的开关管，其源极经过分压电阻208（第四电阻）后接地，漏极连接至MOS管201的源极。电阻206（第二电阻）、电容211以及MOS管202（第二MOS管）共同组成了快速采样的辅助电路，202的源极连接至216，漏极连接至MOS管201的栅极处，栅极一方面经过电阻206连接至216端，另一方面通过耦合电容211连接至201的源极。203（第三MOS管）是开关管，其栅极接使能信号212，漏极一方面接MOS管201栅极，另一方面通过电阻205（第一电阻）连接至216，源极经过二极管209（第一二极管）后接地。正常工作状态下212端信号为高，203导通将201的栅极电位拉低使其低于阈值电压，进而201处于截止状态。采样时，时钟信号CLK控制204导通，则201的源端电压迅速拉低使其导通并工作在线性区，则采样电压的大小为V215=R208R207+R208·V213]]>为了解决对线电压213准确高效检测的技术问题，需要在进行线电压检测的过程中快速使201处于线性区，并且201的导通阻抗尽量小，不至于影响213端的采样输出。但是在204采样过程中，由于201栅源存在一个较大的寄生电容，当源极电压迅速下降过程中，电容耦合作用的影响下栅极电压会跟随源极电压变化，在此栅源电压下201不具有足够的驱动能力，201仍工作在饱和区，此时采样得到的电压并非真实有效的线电压信号，需要较长的采样时间，因此在电路中引入由211、206和202组成的辅助电路以改善上述问题，其工作原理如下：未采样时，202的栅极和源极两端电压相等，故202工作在截止状态，当214端采样控制信号为高电平，201源极电位被瞬间拉低的同时，利用电容211的耦合作用使202的栅极电位跟随下降并使MOS管202导通，确保201栅极具有一定的驱动能力，从而保证采样得到的信号真实有效。此外电路中还采用了二极管209，将201栅极电压钳制在一个较高电位，可以有效的使201在较高源极电位下开启，同样保证了201的驱动能力。图3为采样控制过程示意图，当时钟信号为高电平时进行采样。采用了该专利技术中的实现线电压检测控制的电路结构，具有如下有益效果：本专利技术相对于现有技术而言，主要是在采样的过程中复用了高压启动管脚，进而不需要增加外部的分压采样电阻，并节省了一个芯片引脚。同时合理的电路设计也保证了电源线电压采样的准确高效，简化了电路结构，降低电路成本，具有更广泛的应用范围。在此说明书中，本专利技术已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本专利技术的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现线电压检测控制的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括第一MOS管、第三电阻、第四MOS管和第四电阻，所述的第一MOS管为高压启动晶体管，所述的第一MOS管的漏极通过所述的第三电阻连接至被采样的线电压端口，所述的第一MOS管的源极连接至输出供电端，所述的第四MOS管的栅极输入一采样时钟信号，所述的第四MOS管的源极通过所述的第四电阻连接至接地端，所述的第四MOS管的漏极与所述的第一MOS管的源极相连接。

【技术特征摘要】
1.一种实现线电压检测控制的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括第一MOS
管、第三电阻、第四MOS管和第四电阻，所述的第一MOS管为高压启动晶体管，所述的第
一MOS管的漏极通过所述的第三电阻连接至被采样的线电压端口，所述的第一MOS管的源
极连接至输出供电端，所述的第四MOS管的栅极输入一采样时钟信号，所述的第四MOS管
的源极通过所述的第四电阻连接至接地端，所述的第四MOS管的漏极与所述的第一MOS管
的源极相连接。
2.根据权利要求1所述的实现线电压检测控制的电路结构，其特征在于，所述的电路结
构还包括第二二极管，所述的第一MOS管的源极通过所述的第二二极管连接至输出供电端。
3.根据权利要求1所述的实现线电压检测控制的电路结构，其特征在于，所述的电路结
构还包括第三MOS管，所述的第三MOS管的栅极输入一使能信号，所述的第三MOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田剑彪，郭晓东，吴伟江，朱振东，
申请(专利权)人：绍兴光大芯业微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33