ＳＴＴ－ＭＲＡＭ中的字线电压控制制造技术

本发明专利技术揭示用于控制施加到自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）中的字线晶体管（４１０）的字线电压的系统、电路和方法。一个实施例是针对包括具有磁性隧道结（ＭＴＪ，４０５）和字线晶体管的位单元的ＳＴＴ－ＭＲＡＭ。所述位单元耦合到位线（４２０）和源极线（４４０）。字线驱动器（４３２）耦合到所述字线晶体管的栅极。所述字线驱动器经配置以：提供比电源电压大的字线电压，所述电源电压低于所述电源电压的转变电压；且针对高于所述转变电压的电源电压提供小于所述电源电压的电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及随机存取存储器(RAM)。更明确地说，本专利技术的实施例涉及自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的字线电压控制。
技术介绍
随机存取存储器(RAM)是现代数字架构的普遍存在的组件。RAM可为独立装置或可集成或嵌入于使用RAM的装置(例如，微处理器、微控制器、专用集成电路(ASIC)、芯片上系统(SoC)以及如所属领域的技术人员将了解的其它类似装置)内。RAM可为易失性或非易失性的。无论何时移除电力，易失性RAM均会失去其所存储的信息。即使在从非易失性 RAM移除电力时，所述存储器也可维持其存储器内容。尽管非易失性RAM具有能够在未施加电力的情况下维持其内容的优点，但常规非易失性RAM的读取/写入时间比易失性RAM慢。磁阻随机存取存储器(MRAM)是具有与易失性存储器相当的响应(读取/写入)时间的非易失性存储器技术。与随电荷或电流流动存储数据的常规RAM技术相比，MRAM使用磁性元件。如图IA和图IB中所说明，磁性隧道结(MTJ)存储元件100可由两个磁性层110 和130形成，磁性层110和130中的每一者可保持一磁场，所述两者由绝缘(隧道势垒本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ），其包含：位单元，其具有磁性隧道结（ＭＴＪ）和字线晶体管，其中所述位单元耦合到位线和源极线；以及字线驱动器，其耦合到所述字线晶体管的栅极，其中所述字线驱动器经配置以：提供比电源电压大的字线电压，所述电源电压低于所述电源电压的转变电压；且针对高于所述转变电压的电源电压提供小于所述电源电压的电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨赛森，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US