发光装置以及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光装置以及其制造方法。该发光装置包含一发光元件、一波长转换层以及一可透光元件。发光元件包含一顶面、一底面、多个侧面及一第一电性接点。其中，顶面及底面通过多个侧面相互连结，第一电性接点形成在底面上。波长转换层包含一透明粘合剂及多颗波长转换粒子且至少覆盖发光元件的顶面。可透光元件包含一出光面且位于波长转换层之上。波长转换粒子的D50不大于10微米，其中波长转换粒子的D50的定义为波长转换粒子的累积颗粒分布达到50％时所对应的粒径。此外，波长转换层的厚度(T)与波长转换粒子的D50的比值介于6至20。

【技术实现步骤摘要】
发光装置以及其制造方法
本专利技术涉及一种发光装置及其制造方法，尤其是涉及一种包含多颗小粒径的波长转换粒子的发光装置及其制造方法。
技术介绍
固态发光元件中的发光二极管元件(Light-EmittingDiode；LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小以及反应速度快等特性，因此广泛应用于各种需要使用发光元件的领域，例如，车辆、家电、及照明灯具等。要将LED所发出的纯色光，转换成其他颜色的光有数种方式可采用。举例来说，可于LED上覆盖一层波长转换层，例如荧光粉层来达到此目的。荧光粉是一种光致发光的物质，也可说是波长转换材料，它可以吸收LED所发出的第一光线后发出不同于第一光的第二光线。若第一光线未被完全消耗，残留的第一光线与第二光线互相混合，可形成另一种颜色的混合光。不过，在不同的视角下，LED所发出的第一光线与被转换的第二光线互相混合的比例若是不同，混合光的色彩或色温分布便会有不均匀的现象产生。
技术实现思路
本专利技术公开一种发光装置，包含一发光元件、一波长转换层以及一可透光元件。发光元件包含一顶面、一底面、多个侧面及一第一电性接点，其中顶面及底面通过多个侧面相互连结。第一电性接点形成在底面上。波长转换层包含一透明粘合剂及多颗波长转换粒子且至少覆盖发光元件的顶面。可透光元件包含一出光面且位于波长转换层之上。波长转换粒子的D50不大于10微米，其中D50的定义为波长转换粒子累积颗粒分布达到50％时所对应的粒径且波长转换层的厚度(T)与波长转换粒子的D50的比值介于6至20。本专利技术公开一种发光装置的形成方法。先形成多个发光元件于一载板上。接着，形成一波长转换片于多个发光元件上。形成一可透光层于波长转换片之上。可透光层包含一可透光接合层及一可透光基板。加热粘合该可透光接合层及一可透光基板。分离发光元件与暂时性基板。附图说明图1A为本专利技术一实施例的一种发光装置的剖视图；图1B为图1A中波长转换层的局部放大图；图1C为一实施例中视角对色座标标准差的关系图；图2A至图2J为本专利技术一实施例的发光装置的制造流程图；图3A至图3F为本专利技术另一实施例的发光装置的制造流程图；图4为本专利技术另一实施例的一种发光装置的剖视图；图5为本专利技术再一实施例的一种发光装置的剖视图；图6为本专利技术再一实施例的一种发光装置的剖视图。符号说明100、100a、100b、100a’、100b’、400、500、600：发光装置120、120a、120b、420、520、620：发光元件121：顶面122：成长基板123：底面124：发光叠层125：侧面126a、126a1、126a2、126b、126b1、126b2：电性接点140、140a、140b、440、540、640：波长转换层140’：波长转换片142：透明粘合剂143：延伸区144：波长转换粒子150、150a、150a1、150a2、150b、150b1、150b2：延伸垫150a’、150b’：斜面160、460、560、660：可透光元件162、162a、162b：可透光接合层162’：可透光接合胶164、164a、164b、164’：可透光基板180、180a、180b、180’：光反射层220、280、290、320、350：暂时性基板240、270、340：粘胶层260、360：切割工具450a、450b、550a、550b、650a、650b：电极垫480、580、680：光反射围栏570：可透光包覆层682：侧壁684：底部A1：放大区块d1、d2：波长转换粒子的粒径T1：第一厚度T2：第二厚度具体实施方式图1A为根据本专利技术一实施例所揭露的一发光装置100的剖视图。发光装置100包含发光元件120、一波长转换层140及一可透光元件160。波长转换层140覆盖发光元件120的部分表面，此外，可透光元件160位于波长转换层140之上。在一实施例中，发光元件120包含一成长基板122、一发光叠层124以及电性接点126a、126b。其中，发光叠层124的一侧与成长基板122相连结，另一侧与电性接点126a、126b相连结。此外，发光元件120包含一上表面121、一下表面123及多个侧面125，顶面121及底面123通过侧面125连结。在一实施例中，发光元件120为倒装式发光二极管管芯(flipchipLEDdie)。在另一实施例中，成长基板122可以是蓝宝石(sapphire)基板，作为发光叠层124外延成长时的基板。此外，成长基板122的一外表面，也是发光元件120的上表面121，即为发光元件120的出光面。但成长基板122并非是限制本专利技术的特征，在另一实施例中，成长基板122可在制造发光装置100的后段制作工艺中移除或置换成其他基板(不同材料、不同结构、或不同形状的基板)。在本实施例中，发光叠层124包含第一半导体层、活化层以及第二半导体层(未显示)。在一实施例中，第一半导体层可为n-型半导体层，第二半导体层可为p-型半导体层。在一实施例中，两电性接点126a及126b位在发光元件120的同一侧，作为发光元件120与外界电性连结的界面，且两电性接点126a及126b的外表面即为底面123的一部分。其中，电性接点126a及126b会分别与第一半导体层及第二半导体层电连接。此外，电性接点126a及126b可以突出于波长转换层140的底面(如图所示)、或与底面大约齐平(图未示)、或仅其中的一突出底面(图未示)。在另一实施例中，发光元件120为一垂直式发光二极管管芯(verticalLEDdie/chip)，电性接点126a及126b可分别形成在发光元件的两个相对侧，并分别与第一半导体层及第二半导体层电连接。在一实施例中，发光元件120有四个侧面125，相对的侧面彼此大致上互相平行，亦即，由上视图观之，发光元件120为矩形或平行四边形。顶面121与底面123也大致互相平行。发光元件120可为一发光二极管管芯(LEDdie/chip)，例如但不限为蓝光发光二极管管芯或紫外(UV)光发光二极管管芯。在一实施例中，发光元件120为蓝光发光二极管管芯，可经由电源提供一电力而发出第一光线，第一光线的主波长(dominantwavelength)或峰值波长(peakwavelength)介于410nm至490nm之间。波长转换层140可包含一透明粘合剂142以及多个分散于透明粘合剂124中的波长转换粒子144，其中波长转换粒子144可吸收发光元件120发出的第一光线，并将其转换成与第一光线波长或频谱相异的第二光线。在一实施例中，波长转换粒子144吸收第一光线(例如，蓝光或UV光)后被激发出来的第二光线为黄光，其主波长或峰值波长介于530nm至590nm之间。另一实施例中，波长转换粒子144吸收第一光线(例如，蓝光或UV光)后被激发出来的第二光线为黄绿光，其主波长或峰值波长介于515nm至575nm之间。其他实施例中，波长转换粒子144吸收第一光线(例如，蓝光或UV光)后被激发出来的第二光线为红光，其主波长或峰值波长介于590nm至660nm之间。波长转换层140可包含单一种类或多种的波长转换粒子144。在一实施例中，波长转换层140包含可发出黄光的波长本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包含：发光元件，包含可出光的顶面，底面以及连结该顶面及该底面的侧面；波长转换层，包含一透明黏合剂及多颗波长转换粒子且覆盖该发光元件的顶面形成一第一厚度；以及可透光元件，包含出光面且位于该波长转换层之上，其中，该波长转换粒子的D50不大于10微米，D50的定义为该波长转换粒子累积颗粒分布达到50％时所对应的粒径，且其中，该波长转换层的厚度与该波长转换粒子的D50的比值介于6至20。

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包含：发光元件，包含可出光的顶面，底面以及连结该顶面及该底面的侧面；波长转换层，包含一透明黏合剂及多颗波长转换粒子且覆盖该发光元件的顶面形成一第一厚度；以及可透光元件，包含出光面且位于该波长转换层之上，其中，该波长转换粒子的D50不大于10微米，D50的定义为该波长转换粒子累积颗粒分布达到50％时所对应的粒径，且其中，该波长转换层的厚度与该波长转换粒子的D50的比值介于6至20。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，该发光装置的色彩分布的均匀度于0°至70°的视角下，△u’v’值相差小于0.0040。3.如权利要求1所述的发光装置，其中，该波长转换粒子于该波长转换层中的重量百分比在70％以下。4.如权利要求1所述的发光装置，其中，该波长转换粒子的D50介于1微米至8微米之间。5.如权利要求1所述的发光装置，其中，该波长转换层覆盖该发光元件的侧面且形成一第二厚度，且该第二厚度与该第一厚度的差值不大于该第二厚度与该第一厚度平均值的10％。6.如权利要求1所述的发光装置，其中，该波长转换层由该发光元件往该可透光元件之间可分成一上区块及...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑景太，石俊华，任益华，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71