阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、显示面板与显示装置，包括：衬底基板；多条扫描线与多条数据线，位于所述衬底基板上，所述多条扫描线与多条数据线交叉设置界定多个像素单元；平坦化层，覆盖所述多条扫描线与多条数据线；低反射膜层，位于数据线与平坦化层之间并覆盖数据线；该低反射膜层的反射系数低于数据线的反射系数，可以有效改善因数据线反光导致的显示面板与显示装置的暗态漏光问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，且特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
在液晶显示
，平面转换(In-PlaneSwitchingIPS)技术和边缘场开关(FringeFieldSwitchingFFS)技术是两种常用的宽视角液晶显示技术，该两项技术的特点是正负电极设置于同一基板，使液晶分子在平行于基板的平面内旋转，从而提高液晶层的透光效率。现有技术中的液晶显示面板通常包括阵列基板与彩膜基板，在阵列基板上形成有数据线和扫描线，且由数据线和扫描线限定出多个呈矩阵排列的像素单元，多个呈矩阵排列的像素单元包括多行、多列像素区域，并在每个像素单元上设置有条状的像素电极和薄膜晶体管，其中薄膜晶体管的栅极与扫描线连接，薄膜晶体管的源极和漏极分别与数据线和像素电极连接。为了获得更快的液晶相应速度与更宽的视角，现有技术中的像素结构通常设置为：像素电极的延伸方向与列方向具有一定的夹角θ，且为了增大透光率，数据线相对于每个像素单元的部分与该像素单元内的像素电极的延伸方向大致相同，也即数据线与列方向也具有一定的夹角θ。随着像素电极的设置角度θ越大，液晶响应越快，同时，数据线与列方向的夹角θ也越大。但是，数据线与列方向的夹角θ越大，数据线的两个侧壁的面积也越大，对光的反射也越严重，从而由于数据线的倾斜导致的暗态漏光问题也越严重。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以解决现有显示面板及显示装置存在的因数据线反光导致的暗态漏光问题，提升显示面板的视觉效果。本专利技术提供一种阵列基板，依次包括：衬底基板；多条扫描线与多条数据线，交叉设置界定多个像素单元；平坦化层，覆盖所述多条扫描线与多条数据线；以及低反射膜层；所述数据线包括第一金属层，低反射膜层的反射系数低于第一金属层的反射系数；低反射膜层位于所述平坦化层与所述第一金属层之间，且所述第一金属层的直接暴露在所述平坦化层之下的部分被所述低反射膜层覆盖。在本专利技术的一个实施例中，上述数据线还包括上金属层与下金属层，其中上金属层位于第一金属层与低反射膜层之间，下金属层位于第一金属层与衬底基板之间，该上金属层与下金属层的反射系数低于第一金属层的反射系数。在本专利技术的一个实施例中，上述上金属层、第一金属层、下金属层依次由钛、铝、钛材料制成。在本专利技术的一个实施例中，上述低反射膜层由钼或钨材料制成。在本专利技术的一个实施例中，上述第一金属层包括被上金属层覆盖的上表面，与该上表面相对的下表面，以及，与上表面和下表面相交的侧壁；上述低反射膜层覆盖所述侧壁。在本专利技术的一个实施例中，上述低反射膜层由金属材料制成，且该低反射膜层完全覆盖数据线。在本专利技术的一个实施例中，上述低反射膜层由有机材料制成，该低反射膜层完全覆盖金属线。在本专利技术的一个实施例中，上述阵列基板还包括像素电极与薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括漏电极，像素电极通过过孔与漏电极连接；低反射膜层的对应于所过孔的位置设置有贯穿该低反射膜层的开口。在本专利技术的一个实施例中，上述像素单元包括延第一方向排列的多列像素单元，与延第二方向排列的多行像素单元，在每个像素单元中的，数据线的2倾斜部分与第二方向之间具有一不等于0度的夹角。在本专利技术的一个实施例中，在每个像素单元中，数据线的倾斜部分与第二方向之间的夹角范围为0-45度。在本专利技术的一个实施例中，在每个像素单元内，该阵列基板还包括像素电极，该像素电极的延伸方向与数据线的倾斜部分的延伸方向大致相同。本专利技术还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述显示面板。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术提供的阵列基板、显示面板及显示装置，依次包括：衬底基板；多条扫描线与多条数据线，交叉设置界定多个像素单元；平坦化层，覆盖所述多条扫描线与多条数据线；低反射膜层；所述数据线包括第一金属层，低反射膜层的反射系数低于第一金属层的反射系数；低反射膜层位于平坦化层与第一金属层之间，且第一金属层的直接暴露在平坦化层之下的部分被上述低反射膜层覆盖。由于第一金属层的直接暴露在平坦化层之下的部分被低反射膜层覆盖，且该低反射膜层的反射系数低于第一金属层的反射系数，可以有效改善该阵列基板所在的显示面板与显示装置的暗态漏光问题。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1是本专利技术实施方式提供的一种阵列基板的示意图；图2是图1所示的阵列基板中单个像素单元的示意图；图3是图1所示的阵列基板的截面图；图4是图3所示阵列基板的制程示意图；图5是本专利技术实施方式提供的另一种阵列基板的示意图；图6是本专利技术实施方式提供的又一种阵列基板的示意图；图7是本专利技术实施方式提供的再一种阵列基板的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。本专利技术提供一种阵列基板，依次包括：衬底基板；多条扫描线与多条数据线，交叉设置界定多个像素单元；平坦化层，覆盖所述多条扫描线与多条数据线，以及低反射膜层；其中该数据线包括第一金属层，该低反射膜层的反射系数低于第一金属层的反射系数；该低反射膜层位于平坦化层与第一金属层之间，且第一金属层的直接暴露在平坦化层之下的部分被低反射膜层覆盖，由于数据线的直接暴露在平坦化层之下的部分被低反射膜层覆盖，且该低反射膜层的反射系数低于数据线的反射系数，可以有效改善该阵列基板所在的显示面板与显示装置的暗态漏光问题。本专利技术实施方式首先提供一种阵列基板，如图1和图2所示，图1是本专利技术实施方式提供的一种阵列基板的示意图，图2是图1所示的阵列基板中单个像素单元的示意图。该阵列基板包括多条数据线10与多条扫描线20，该多条数据线10与多条扫描线20交叉设置界定多个像素单元30，多个像素单元30包括延第一方向排列的多列像素单元与延第二方向排列的多行像素单元，同时，在每条扫描线20和数据线10的交叉位置设置有薄膜晶体管T。该多条数据线10大致延第二方向Y延伸并延第一方向X排列，该多条扫描线20延第一方向X延伸并延第二方向排列Y，其中，第一方向X与第二方向Y相互垂直。每个像素单元30内设置有条状的像素电极31与薄膜晶体管T，像素电极31通过薄膜晶体管T与对应的数据线10连接。像素电极31相对于第二方向Y倾斜设置，也就是说像素电极31的延伸方向与第二方向Y之间具有一不等于零的夹角θ1，第二方向Y上相邻的两个像素单元30内的像素电极31具有不同的延伸方向，且第二方向Y上相邻的两个像素单元30内的像素电极31相对于第一方向X相互对称，如此设置，可以获得更快的液晶响应速度与更宽的视角。相应的，数据线10为大致延第二方向Y延伸的折线，包括与对应像素电极31的延伸方向大致平行的倾斜部分11，数据线10的倾斜部分11与第二方向Y之间具有一不等于零的夹角θ2，且夹角θ2与夹角θ1大致相等，且数据线10位于扫描线20两侧的部分相对于该条扫描线20相互对称。如此，可以尽量减小相邻像素单元30之间的遮光区的面积，增大开口率，提高显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；多条扫描线与多条数据线，位于所述衬底基板上，所述多条扫描线与多条数据线交叉设置界定多个像素单元，所述数据线包括第一金属层；平坦化层，覆盖所述多条扫描线与多条数据线；低反射膜层，位于所述数据线与所述平坦化层之间；所述低反射膜层的反射系数低于所述第一金属层的反射系数，且所述第一金属层的直接暴露在所述平坦化层之下的部分被所述低反射膜层覆盖。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；多条扫描线与多条数据线，位于所述衬底基板上，所述多条扫描线与多条数据线交叉设置界定多个像素单元，所述数据线包括第一金属层；平坦化层，覆盖所述多条扫描线与多条数据线；低反射膜层，位于所述数据线与所述平坦化层之间；所述低反射膜层的反射系数低于所述第一金属层的反射系数，且所述第一金属层的直接暴露在所述平坦化层之下的部分被所述低反射膜层覆盖。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线还包括上金属层与下金属层，所述上金属层位于所述第一金属层与低反射膜层之间，所述下金属层位于所述第一金属层与衬底基板之间，所述上金属层与下金属层的反射系数低于所述第一金属层的反射系数。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述上金属层、第一金属层、下金属层依次由钛、铝、钛材料制成。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述低反射膜层由钼或钨材料制成。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层包括：被所述上金属层覆盖的上表面，与所述上表面相对的下表面，以及，与所述上表面和下表面相交的侧壁；所述低反射膜层覆盖所述侧壁。6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元行，苏婷，陈国照，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35