一种掩膜板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜板及其制造方法，所述掩膜板包括可透光基板，形成在所述可透光基板上的掩膜图形，所述可透光基板的透过率从边缘到中心递减。本发明专利技术实施例提供的掩膜板，通过透过率不同补偿由于曝光距离不同导致的柱状隔垫物高度不一致，使得柱状隔垫物高度更为均一，从而提供液晶产品质量。

Mask plate and method for manufacturing the same

The invention discloses a mask plate and manufacturing method thereof, wherein the mask includes a transparent substrate, forming a mask pattern on the transparent substrate, the transparent substrate transmittance from the edge to the center. The mask provided by the embodiment of the invention, the transmittance of different compensation due to exposure to the different distance between the columnar spacer height is not the same, the columnar spacer height is more uniform, so as to provide LCD product quality.

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板及其制造方法
本专利技术涉及显示
，尤指一种掩膜板及其制造方法。
技术介绍
随着液晶显示技术的发展，大尺寸，高品质，低成本成为未来发展方向。目前，随着对大尺寸的追求，TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜场效应晶体管液晶显示器)制造不断向高世代发展。TFT-LCD面板主要由彩膜基板和阵列基板对盒而成，两者间以柱状隔垫物(PhotoSpacer，简称PS)隔离出注入液晶的空隙。PS通常是使用掩膜板对沉积在彩膜基板上的光刻胶层进行曝光之后进行显影得到。掩膜板是在TFT-LCD的光刻工艺中用于进行图形制作的一种组件，掩膜板主要由透明基板和形成在该透明基板上的具有特定图形的不透光区域组成。通常制作掩膜板时，主要是在透明基板上沉积一层不透光膜层(例如铬层)，然后在该不透光膜层上刻画特定图形。在TFT_LCD对合工艺中PS高度均一性是影响产品光学特性非常关键的参数，PS高度均一性越好，对液晶滴入量变化要求越低，增大液晶填入量margin(波动范围)，从而更好的控制盒厚，同时在信赖性评价方面可以保证玻璃基板上所有Panel(液晶面板)光学及相关特性一致，没有玻璃面取向之差，提高良率。相关技术中，采用接近式曝光时，曝光所得的PS高度不均，造成液晶滴入量的工艺margin缩小导致出现高温发黄、吸附发黄、气泡偏多等信赖性不良问题，大大影响产品品质。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种掩膜板及其制造方法，提高柱状隔垫物的高度均一性，进而提高液晶面板品质。为了达到本专利技术目的，本专利技术提供了一种掩膜板，包括可透光基板，形成在所述可透光基板上的掩膜图形，所述可透光基板的透过率从边缘到中心递减。在本专利技术的一可选实施例中，所述可透光基板包括透过率一致的透明基板和覆盖在所述透明基板上的透过率从边缘到中心递减的补偿层，且，所述掩膜图形形成在所述透明基板的一侧，所述补偿层覆盖在所述透明基板的另一侧。在本专利技术的一可选实施例中，所述透过率从边缘到中心递减为从100％到70％递减。在本专利技术的一可选实施例中，所述从边缘到中心的透过率递减时其递减幅度根据所述掩膜板从边缘到中心到曝光机的机台的曝光距离的变化幅度进行调整。在本专利技术的一可选实施例中，所述补偿层包括如下至少之一：聚丙烯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯。在本专利技术的一可选实施例中，所述补偿层由从边缘到中心的第1区域至第N区域组成，且第i区域包围第i+1区域，第i区域的透过率大于第i+1区域，每个区域内的透过率一致，所述i＝1，…，N-1，所述N为自然数且N>1。在本专利技术的一可选实施例中，所述第1区域至第N区域的材料相同，且第i区域的厚度小于第i+1区域。本专利技术一实施例还提供一种掩膜板的制造方法，包括：提供透过率一致的透明基板；在所述透明基板的一侧覆盖透过率从边缘到中心递减的补偿层；在所述透明基板的另一侧形成掩膜图形。在本专利技术的一可选实施例中，所述补偿层的透过率从边缘到中心递减为从100％到70％递减。在本专利技术的一可选实施例中，按如下方式覆盖形成所述补偿层：在所述透明基板的一侧从边缘到中心依次覆盖第1区域至第N区域，且第i区域包围第i+1区域，第i区域的透过率大于第i+1区域，每个区域内的透过率一致，所述i＝1，…，N-1，所述N为自然数且N>1。与相关技术相比，本专利技术实施例通过改变掩膜板的可透光基板的透过率，将透过率从边缘到中心递减，从而补偿由于掩膜板自重导致的掩膜板弯曲造成的从边缘到中心曝光距离的递减，使得由该掩膜板进行曝光得到的柱状隔垫物的形状更为均一，提高液晶面板品质。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为相关技术中掩膜板曝光得到柱状隔垫物示意图；图2为本专利技术一实施例提供的掩膜板结构示意图；图3为本专利技术另一实施例提供的掩膜板示意图；图4为应用本专利技术实施例提供的掩膜板后进行曝光得到柱状隔垫物的示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。如图1所示，在接近式曝光工艺中，掩膜板20由掩膜架30固定，掩膜板20对沉积在彩膜基板上的光刻胶层进行曝光之后进行显影得到柱状隔垫物40。由于掩膜板20自重导致掩膜板弯曲，随着掩膜板的尺寸增大，该弯曲随之增大。掩膜板物理弯曲导致掩膜板同曝光机机台(用于支撑玻璃基板)距离(Gap)不同，从图1中可以看到，掩膜板与曝光机机台的距离通常为200～300um，而由于弯曲导致的中心区域同曝光机机台的距离减少约50um，比重比较大。PS受Gap影响较大，Gap不同从而造成玻璃基板10上Panel因所处掩膜板位置不同PS高度呈现明显的差异。该弯曲导致掩膜板曝光中心区域的PS高度偏高，而周边PS高度偏低，呈明显梯度分布。实际测试发现，掩膜板中心处的PS高度比周边高0.1um左右。此种PS高度不均造成液晶滴入量的工艺margin缩小导致出现高温发黄、吸附发黄、气泡偏多等信赖性不良问题，大大影响产品品质。本专利技术实施例中，为了改善由于掩膜板自重出现弯曲从而曝光距离不一致导致曝光形成的柱状隔垫物高度不一致的问题，调整掩膜板的透过率，用透过率对曝光距离进行补偿，进而使得柱状隔垫物的高度更为均一。由于掩膜板边缘的曝光距离最长，中心的曝光距离最短，从边缘到中心曝光距离递减，因此，设置掩膜板边缘的透过率最大，中心的透过率最小，透过率从边缘到中心递增，从而补偿由于曝光距离不一致导致的柱状隔垫物高度不一致，使得柱状隔垫物高度更为均一。本专利技术实施例提供一种掩膜板，包括可透光基板，该可透光基板的透过率从边缘到中心递减。该可透光基板的一侧形成有掩膜图形。其中，透过率是指在入射光通量自被照面或介质入射面至另外一面离开的过程中，投射并透过物体的辐射能与投射到物体上的总辐射能之比。该可透光基板从边缘到中心的不同透过率可以通过多种方式达到。比如，通过将可透光基板从边缘到中心涂上不同的颜色，使得边缘到中心的透过率不同，或者，采用双层结构，一层为透过率一致的透明基板，另一层为透过率递减的补偿层；或者，改变可透光基板的厚度，使得可透光基板从边缘到中心的透过率不同，或者，从边缘到中心采用透过率不同的材料，等等。如图2所示，本专利技术实施例提供一种掩膜板，该掩膜板包括透过率一致的透明基板50，以及，覆盖在所述透明基板50上的补偿层60，该补偿层60的透过率从边缘70到中心80递减。其中，掩膜图形在透明基板50的一侧，补偿层60在透明基板50的另一侧，与掩模图形相对。需要说明的是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板，包括可透光基板，形成在所述可透光基板上的掩膜图形，其特征在于，所述可透光基板的透过率从边缘到中心递减。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，包括可透光基板，形成在所述可透光基板上的掩膜图形，其特征在于，所述可透光基板的透过率从边缘到中心递减。2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述可透光基板包括透过率一致的透明基板和覆盖在所述透明基板上的透过率从边缘到中心递减的补偿层，且，所述掩膜图形形成在所述透明基板的一侧，所述补偿层覆盖在所述透明基板的另一侧。3.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述透过率从边缘到中心递减为从100％到70％递减。4.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述从边缘到中心的透过率递减时其递减幅度根据所述掩膜板从边缘到中心到曝光机的机台的曝光距离的变化幅度进行调整。5.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述补偿层包括如下至少之一：聚丙烯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯。6.如权利要求2至5任一所述的掩膜板，其特征在于，所述补偿层由从边缘到中心的第1区域至第N区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋萍，李红敏，董职福，薛伟，廖力勍，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34