一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法技术

本发明专利技术提供一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的连续石墨烯。本发明专利技术通过绝缘衬底上锗薄膜催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上单层连续石墨烯，克服了传统工艺采用转移方法制备绝缘体上石墨烯所带来的如污染、皱褶等影响，提高了绝缘体上石墨烯材料的质量及性能。采用本发明专利技术的方法可以获得大面积单层连续石墨烯。本发明专利技术步骤简单，效果显著，在石墨烯制备领域具有广泛的应用前景。

Method for preparing continuous single layer graphene on insulating substrate

The present invention includes an insulating substrate in the continuous preparation of graphene method: 1) provides an insulating substrate on the insulating film deposited germanium substrate; 2) to the germanium film as catalyst, the growth of graphene under high temperature at the same time, the germanium film at high temperature evaporates continuously. And finally be removed, with continuous insulating graphene substrate. The present invention through insulating substrate Shi Moxi germanium thin film growth and growth in catalysis, while the germanium thin film evaporation removal, obtained on insulator continuous single-layer graphene, overcomes the traditional process using the transfer method for preparing graphene insulator caused by such as pollution, wrinkles and other effects, improve the quality and performance of graphene insulator material. By adopting the method of the invention, large area single layer continuous graphene can be obtained. The method has the advantages of simple steps and obvious effect, and has wide application prospect in the field of preparation of graphene.

【技术实现步骤摘要】
一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法
本专利技术涉及一种石墨烯的制备方法，特别是涉及一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法。
技术介绍
石墨烯具有非同寻常的导电性能、超出钢铁数十倍的强度和极好的透光性，它的出现有望在现代电子科技领域引发一轮革命。在石墨烯中，电子能够极为高效地迁移，而传统的半导体和导体，例如硅和铜远没有石墨烯表现得好。由于电子和原子的碰撞，传统的半导体和导体用热的形式释放了一些能量，一般的电脑芯片以这种方式浪费了72％-81％的电能，石墨烯则不同，它的电子能量不会被损耗，这使它具有了非比寻常的优良特性。自从2004年英国曼彻斯特大学的两位科学家使用微机械剥离的方法发现石墨烯以来，石墨烯的出现激起了巨大的波澜。石墨烯在物理、化学、力学等性能方面无与伦比的优势，使其在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域拥有着广阔的应用前景.目前得到单层大面积石墨烯的制备方法主要为金属(镍、铜等)催化化学气相沉积法，为了电子领域的应用，需要将石墨烯转移到绝缘衬底上，但是目前所用到的转移方法步骤复杂，很容易引起石墨烯的褶皱、污染，势必会降低石墨烯的性能。鉴于以上所述，如何能实现一种能在绝缘衬底上制备大面积单层石墨烯的方法具有重要的意义。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，用于解决现有技术中通过转移的方法制备绝缘衬底上石墨烯容易造成石墨烯性能下降的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，所述方法包括步骤：步骤1)，提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；步骤2)，以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的连续石墨烯。作为本专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法的一种优选方案，步骤1)中，所述绝缘衬底包括表面具有氧化硅的硅衬底、蓝宝石衬底以及石英衬底中的一种。作为本专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法的一种优选方案，步骤1)中，采用磁控溅射的方法于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜。作为本专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法的一种优选方案，步骤1)中，沉积的锗薄膜的厚度范围为10～500nm。作为本专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法的一种优选方案，步骤2)中，以气态碳源为原料于所述锗薄膜表面生长石墨烯。进一步地，所述气态碳源包括甲烷、乙炔、乙烯中的一种或两种以上的组合。作为本专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法的一种优选方案，步骤2)中，采用化学气相沉积法于所述锗薄膜表面生长石墨烯。作为本专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法的一种优选方案，步骤2)中，所述高温的温度范围为850～937℃。作为本专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法的一种优选方案，步骤2)中，所述高温的保持时间至少大于所述锗薄膜全部蒸发的时间，所述高温的保持时间范围为30～300min。作为本专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法的一种优选方案，步骤2)中，所述石墨烯为单层连续的石墨烯。如上所述，本专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，具有以下有益效果：本专利技术通过绝缘衬底上锗薄膜催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上单层连续石墨烯，克服了传统工艺采用转移方法制备绝缘体上石墨烯所带来的如污染、皱褶等影响，提高了绝缘体上石墨烯材料的质量及性能。采用本专利技术的方法可以获得大面积单层连续石墨烯。本专利技术步骤简单，效果显著，在石墨烯制备领域具有广泛的应用前景。附图说明图1显示为本专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法的步骤流程示意图。图2～图5显示为专利技术的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法各步骤所呈现的结构示意图。图6显示为本专利技术获得的绝缘体上单层连续的石墨烯的拉曼光谱图。图7显示为本专利技术获得的绝缘体上单层连续的石墨烯的SEM图。图8显示为本专利技术获得的绝缘体上单层连续的石墨烯的拉曼光谱2D峰与G峰强度比图。元件标号说明101绝缘衬底102锗薄膜103石墨烯S11～S12步骤1)～步骤2)具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图1～图5所示，本实施例提供一种在绝缘衬底101上制备连续石墨烯103的方法，所述方法包括步骤：如图1～图2所示，首先进行步骤1)S11，提供一绝缘衬底101，于所述绝缘衬底101上沉积锗薄膜102。作为示例，所述绝缘衬底101包括表面具有氧化硅的硅衬底、蓝宝石衬底以及石英衬底中的一种。在本实施例中，所述绝缘衬底101为表面具有氧化硅的硅衬底，其所制成的衬底为绝缘体上石墨烯衬底，所述氧化层一方面可以防止锗和硅的互溶，另一方面，形成底层硅-绝缘层-石墨烯结构的衬底，更符合现今的半导体制造工艺的需求。作为示例，采用磁控溅射的方法于所述绝缘衬底101上沉积锗薄膜102。当然，也可以采用其它方法制备所述锗薄膜102，因此，并不限于此处所列举的示例。由于后续需要通过蒸发去除所述锗薄膜102，因此，所述锗薄膜102的厚度不宜太大，同时，由于锗薄膜102与绝缘衬底101接触的界面具有较多的缺陷，且随着锗薄膜102厚度的增加缺点逐渐减小，因此，所述锗薄膜102的厚度也不宜太小。作为示例，沉积的锗薄膜102的厚度范围为10～500nm。一个更优的厚度范围为50～100nm。如图3～图5所示，然后进行步骤2)S12，以所述锗薄膜102为催化剂，在高温下生长石墨烯103，同时，锗薄膜102在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底101上的连续石墨烯103。作为示例，以气态碳源为原料，采用化学气相沉积法于所述锗薄膜102表面生长石墨烯103。进一步地，所述气态碳源包括甲烷、乙炔、乙烯中的一种或两种以上的组合。作为示例，所述高温的温度范围为850～937℃。该温度范围的确定依据是，第一，适于石墨烯103生长；第二，能实现锗材料的蒸发；第三，不能大于锗熔化的温度(锗的熔点为937℃)。较优的，选用温度为920℃，能获得质量优良的石墨烯103，以及较快速度的锗蒸发。作为示例，所述高温的保持时间至少大于所述锗薄膜102全部蒸发的时间，所述高温的保持时间范围为30～300min。作为示例，本实施例所生长的石墨烯103为单层连续的石墨烯。图6显示为本实施例获得的绝缘体上单层连续的石墨烯的拉曼光谱图，图7显示为本实施例获得的绝缘体上单层连续的石墨烯的SEM图，图8显示为本实施例获得的绝缘体上单层连续的石墨烯的拉曼光谱2D峰与G峰强度比图。由图6～图8可以看出，通过本实施例的方法，可以获得性能良好的绝缘体上单层连续本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：步骤1)，提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；步骤2)，以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的连续石墨烯。

【技术特征摘要】
1.一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：步骤1)，提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；步骤2)，以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的连续石墨烯。2.根据权利要求1所述的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，其特征在于：步骤1)中，所述绝缘衬底包括表面具有氧化硅的硅衬底、蓝宝石衬底以及石英衬底中的一种。3.根据权利要求1所述的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，其特征在于：步骤1)中，采用磁控溅射的方法于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜。4.根据权利要求1所述的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，其特征在于：步骤1)中，沉积的锗薄膜的厚度范围为10～500nm。5.根据权利要求1所述的在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：狄增峰，汪子文，戴家赟，王刚，郑晓虎，薛忠营，张苗，王曦，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31