一种新型MOS驱动电路制造技术

技术编号:15685399 阅读:402 留言:0更新日期:2017-06-23 18:12
本实用新型专利技术公开了一种新型Mos驱动电路,包括被驱动MOS管,所述电路包括二极管D6、自举电容C26、三极管Q15A、三极管Q18、MOS管Q17、电阻R63,二极管D6的正极接系统电源,二极管D6的负极、自举电容C26、MOS管Q17的漏极依次连接,MOS管Q17的源极接地;自举电容C26的正极与三极管Q15A的集电极连接,三极管Q15A的发射极与被驱动 MOS管Q14的栅极连接,被驱动 MOS管Q14的源极与MOS管Q17的漏极连接;驱动信号端INVQ14与三极管Q18的基极连接,三极管Q18的集电极与三极管Q15A的集电极连接,三极管Q18的发射极接地。采用本电路结构具有成本低的优点,能解决多个不共地Mos 管的电源驱动问题。

【技术实现步骤摘要】
一种新型MOS驱动电路
本技术属于电源驱动线路领域,具体涉及一种新型Mos驱动电路。
技术介绍
MOS管,是是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,在电源驱动线路中,经常用到MOS管的开关作用。MOS管驱动是指在栅极加控制电压使源极、漏极之间导通、截止,在不共地的多个MOS管驱动架构中,为了驱动Mos管,传统设计上大都采用采用隔离变压器将地分开,隔离变压器的次级不与大地相连,因此它的任意两线与大地之间没有电位差,实现了控制回路跟功率回路隔离的目的,避免了信号之间相互干扰。如附图1所示,为了驱动Mos管Q14、Mos管Q17,MOS管Q14的驱动使用了隔离变压器Driver1,使得输入MOS管Q14栅极的驱动电源与电路的电源端不共地,而MOS管Q17栅极接驱动电源Driver2,MOS管Q14和MOS管Q17的驱动电源不共地。另外,在多个MOS管共同设置在一个电路中时,为了避免电源与MOS管之间的信号干扰,以及MOS管的驱动控制信号不同、实现的功能结果也不同,需要使得MOS管的驱动电源不共地。但是,采用传统隔离变压器来隔离,因隔离变压器的制造工序复杂,其制造成本也相对较高,用于MOS管驱动的经济程度不高。
技术实现思路
本技术的目的是为了用更低的成本来实现对MOS管不同地的驱动问题,提供一种Mos管驱动电路。为了达到上述技术目的,本技术采用以下技术方案:一种新型Mos驱动电路,包括被驱动MOS管,所述电路包括二极管D6、自举电容C26、三极管Q15A、三极管Q18、MOS管Q17、电阻R63,二极管D6的正极接系统电源,二极管D6的负极、自举电容C26、MOS管Q17的漏极依次连接,MOS管Q17的源极接地;自举电容C26的正极与三极管Q15A的集电极连接,三极管Q15A的发射极与被驱动MOS管Q14的栅极连接,被驱动MOS管Q14的源极与MOS管Q17的漏极连接;驱动信号端INVQ14与三极管Q18的基极连接,三极管Q18的集电极与三极管Q15A的集电极连接,三极管Q18的发射极接地。本电路使用自举电容C26替换了传统中的隔离变压器,实现了Mos管开通所需电源。电源经二极管D6、电容C26、MOS管Q17、三极管Q18之间形成一个电路通道,MOS管Q17的漏极与源极导通,给自举电容C26充电,自举电容C26充电充满后,使得MOS管Q17的漏极与源极之间不导通,MOS管Q17关闭;驱动信号端INVQ14输入驱动信号,自举电容C26通过三极管Q15A的发射极与集电极、被驱动MOS管Q14之间形成一个放电回路,被驱动MOS管的栅极被充电,开启被驱动MOS管所需的电压偏置。进一步,被驱动MOS管Q14的栅极与源极之间接电阻R70,MOS管Q17的栅极与源极之间接电阻R80。电阻R70、电阻R80为MOS管提供偏置电压,是MOS管的栅极保护电阻,起着泄放静电的作用。进一步,三极管Q15A的基极与三极管Q18集电极之间接电阻R71,三极管Q15A的发射极与被驱动MOS管Q14的栅极之间接有电阻R63。电阻R71、电阻R63接在对应三极管的集电极端,为负载电阻,使三极管集电极电压随基极电流变化,而在集电极电阻上电压发生改变,起到电流放大作用。进一步,三极管Q15A的集电极与二极管D6的负极之间接电阻R62,三极管Q18基极与驱动信号端INVQ14之间接电阻R77,MOS管Q17的栅极接电阻R76。电阻R62、电阻R77、电阻R76起着偏置电阻作用,限流供合适电流给其对应的三极管或MOS管。进一步,三极管Q15A的发射极与电阻R63之间接电阻R184。因电流为三极管Q15A的发射极输出,电阻R184Z作用为射极电阻,产生电流负反馈,可以稳定静态工作点。更进一步,电阻R184与电阻R63的节点与三极管Q15的发射极连接,电阻R70与MOS管Q17的漏极之间的节点与三极管Q15的集电极连接,三极管Q15的基极与三极管Q15A的基极连接。更进一步,所述驱动信号端INVQ14与三极管Q18的基极之间的节点与电阻R185的一端连接。进一步,所述Mos管驱动电路还包括被驱动的MOS管Q13,被驱动的MOS管Q13的电路与被驱动的MOS管Q14的电路镜像设置,所述被驱动的MOS管Q13的电路为:被驱动的MOS管Q13的源极与MOS管Q20的漏极连接,电阻R66、电阻R69相连的节点与被驱动的MOS管Q13的栅极连接,三极管Q16的集电极分别与电阻R69、自举电容C27的负极、被驱动的MOS管Q13的源极与MOS管Q20的漏极之间的节点连接,电阻R66、电阻R186一端相连的节点与三极管Q16的发射极连接,电阻R186另一端与三极管Q16A的发射极连接,三极管Q16A的集电极分别与自举电容C27的正极、二极管D7的负极、电阻R65一端连接,二极管D7的正极接系统电源,三极管Q16A的基极、三极管Q16的基极、电阻R65另一端三者连接的节点与电阻R74一端连接,电阻R74的另一端接三极管Q19的集电极,三极管Q19的发射极、电阻R79、MOS管Q20的源极三者连接的节点接地,三极管Q19的基极接电阻R75一端,电阻R75另一端与接驱动信号INVQ13端、电阻R187一端分别连接;电阻R78、电阻R79两者之间的节点与MOS管Q20的栅极连接;所述被驱动的MOS管Q14的漏极与被驱动的MOS管Q13的漏极连接的节点与电容C25一端连接,电容C25另一端接地。本技术与现有技术相比,有益效果是:采用自举电容放电产生悬浮电源实现了Mos管的电源驱动,采用低成本的电路架构解决了两个或多个不共地Mos管的驱动问题,整个电路产品的制造成本更低,使用的性价比更高,更贴合实际使用。附图说明图1是传统MOS管驱动示意图;图2是本技术两路MOS管驱动电路示意图;图3是图2中MOS管的驱动脉冲输出示意图。具体实施方式下面通过具体实施例对本技术的技术方案作进一步描述说明。实施例1如图所示,一种新型Mos驱动电路,包括被驱动MOS管Q14、二极管D6、自举电容C26、三极管Q15A、三极管Q18、MOS管Q17、电阻R63,二极管D6的正极接电源+12V,二极管D6的负极、自举电容C26、MOS管Q17的漏极D依次连接,MOS管Q17的源极S接地;自举电容C26的正极与三极管Q15A的发射极2连接,三极管Q15A的集电极3与被驱动MOS管Q14的栅极G连接,被驱动MOS管Q14的源极S与MOS管Q17的漏极D连接;驱动信号端INVQ14与三极管Q18的基极1连接,三极管Q18的集电极3与三极管Q15A的基极1连接,三极管Q18的发射极2接地。电源经二极管D6、电容C26、MOS管Q17、三极管Q18之间形成一个电路通道,MOS管Q17的漏极D与源极S导通,给自举电容C26充电,自举电容C26充电充满后,等C26电容上电荷充饱以后,MOS管Q17关闭;驱动信号端INVQ14输入驱动信号,自举电容C26通过三极管Q15A的发射极2与集电极3、被驱动MOS管Q14之间形成一个放电回路,被驱动MOS管的栅极G被充电,开启被驱动MOS管所需的电压偏置。作为优先的设置,被驱动MOS管本文档来自技高网...
一种新型MOS驱动电路

【技术保护点】
一种新型Mos驱动电路,包括被驱动MOS管,其特征在于,所述电路包括二极管D6、自举电容C26、三极管Q15A、三极管Q18、MOS管Q17、电阻R63,二极管D6的正极接系统电源,二极管D6的负极、自举电容C26、MOS管Q17的漏极依次连接,MOS管Q17的源极接地;自举电容C26的正极与三极管Q15A的集电极连接,三极管Q15A的发射极与被驱动 MOS管Q14的栅极连接,被驱动 MOS管Q14的源极与MOS管Q17的漏极连接;驱动信号端INVQ14与三极管Q18的基极连接,三极管Q18的集电极与三极管Q15A的集电极连接,三极管Q18的发射极接地。

【技术特征摘要】
1.一种新型Mos驱动电路,包括被驱动MOS管,其特征在于,所述电路包括二极管D6、自举电容C26、三极管Q15A、三极管Q18、MOS管Q17、电阻R63,二极管D6的正极接系统电源,二极管D6的负极、自举电容C26、MOS管Q17的漏极依次连接,MOS管Q17的源极接地;自举电容C26的正极与三极管Q15A的集电极连接,三极管Q15A的发射极与被驱动MOS管Q14的栅极连接,被驱动MOS管Q14的源极与MOS管Q17的漏极连接;驱动信号端INVQ14与三极管Q18的基极连接,三极管Q18的集电极与三极管Q15A的集电极连接,三极管Q18的发射极接地。2.根据权利要求1所述的一种新型Mos驱动电路,其特征在于,被驱动MOS管Q14的栅极与源极之间接电阻R70,MOS管Q17的栅极与源极之间接电阻R80。3.根据权利要求1或2所述的一种新型Mos驱动电路,其特征在于,三极管Q15A的基极与三极管Q18集电极之间接电阻R71,三极管Q15A的发射极与被驱动MOS管Q14的栅极之间接有电阻R63。4.根据权利要求1所述的一种新型Mos驱动电路,其特征在于,三极管Q15A的集电极与二极管D6的负极之间接电阻R62,三极管Q18基极与驱动信号端INVQ14之间接电阻R77,电源M2与MOS管Q17的栅极之间接电阻R76。5.根据权利要求1所述的一种新型Mos驱动电路,其特征在于,三极管Q15A的发射极与电阻R63之间接电阻R184。6.根据权利要求1所述的一种新型Mos驱动电路,其特征在于,电阻R184、电阻R63的节点与三极管Q15的发射极连接,电阻R70、MOS管Q17的漏极之间的节点...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘文
申请(专利权)人:深圳市商宇电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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