The invention of the silicon known frequency slot coupled type T node type millimeter wave phase detector is composed of a coplanar waveguide transmission line, coupling structure, phase shifter, T junction power divider, power combiner and T junction direct thermoelectric power sensor is composed of high resistivity Si substrate based on the structure of the whole production, a total of four slot coupled structure, two slot coupling structure above the connecting two direct type thermoelectric power sensor, two slot coupled structure below the realization of phase measurement signal, a phase shifter is arranged in the gap between before and after; T junction power divider and T junction power combiner is composed of a coplanar waveguide transmission line, fan-shaped defect structure and air bridge; direct type thermoelectric power sensor is mainly composed of a coplanar waveguide transmission line, two thermocouples and a capacitor are formed, each thermocouple is made The metal arm and the semiconductor arm are connected in series, which can self heat and complete the thermoelectric conversion, the structure is low in cost, and the efficiency is also greatly improved.
【技术实现步骤摘要】
硅基已知频率缝隙耦合式T型结直接式毫米波相位检测器
本专利技术提出了硅基已知频率缝隙耦合式T型结直接式毫米波相位检测器,属于微电子机械系统(MEMS)的
技术介绍
二十一世纪是电子科学技术与信息科学技术不断发展的时代,在这个时代中,各种各样的电子设备充斥在人们的周围,而这些电子设备都离不开对信号的检测或处理,由此可见,信号的检测是一项当今非常重要的技术。构成信号的三大要素分别为功率、相位和频率,其中对信号的相位检测是一项极为重要的内容,相位检测器在航空航天、军事以及通信领域内都有着巨大的应用价值,因此信号的相位检测技术正日益受到人们的关注。毫米波信号是一种处于微波和远红外波交叠区域内的极高频率的电磁波,由于频带资源的有限,人们正不断开发高频率的资源,而毫米波信号的检测和处理正是人们需要的一项技术,如今的相位检测器不仅结构复杂,而且大多无法达到很高的工作频率,为此需要设计一种新型的毫米波相位检测器来适应这不断发展的时代。随着对共面波导传输线缝隙耦合结构、T型结功分器、T型结功合器以及直接式热电式功率传感器的深入研究,本专利技术在高阻Si衬底上设计了一种在已知频率下的毫米波在线相位检测器,它采用了共面波导传输线缝隙耦合结构来实现毫米波的相位检测,实现了相位检测器的高集成性,大大提高了检测效率。
技术实现思路
技术问题:本专利技术的目的是提供一种硅基已知频率缝隙耦合式T型结直接式毫米波相位检测器,本专利技术采用了共面波导传输线缝隙耦合结构来进行相位检测,在功率分配和功率合成方面则采用了T型结功分器和T型结功合器的结构,在信号的功率测量方面则采用了直接式热电 ...
【技术保护点】
一种硅基已知频率缝隙耦合式T型结直接式毫米波相位检测器,其特征在于,该相位检测器制作在高阻Si衬底(2)上,是由共面波导传输线(4)、一号缝隙耦合结构(13‑1)、二号缝隙耦合结构(13‑2)、三号缝隙耦合结构(13‑3)、四号缝隙耦合结构(13‑4)、移相器(12)、一个T型结功分器、二个T型结功合器以及四个直接式热电式功率传感器所构成,具体结构的连接关系如下:第一端口(1‑1)是信号输入端,一号缝隙耦合结构(13‑1)和二号缝隙耦合结构(13‑2)位于共面波导传输线(4)上侧地线,三号缝隙耦合结构(13‑3)和四号缝隙耦合结构(13‑4)则位于共面波导传输线(4)下侧地线,这两对缝隙关于中心信号线对称,它们之间由一个移相器(12)隔开,一号缝隙耦合结构(13‑1)连接到第二端口(1‑2),第二端口(1‑2)与一号直接式热电式功率传感器相连,同样的,二号缝隙耦合结构(13‑2)连接到第三端口(1‑3),第三端口(1‑3)与二号直接式热电式功率传感器连接;再看相位检测模块(1),三号缝隙耦合结构(13‑3)与第四端口(1‑4)相连,第四端口(1‑4)连接到一号T型结功合器,四号缝隙耦合 ...
【技术特征摘要】
1.一种硅基已知频率缝隙耦合式T型结直接式毫米波相位检测器,其特征在于,该相位检测器制作在高阻Si衬底(2)上,是由共面波导传输线(4)、一号缝隙耦合结构(13-1)、二号缝隙耦合结构(13-2)、三号缝隙耦合结构(13-3)、四号缝隙耦合结构(13-4)、移相器(12)、一个T型结功分器、二个T型结功合器以及四个直接式热电式功率传感器所构成,具体结构的连接关系如下:第一端口(1-1)是信号输入端,一号缝隙耦合结构(13-1)和二号缝隙耦合结构(13-2)位于共面波导传输线(4)上侧地线,三号缝隙耦合结构(13-3)和四号缝隙耦合结构(13-4)则位于共面波导传输线(4)下侧地线,这两对缝隙关于中心信号线对称,它们之间由一个移相器(12)隔开,一号缝隙耦合结构(13-1)连接到第二端口(1-2),第二端口(1-2)与一号直接式热电式功率传感器相连,同样的,二号缝隙耦合结构(13-2)连接到第三端口(1-3),第三端口(1-3)与二号直接式热电式功率传感器连接;再看相位检测模块(1),三号缝隙耦合结构(13-3)与第四端口(1-4)相连,第四端口(1-4)连接到一号T型结功合器,四号缝隙耦合结...
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