一种LED驱动电源的内部降压电路结构制造技术

本发明专利技术公开了一种LED驱动电源的内部降压电路结构，它包括：整流桥电路（1）与高压预降压电路（2）连接；高压预降压电路（2）与线性稳压电路（5）、迟滞检测电路（3）和前置基准电压电路（4）连接；迟滞检测电路（3）通过检测比较高压预降压电路（2）的电压，控制高压预降压电路（2）的通断，前置基准电压电路（4）输出一个不随输入电源波动和温度变化的基准电压，作为迟滞检测电路（3）和线性稳压电路（5）的参考电压；线性稳压电路（5）对高压预降压电路（2）的输出电压进行稳压；解决了现有技术的LED驱动电路的内部降压电路采用buck型DCDC电路来降压或者利用高频变压器将电压降低等方法，电路体积大且不易于集成于芯片等技术问题。

Internal step-down circuit structure of LED driving power supply

The present invention discloses the internal buck circuit structure, a LED driving power supply comprises a rectifier circuit (1) and high voltage pre step-down circuit (2) connected; high voltage pre step-down circuit (2) and (5) linear regulator circuit, hysteresis detecting circuit (3) and pre reference voltage circuit (4) connected delay detection circuit; (3) examined by high voltage pre step-down circuit (2) voltage, high voltage control circuit (2) pre on-off, pre reference voltage circuit (4) outputs a with input power fluctuation and temperature change as reference voltage, hysteresis detecting circuit (3) and linear the voltage regulator circuit (5) of the reference voltage; linear voltage regulator circuit (5) for high voltage pre step-down circuit (2) of the output voltage is regulated; to solve the internal buck circuit prior LED drive circuit using buck type DCDC circuit When the voltage is lowered or the voltage is lowered by a high-frequency transformer, the circuit is large in volume and not easy to be integrated in the chip.

【技术实现步骤摘要】
一种LED驱动电源的内部降压电路结构
本专利技术属于LED驱动电源技术，尤其涉及一种LED驱动电源的内部降压电路结构。
技术介绍
21世纪，LED作为一种固态光源，是典型的绿色照明光源，具有寿命长，光效高，低功耗等特点。在LED照明技术当中，电源的驱动至关重要，它涉及到了LED整灯的使用寿命以及各项电气性能。LED驱动电源一般分为外部应用电源和内部电源。外部应用电源主要给LED光源提供工作电源，以及驱动芯片外围电路的工作电压，一般为高压；而内部电源则是为芯片提供工作电源，作为芯片内部各个低压模块如带隙基准、运算放大器、比较器等等的工作电源，该电压为低压，在提倡低功耗的应用场合一般有3.3V和5V两种电压。而内部电压一般需要经过外部应用电压通过各种降压方式来得到。如今常用的有buck型DCDC电路来降压或者利用高频变压器将电压降低等等方法，但这些电路的缺点就是体积大，且不易于集成于芯片。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题：提供一种LED驱动电源的内部降压电路结构，以解决现有技术的LED驱动电路的内部降压电路采用buck型DCDC电路来降压或者利用高频变压器将电压降低等方法，电路体积大且不易于集成于芯片等技术问题。本专利技术技术方案：一种LED驱动电源的内部降压电路结构，它包括：整流桥电路：对220V、50Hz的正弦电压波形进行全波整流，得到0-311V的直流脉动电压，与高压预降压电路连接；高压预降压电路：对整流桥电路输出的直流脉动电压进行降压，与线性稳压电路、迟滞检测电路和前置基准电压电路连接；迟滞检测电路：通过检测比较高压预降压电路的电压，控制高压预降压电路的通断，从而控制预降压电压的波动范围；前置基准电压电路：输出一个不随输入电源波动和温度变化的基准电压，作为迟滞检测电路和线性稳压电路的参考电压；线性稳压电路：对高压预降压电路的输出电压进行稳压，输出一个稳定的电压。所述整流桥电路为全波整流桥电路，且每一桥臂上二极管的反向耐压在800V以上，正向电流容量在500mA以上。所述高压预降压电路包括电阻R0，电阻R0与高压管LDMOS2的漏端相连，高压管LDMOS2的源端接地，构成对地支路；电阻R0为高压管LDMOS1提供栅端电压，电阻R1和电容C1串联接在高压管LDMOS1的源端，高压管LDMOS1的漏端接输入电压。电阻R6与齐纳二极管Z1串联，电容C1两端的电压经电阻R6与齐纳二极管Z1进行稳压。所述迟滞检测电路包括电阻R2，电阻R2接在比较器COM1的同向端和输出端之间，电阻R3一端与电容C1连接,另一端与比较器COM1的同向端连接，比较器COM1的反向端与前置基准电压电路的基准电压Vref2连接，比较器COM1的输出端接高压管LDMO2的栅端，控制高压管LDMOS2的开关状态。具体电路结构：前置基准电压源电路结构采用自偏置带隙基准源结构pre-BAG结构，电路的工作电压端接齐纳二极管Z1，通过齐纳管Z1的稳压值提供工作电压，电路两个输出端Vref1和Vref2分别接在运放OPA1的反向端和比较器COM1的反向端。所述线性稳压电路包括功率管M1，功率管M1的源端与电容C1相接，功率管M1的漏端与电阻R4、R5相连接，电阻R4和R5串联构成反馈电阻网络，电阻R5与运放OPA1的同向端相连接，运放OPA1的反向端接前置基准电压电路的基准电压Vref1，运放OPA1的工作电压端接齐纳二极管Z1，运放OPA1的输出端接功率管M1的栅端。本专利技术的有益效果：本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：本专利技术通过外置电容和反馈电阻，整体电路集成在一块芯片，具有便于集成化、体积小等特点。本专利技术可直接应用于市电，交流输入电压范围宽，且工作温度范围宽；本专利技术没有大的储能元器件，无高频变压器，所以电磁干扰小；解决了现有技术的LED驱动电路的内部降压电路采用buck型DCDC电路来降压或者利用高频变压器将电压降低等方法，电路体积大且不易于集成于芯片等技术问题。附图说明图1为本专利技术原理示意图；图2是本专利技术器件接线示意图。具体实施方式一种LED驱动电源的内部降压电路结构（见图1），它包括：整流桥电路1：对220V、50Hz的正弦电压波形进行全波整流，得到0-311V的直流脉动电压，与高压预降压电路2连接；高压预降压电路2：对整流桥电路1输出的直流脉动电压进行降压，与线性稳压电路5、迟滞检测电路3和前置基准电压电路4连接；迟滞检测电路3：通过检测比较高压预降压电路2的电压，控制高压预降压电路2的通断，从而控制预降压电压的波动范围；前置基准电压电路4：输出一个不随输入电源波动和温度变化的基准电压，作为迟滞检测电路3和线性稳压电路5的参考电压；线性稳压电路5：对高压预降压电路2的输出电压进行稳压，输出一个稳定的电压。整流桥1，选用全波整流桥。其中每一桥臂上二极管的反向耐压在800V以上，正向电流容量在500mA以上。高压预降压电路2，高压预降压电路是由耐高压LDMOS1和外置的电容C1构成的，当电路上电后，LDMOS2栅极无控制信号，LDMOS2处于截止状态，RO为LDMOS1提供偏置电压，LDMOS1的栅极处于高电平，故LDMOS1导通，脉动直流高压经过高压LDMOS1对RC电路充电（R1和C1串联构成RC电路），当电容C1两端的电压VCC达到预定的电压值时，检测信号控制LDMOS2的栅端，从而使得LDMOS2导通。此时外部输入电压经过电阻R0和LDMOS2对地构成回路，LDMOS1的栅端电压被拉低到低电平，LDMOS1处于截止状态故充电电路关断，当后面的负载消耗电压低于一定值后，检测信号控制支路LDMOS2处于截止状态，此时LDMOS1再度被打开，充电电路也再度被激活，又对电容充电，此后的工作状态如上反复转化，使得电容两端电压在一定范围内变化。VCC电压经过电阻R6和齐纳管Z1可以得到稳压值Vz作为误差运放OPA1、比较器COM1和前置基准Pre-BAG的工作电压。具体电路结构：电阻R0与高压管LDMOS2的漏端相连，高压管LDMOS2的源端接地，构成对地支路。电阻R0可为高压管LDMOS1提供栅端电压，电阻R1和电容C1串联接在高压管LDMOS1的源端，高压管LDMOS1的漏端接输入电压。电阻R6与齐纳二极管Z1串联，电容C1两端的电压经电阻R6与齐纳二极管Z1进行稳压。迟滞检测电路3，由双门限的比较器构成（R3串接在比较器COM1的同向端，R2连接于比较器的输出端和同相端，反向端接前置基准输出的参考电压Vref2），电路具有迟滞回环传输特性。利用正反馈作用，比较器的门限电压会随输出电压的改变而改变，对于输入端的干扰信号具有强抗干扰能力，通过调节R2、R3的阻值，可以得到两个不同的门限电压值作为检测VCC电压的波动参考电压。具体电路结构：电阻R2接在比较器COM1的同向端和输出端之间，电阻R3一端接电容C1,另一端接比较器COM1的同向端。比较器COM1的反向端与前置基准电压源的基准电压Vref2相连接，比较器COM1的输出端接高压管LDMO2的栅端，可控制高压管LDMOS2的开关状态。前置基准电压源电路4，主要由启动电路、偏置电路和基准核心三部分构成。前置基准的工作原理是利用具有相反的温度系数电压的权重以合适的比例相加得到具有零本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED驱动电源的内部降压电路结构，它包括：整流桥电路（1）：对220V、50Hz的正弦电压波形进行全波整流，得到0‑311V的直流脉动电压，与高压预降压电路（2）连接；高压预降压电路（2）：对整流桥电路（1）输出的直流脉动电压进行降压，与线性稳压电路（5）、迟滞检测电路（3）和前置基准电压电路（4）连接；迟滞检测电路（3）：通过检测比较高压预降压电路（2）的电压，控制高压预降压电路（2）的通断，从而控制预降压电压的波动范围；前置基准电压电路（4）：输出一个不随输入电源波动和温度变化的基准电压，作为迟滞检测电路（3）和线性稳压电路（5）的参考电压；线性稳压电路（5）：对高压预降压电路（2）的输出电压进行稳压，输出一个稳定的电压。

【技术特征摘要】
1.一种LED驱动电源的内部降压电路结构，它包括：整流桥电路（1）：对220V、50Hz的正弦电压波形进行全波整流，得到0-311V的直流脉动电压，与高压预降压电路（2）连接；高压预降压电路（2）：对整流桥电路（1）输出的直流脉动电压进行降压，与线性稳压电路（5）、迟滞检测电路（3）和前置基准电压电路（4）连接；迟滞检测电路（3）：通过检测比较高压预降压电路（2）的电压，控制高压预降压电路（2）的通断，从而控制预降压电压的波动范围；前置基准电压电路（4）：输出一个不随输入电源波动和温度变化的基准电压，作为迟滞检测电路（3）和线性稳压电路（5）的参考电压；线性稳压电路（5）：对高压预降压电路（2）的输出电压进行稳压，输出一个稳定的电压。2.根据权利要求1所述的一种LED驱动电源的内部降压电路结构，其特征在于：所述整流桥电路（1）为全波整流桥电路，且每一桥臂上二极管的反向耐压在800V以上，正向电流容量在500mA以上。3.根据权利要求1所述的一种LED驱动电源的内部降压电路结构，其特征在于：所述高压预降压电路（2）包括电阻R0，电阻R0与高压管LDMOS2的漏端相连，高压管LDMOS2的源端接地，构成对地支路；电阻R0为高压管LDMOS1提供栅端电压，电阻R1和电容C1串联接在高压管LDMOS1的源端，高压管LDMOS1的漏端接输入电压，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨发顺，马奎，杨小兵，苏艺俊，
申请(专利权)人：贵州索立得光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52