The invention relates to a solar cell anti PID effect, which comprises a crystal silicon substrate, suede, diffusion emitter and sequentially depositing a four passivation layer in the crystal silicon substrate antireflection film, the first layer is an amorphous silicon layer, the thickness of 5 8nm, the second layer is SiNx, the refractive index is 2.25 2.35, the thickness of 6 9nm, third layer refraction rate of SiNx was 1.95 2.05, thickness of 60 70nm, fourth layers of alumina, the refractive index is 1.75 1.85, thickness of 3 9nm. The present invention has good anti PID effect and can be produced on the basis of traditional silicon nitride coating equipment, and has low cost.
【技术实现步骤摘要】
一种抗PID效应的太阳能电池
本专利技术涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种抗PID效应的太阳能电池。
技术介绍
晶体硅太阳能电池在使用过程中不排放和发射任何有害物质;没有运动部件、无噪声、重量轻、体积小、具有模块化特征,可分散就地设置,建设周期短,工作寿命长20-25年,维护简便,运行可靠等优点,是一种十分理想的可再生洁净能源。在实际应用中由于单个晶体硅太阳能组件输出电压和功率偏低,不能满足生活或者生产需要,所以需要将多个组件串接。在外框接地的条件下,多个组件串接将导致外框与电池片表面存在高的反偏压。而在长期使用中,湿热的环境是不可避免的,这些极端条件结合在一起就形成了PID(PotentialInducedDegradation,电势诱导衰减)测试条件即电池片对外框的偏压1000V,85℃和85%的相对湿度,测试时间一般为100h。PID效应主要是指在高的偏压,高温,高湿度的条件下,组件表面封装材料碱石灰玻璃中的金属离子移动至电池片表面,在电池片表面形成局部聚集,使得电池片失效的一种效应。目前人们主要认为是通过改变组件接地方式,更换电池片组件封装材料,开发抗PID的电池片等技术来消除PID效应。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种抗PID效应的太阳能电池。为了解决上述问题,本专利技术采用的技术方案是:一种抗PID效应的太阳能电池,包括硅片、绒面、扩散发射结和电极,其特征在于,在所述扩散发射结表面有四层钝化减反射膜,第一层为非晶硅层,厚度为5-8nm,第二层为SiNx,折射率为2.25-2.35,厚度为6-9nm,第三层Si ...
【技术保护点】
一种抗PID效应的太阳能电池,包括硅片、绒面、扩散发射结和电极,其特征在于,在所述扩散发射结表面有四层钝化减反射膜,第一层为非晶硅层,厚度为5‑8nm,第二层为SiNx,折射率为2.25‑2.35,厚度为6‑9nm,第三层SiNx的折射率为1.95‑2.05,厚度为60‑70nm,第四层为氧化铝,折射率为1.75‑1.85,厚度为3‑9nm。
【技术特征摘要】
1.一种抗PID效应的太阳能电池,包括硅片、绒面、扩散发射结和电极,其特征在于,在所述扩散发射结表面有四层钝化减反射膜,第一层为非晶硅层,厚度为5-8nm,第二层为SiNx,折射率为2.25-2.35,厚度为6-9nm,第三层SiNx的折射率为1.95-2.05,厚度为60-70nm,第四层为氧化铝,折射率为1.75-1.85,厚度为3-9nm。2.根据权利要求1所述的一种抗PID效应的太阳能电池,其特征在于,所述的非晶硅层为采用管式或板式等离子化学气相沉积方法制备得到的膜。3.根据权利要求1所述的一种抗PID效应的太阳能电池,其特征...
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