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本发明涉及一种抗PID效应的太阳能电池，其包括有晶体硅衬底、绒面、扩散发射结以及依次沉积在晶体硅衬底上的四层钝化减反射膜，第一层为非晶硅层，厚度为5‑8nm，第二层为SiNx，折射率为2.25‑2.35，厚度为6‑9nm，第三层SiNx的折...
该专利属于罗雷所有，仅供学习研究参考，未经过罗雷授权不得商用。

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