一种触控显示基板的制作方法及触控显示基板技术

本发明专利技术涉及一种触控显示基板的制作方法及触控显示基板，用以解决目前微米量级的触控电极的线宽很难满足高PPI的要求的问题。该制作方法包括：在衬底基板上依次制作有机发光二极管OLED器件的各个功能膜层，得到OLED基板；采用电子溅射和转印的方式，在OLED基板上制作纳米级线宽的线状触控电极。本发明专利技术中将触控电极制作成纳米级线宽的线状电极，减小了触控电极的宽度，由于触控电极的线宽小于或者接近可见光的波长，因而即使将触控电极设置在显示区域中像素的上方，也不会影响可见光进入人眼，进而能够增加开口率，同时提高产品的良率，使制得的触控显示基板更适用于像素密度要求较高的产品。

Method for manufacturing touch control display substrate and touch control display substrate

The invention relates to a method for manufacturing a touch control display base plate and a touch control display base plate, so as to solve the problem that the linewidth of the micron touch electrode is difficult to satisfy the requirement of high PPI. The production method includes: making various functional films in organic light emitting diode OLED devices on a substrate, OLED substrate by sputtering and electron transfer; the way of linear touch electrode fabrication nano linewidth on OLED substrate. The present invention will touch the linear electrode electrode into nanometer linewidth, reduced the touch electrode width, electrode touch due to the linewidth is less than or close to the wavelength of visible light, so even if the touch electrode is arranged on the display area above the pixels, it will not affect the visible light into the eye, and can increase the opening rate, at the same time to improve the yield of the product, which makes the touch display substrate is more suitable for the products require a higher pixel density.

【技术实现步骤摘要】
一种触控显示基板的制作方法及触控显示基板
本专利技术涉及触控显示基板
，尤其涉及一种触控显示基板的制作方法及触控显示基板。
技术介绍
目前，对于OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)触控屏来讲，主要是采用外挂式实现触控，通常采用打印或者黄光工艺制作触控电极，并将触控电极制作在像素与像素之间的非开口区域。由于打印或者黄光工艺所制作的触控电极只能做到微米量级，因而对于OLED高PPI(PixelsPerInch，像素密度)很难保证触控电极完全设置在非开口区域。例如，目前的打印工艺可以实现的最小线宽在30um左右，线间距至少在20um以上，而且打印的位置精度偏差比较大，至少有数个微米，这样打印出来的金属会偏移到显示像素中，影响画质，且触控屏的良率较低。综上所述，目前由于OLED触控屏的分辨率要求越来越高，采用打印或者黄光工艺制作的触控电极的线宽只能达到微米量级，很难满足高PPI的要求。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的一种触控显示基板的制作方法及触控显示基板，用以解决目前由于OLED触控屏的分辨率要求越来越高，采用打印或者黄光工艺制作的触控电极的线宽只能达到微米量级，很难满足高PPI的要求的问题。本专利技术实施例提供的一种触控显示基板的制作方法，包括：在衬底基板上依次制作有机发光二极管OLED器件的各个功能膜层，得到OLED基板；采用电子溅射和转印的方式，在所述OLED基板上制作纳米级线宽的线状触控电极。较佳的，采用电子溅射和转印的方式，在所述OLED基板上制作纳米级线宽的线状触控电极，包括：采用电子溅射方式，在具有纳米级金属线图形的载体上溅镀金属导电材料，以使所述金属线上形成纳米级线宽的金属导电材料；采用转印的方式，将所述金属线上形成的纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上，以使所述OLED基板形成纳米级线宽的线状触控电极。较佳的，采用下列方式制作具有纳米级金属线图形的载体：采用电子束曝光的方式，在载体的主体上制作至少一条纳米级金属线。较佳的，采用转印的方式，将所述金属线上形成的纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上之前，还包括：将所述载体上形成的纳米级线宽的金属导电材料，与所述OLED基板进行对位。较佳的，所述对位的方式包括粗略对位和精确对位；其中，所述粗略对位是将所有纳米级线宽的金属导电材料与所述OLED基板的显示区域进行对准；所述精确对位是将所有纳米级线宽的金属导电材料分别与所述显示区域中的非开口区域进行对准。较佳的，将所述金属线上形成的纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上，包括：将所述纳米级线宽的金属导电材料与所述OLED基板在预设条件下进行接触，以使所述纳米级线宽的金属导电材料与所述载体上的金属线分离，且将所述纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上。较佳的，所述预设条件包括但不仅限于下列条件中的一种或者多种：施加外力，施加电压，光照，或者加热。本专利技术实施例提供的一种采用本专利技术实施例提供的上述方法制作的触控显示基板，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的OLED器件，以及设置在所述OLED器件上、且为纳米级线宽的线状触控电极；其中，所述触控电极均设置在所述触控显示基板的显示区域。较佳的，所述触控电极的线宽均不大于190nm。较佳的，所述OLED器件包括：有机发光层；所述触控电极在所述衬底基板上的正投影，与所述有机发光层图形在所述衬底基板上的正投影部分重叠；或，所述触控电极均设置在所述显示区域中的非开口区域。较佳的，所述触控电极的结构为单层自容结构，单层互容结构，或双层互容结构。较佳的，所述触控电极为指纹电极。较佳的，所述触控电极的材料为透明材料。较佳的，所述触控电极的材料为下列材料中的一种或多种：碳纳米管导电粒子，纳米银，以及石墨烯。较佳的，所述触控显示基板为内嵌式触控显示基板，或外挂式触控显示基板。本专利技术的有益效果：本专利技术实施例提供的触控显示基板的制作方法及采用该方法制作的触控显示基板，将触控电极制作成纳米级线宽的线状电极，减小了触控电极的宽度，由于触控电极的线宽小于或者接近可见光的波长，因而即使将触控电极设置在显示区域中像素的上方，也不会影响可见光进入人眼，进而能够增加开口率，同时提高产品的良率，使制得的触控显示基板更适用于像素密度要求较高的产品。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种触控显示基板的制作方法的步骤流程图；图2本专利技术实施例提供的一种电子溅射和转印的方法步骤流程图；图3A为本专利技术实施例提供的具有纳米级金属线图形的载体的结构示意图；图3B为本专利技术实施例提供的电子溅射过程中的结构示意图；图4A为本专利技术实施例提供的转印过程中的结构示意图；图4B为本专利技术实施例提供的转印之后的结构示意图图5A为本专利技术实施例提供的粗略对位之后的线状触控电极结构示意图；图5B为本专利技术实施例提供的精确对位之后的线状触控电极结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的通过上述方法制作的触控显示基板的基本结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。其中，附图中薄膜厚度和区域形状不反映其真实比例，目的只是示意说明本专利技术的内容。本专利技术实施例提供的一种触控显示基板，是在现有的触控显示基板的基础上，将线状触控电极的线宽制作成纳米量级，进而即使将触控电极设置在显示区域中像素的上方，也不会影响可见光进入人眼。由于现有技术中触控显示基板的制作方法只能制作出微米量级线宽的触控电极，因而本专利技术实施例先介绍了一种触控显示基板的制作方法，再具体介绍采用该方法制作的触控显示基板的结构。下面首先对其具体制作方法进行详细的说明。如图1所示，为本专利技术实施例提供的一种触控显示基板的制作方法的步骤流程图，具体可以采用如下步骤实现：步骤101，在衬底基板上依次制作有机发光二极管OLED器件的各个功能膜层，得到OLED基板；步骤102，采用电子溅射和转印的方式，在OLED基板上制作纳米级线宽的线状触控电极。在具体实施时，本专利技术实施例提供的触控显示基板的制作方法，可以通过电子溅射和转印的方式，在OLED基板上制作出纳米级线宽的线状触控电极，而OLED器件的各个功能膜层的具体制作方法，在此并不做限定。目前，由于OLED触控屏的分辨率要求越来越高，现有的打印或者黄光工艺制作的触控电极的线宽只能达到微米量级，很难满足高PPI的要求。基于此，本专利技术实施例提供的上述触控显示基板的制作方法，可以通过电子溅射和转印的方式制作出纳米级线宽的线状触控电极，减小了触控电极的宽度，由于触控电极的线宽小于或者接近可见光的波长，因而即使将触控电极设置在显示区域中像素的上方，也不会影响可见光进入人眼，进而能够增加开口率，同时提高产品的良率，使制得的触控显示基板更适用于像素密度要求较高的产品。本专利技术实施例提供的上述触控显示基板的制作方法中，可以通过电子溅射和转印的方式，在OLED基板上制作纳米级线宽的线状触控电极，下面具体介绍电子溅射和转印的具体步骤。在具体实施时，如图2所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控显示基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次制作有机发光二极管OLED器件的各个功能膜层，得到OLED基板；采用电子溅射和转印的方式，在所述OLED基板上制作纳米级线宽的线状触控电极。

【技术特征摘要】
1.一种触控显示基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次制作有机发光二极管OLED器件的各个功能膜层，得到OLED基板；采用电子溅射和转印的方式，在所述OLED基板上制作纳米级线宽的线状触控电极。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用电子溅射和转印的方式，在所述OLED基板上制作纳米级线宽的线状触控电极，包括：采用电子溅射方式，在具有纳米级金属线图形的载体上溅镀金属导电材料，以使所述金属线上形成纳米级线宽的金属导电材料；采用转印的方式，将所述金属线上形成的纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上，以使所述OLED基板形成纳米级线宽的线状触控电极。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用下列方式制作具有纳米级金属线图形的载体：采用电子束曝光的方式，在载体的主体上制作至少一条纳米级金属线。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用转印的方式，将所述金属线上形成的纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上之前，还包括：将所述载体上形成的纳米级线宽的金属导电材料，与所述OLED基板进行对位。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对位的方式包括粗略对位和精确对位；其中，所述粗略对位是将所有纳米级线宽的金属导电材料与所述OLED基板的显示区域进行对准；所述精确对位是将所有纳米级线宽的金属导电材料分别与所述显示区域中的非开口区域进行对准。6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述金属线上形成的纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上，包括：将所述纳米级线宽的金属导电材料与所述OLED...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英明，董学，王海生，吴俊纬，丁小梁，许睿，赵利军，李昌峰，贾亚楠，郭玉珍，秦云科，顾品超，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11