移位寄存器、驱动方法、GOA电路和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种移位寄存器、驱动方法、GOA电路(制作在阵列基板上的栅极驱动电路)和显示装置。所述移位寄存器包括移位寄存器本体；栅极驱动信号输出端；直流测试信号写入端；以及，直流灌入测试控制单元，用于在直流灌入测试阶段控制直流测试信号写入端与栅极驱动信号输出端连接，并控制由直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到移位寄存器本体。本发明专利技术可以实现在直流灌入测试阶段能够进行Gate(栅极)直流信号的可调节输入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及直流灌入测试
，尤其涉及一种移位寄存器、驱动方法、GOA(GtaeOnArray，制作在阵列基板上的栅极驱动电路)电路和显示装置。
技术介绍
GOA电路(GateOnArray，制作在阵列基板上的栅极驱动电路)作为降低成本、制备窄边框产品而广泛应用。但是，由于没有Bonding(绑定)区，在相关不良分析时无法进行可调节的Gate(栅极)直流灌入分析(GOA电路包括的各级移位寄存器只可以进行高电平灌入，无法调节)，极大限制了Panel(显示面板)段不良分析进程。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种移位寄存器、驱动方法、GOA电路和显示装置，解决现有的GOA电路在相关不良分析时无法进行可调节的Gate(栅极)直流灌入分析的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种移位寄存器，具有直流灌入测试功能，所述移位寄存器包括：移位寄存器本体；栅极驱动信号输出端；直流测试信号写入端；以及，直流灌入测试控制单元，分别与所述移位寄存器本体的输出端、所述栅极驱动信号输出端和所述直流测试信号写入端连接，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，并控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体。实施时，所述直流灌入测试控制单元还用于在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端，并控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接。实施时，本专利技术所述的移位寄存器还包括：直流灌入测试控制端；所述直流灌入测试控制单元包括：第一控制模块，分别与所述栅极驱动信号输出端、所述直流测试信号写入端和所述直流灌入测试控制端连接，用于在所述直流灌入测试控制端的控制下，在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，在栅极驱动信号输出阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接；以及，第二控制模块，分别与所述移位寄存器本体的输出端和所述栅极驱动信号输出端连接，用于在直流灌入测试阶段控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体，在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端。实施时，本专利技术所述的移位寄存器还包括：工作控制端；所述第二控制模块还与所述工作控制端连接，具体用于在所述工作控制端的控制下，在直流灌入测试阶段控制所述移位寄存器本体的输出端和所述栅极驱动信号输出端不连接，以使得所述直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体，在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端和所述栅极驱动信号输出端连接，以使得所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端。实施时，所述第一控制模块包括：第一控制晶体管，栅极与所述直流灌入测试控制端连接，第一极与所述直流测试信号写入端连接，第二极与所述栅极驱动信号输出端连接；所述第二控制模块包括：第二控制晶体管，栅极与所述工作控制端连接，第一极与所述移位寄存器本体的输出端连接，第二极与所述栅极驱动信号输出端连接。实施时，所述第一控制模块包括：第一控制晶体管，栅极与所述直流灌入测试控制端连接，第一极与所述直流测试信号写入端连接，第二极与所述栅极驱动信号输出端连接；所述第二控制模块包括：控制二极管，阳极与所述移位寄存器本体的输出端连接，阴极与所述栅极驱动信号输出端连接。本专利技术还提供了一种移位寄存器的驱动方法，应用于上述的移位寄存器，所述驱动方法包括：在直流灌入测试阶段，直流灌入测试控制单元控制直流测试信号写入端与栅极驱动信号输出端连接，并控制由直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到移位寄存器本体。实施时，本专利技术所述的移位寄存器的驱动方法还包括：在栅极驱动信号输出阶段，所述直流灌入测试控制单元控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端，并控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接。本专利技术还提供了一种GOA电路，包括多个级联的上述的移位寄存器。本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述的GOA电路。与现有技术相比，本专利技术所述的移位寄存器、驱动方法、GOA电路和显示装置增加了直流灌入测试控制单元，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，并控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体，以实现在直流灌入测试阶段能够进行Gate(栅极)直流信号的可调节输入，能够对于移位寄存器本体进行相关不良确认、Panel(显示面板)段不良分析及确认和现象观察有帮助，避免在Decap(破坏性试验)后引入不确定性。附图说明图1是本专利技术实施例所述的移位寄存器的结构图；图2是本专利技术另一实施例所述的移位寄存器的结构图；图3是本专利技术又一实施例所述的移位寄存器的结构图；图4是本专利技术再一实施例所述的移位寄存器的电路图；图5是本专利技术另一实施例所述的移位寄存器的电路图；图6是本专利技术又一实施例所述的移位寄存器的电路图；图7是本专利技术所述的GOA电路的一具体实施例的电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术实施例所述的移位寄存器，具有直流灌入测试功能，包括：移位寄存器本体10；栅极驱动信号输出端Gate-out；直流测试信号写入端C；以及，直流灌入测试控制单元11，分别与所述移位寄存器本体10的输出端、所述栅极驱动信号输出端Gate-out和所述直流测试信号写入端C连接，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端C与所述栅极驱动信号输出端Gate-out连接，并控制由所述直流测试信号写入端C写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体10。在实际操作时，所述移位寄存器本体10即为现有的不能进行直流灌入测试控制的移位寄存器，所述移位寄存器本体10可以采用12T1C结构(如下面的图6所示)，但是在实际操作时，所述移位寄存器本体的结构并不限于12T1C结构，也可以采用4T1C结构、16T1C结构等。本专利技术实施例所述的移位寄存器与现有技术相比增加了直流灌入测试控制单元，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，并控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体，以实现在直流灌入测试阶段能够进行Gate(栅极)直流信号的可调节输入(例如，Gate向的直流灌入分析测试电压可以为-8V-30V)，能够对于移位寄存器本体进行相关不良确认、Panel(显示面板)段不良分析及确认和现象观察有帮助，避免在Decap(破坏性试验)后引入不确定性。在实际操作时，所述栅极驱动信号输出端Gata-out输出的栅极驱动信号通过相应的栅线输出至显示面板上的显示区域中的相应行薄膜晶体管的栅极。具体的，所述直流灌入测试控制单元还用于在栅极驱动信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器，具有直流灌入测试功能，其特征在于，所述移位寄存器包括：移位寄存器本体；栅极驱动信号输出端；直流测试信号写入端；以及，直流灌入测试控制单元，分别与所述移位寄存器本体的输出端、所述栅极驱动信号输出端和所述直流测试信号写入端连接，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，并控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体。

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器，具有直流灌入测试功能，其特征在于，所述移位寄存器包括：移位寄存器本体；栅极驱动信号输出端；直流测试信号写入端；以及，直流灌入测试控制单元，分别与所述移位寄存器本体的输出端、所述栅极驱动信号输出端和所述直流测试信号写入端连接，用于在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，并控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体。2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述直流灌入测试控制单元还用于在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端，并控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接。3.如权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，还包括：直流灌入测试控制端；所述直流灌入测试控制单元包括：第一控制模块，分别与所述栅极驱动信号输出端、所述直流测试信号写入端和所述直流灌入测试控制端连接，用于在所述直流灌入测试控制端的控制下，在直流灌入测试阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端连接，在栅极驱动信号输出阶段控制所述直流测试信号写入端与所述栅极驱动信号输出端不连接；以及，第二控制模块，分别与所述移位寄存器本体的输出端和所述栅极驱动信号输出端连接，用于在直流灌入测试阶段控制由所述直流测试信号写入端写入的直流测试电压信号不能耦合到所述移位寄存器本体，在栅极驱动信号输出阶段控制所述移位寄存器本体的输出端输出的栅极驱动信号输出至所述栅极驱动信号输出端。4.如权利要求3所述的移位寄存器，其特征在于，还包括：工作控制端；所述第二控制模块还与所述工作控制端连接，具体用于在所述工作控制端的控制下，在直流灌入测试阶段控制所述移位寄存器本体的输出端和所述栅极驱动信号输出端不...

【专利技术属性】
技术研发人员：李云泽，杨妮，李少茹，齐智坚，陈帅，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11