一种高可靠性交流电子开关制造技术

本实用新型专利技术一种高可靠性交流电子开关，包括MOSFET器件组和IGBT器件组，MOSFET器件组为两个MOSFET器件串联而成，两个MOSFET器件的源极相连，其特征在于：IGBT器件组为两个IGBT器件串联而成，两个IGBT器件的发射极相连，MOSFET器件组与IGBT器件组之间并联连接，MOSFET器件组的漏极与IGBT器件组的集电极相连，且均接入交流电源的输入端，MOSFET器件组的数量至少为一组，IGBT器件组的数量至少为一组；本实用新型专利技术电子开关将一组或多组MOSFET器件用IGBT器件代替，由于IGBT器件的通流能力强，且关断速度慢，关断时可以实现对MOSFET器件的保护，有效提高交流电子开关的可靠性。

High reliability AC electronic switch

The utility model relates to a high reliability AC electronic switch devices, including MOSFET group and IGBT group MOSFET series devices, devices into two MOSFET devices, two MOSFET devices connected to the source electrode, which is characterized in that: the IGBT device series into two IGBT devices, two IGBT emitter devices connected to the parallel connection between the MOSFET device and IGBT device group group, MOSFET group and IGBT device drain device group is connected to the collector, and the input of AC power supply, the number of MOSFET devices were at least as a group, the number of IGBT components at least one group; the utility model is a set of electronic switch or more sets of MOSFET devices with IGBT devices instead of IGBT devices because of the flow ability, and turn off speed slow, shutdown can be achieved to protect MOSFET devices, effectively improve the reliability of AC electronic switch.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种交流电子开关，尤其一种高可靠性的交流电子开关，属于电子产品制造

技术介绍
如图1所示，为交流电子开关典型的应用电路图，电子开关设置在交流电源AC和负载之间。目前，交流电子开关为多组MOSFET器件并联组成，如图2所示，每组MOSFET器件均为两个MOSFET元件串联而成，现有交流电子开关由于关断延迟，导致关断时每组MOSFET器件的关断速度不同，且关断时流过每组MOSFET器件的电流存在差异，这样容易导致MOSFET器件损坏，影响整个电路的正常工作。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点，提出一种高可靠性的交流电子开关，该电子开关将一组或多组MOSFET器件用IGBT器件代替，由于IGBT器件的通流能力强，且关断速度慢，关断时可以实现对MOSFET器件的保护，有效提高交流电子开关的可靠性。为实现以上技术目的，本技术的技术方案是：一种高可靠性交流电子开关，包括MOSFET器件组和IGBT器件组，所述MOSFET器件组为两个MOSFET器件串联而成，两个MOSFET器件的源极相连，其特征在于：所述IGBT器件组为两个IGBT器件串联而成，两个IGBT器件的发射极相连，所述MOSFET器件组与IGBT器件组之间并联连接，所述MOSFET器件组的漏极与IGBT器件组的集电极相连，且均接入交流电源的输入端。进一步地，所述MOSFET器件组的数量至少为一组，所述IGBT器件组的数量至少为一组。进一步地，所述MOSFET器件组和IGBT器件组的数量可根据实际应用电路的电流大小进行增减。进一步地，多组MOSFET器件组和多组IGBT器件组的栅极相连，且施加正向电压，所述正向电压大于器件开启电压时，MOSFET器件组和IGBT器件组导通。从以上描述可以看出，本技术的有益效果在于：（1）本技术电子开关将一组或多组MOSFET器件组用IGBT器件组代替，由于IGBT器件的Rdon较小，开关关断瞬间，可以承受较大电流流过，致使流过MOSFET器件的电流变小，可以实现对MOSFET器件的保护；（2）由于IGBT器件关断速度慢，避免瞬间电流过大发生烧熔现象，可以有效提高交流电子开关的可靠性；（3）用IGBT器件代替MOSFET器件不增加电子开关的成本。附图说明图1为交流电子开关典型的应用电路图。图2为现有交流电子开关的电路图。图3为本技术交流电子开关的电路图。附图说明：1-MOSFET器件组、2-IGBT器件组。具体实施方式下面结合具体附图和实施例对本技术作进一步说明。所述MOSFET器件有栅极、源极和漏极，所述IGBT器件有栅极、发射极和集电极，此为本
人员所熟知，此处不再赘述。根据附图3所述，一种高可靠性交流电子开关，包括MOSFET器件组1和IGBT器件组2，所述MOSFET器件组1为两个MOSFET器件串联而成，两个MOSFET器件的源极相连，其特征在于：所述IGBT器件组2为两个IGBT器件串联而成，两个IGBT器件的发射极相连，所述MOSFET器件组1与IGBT器件组2之间并联连接，所述MOSFET器件组1的漏极与IGBT器件组2的集电极相连，且均接入交流电源的输入端,所述MOSFET器件组1的数量至少为一组，所述IGBT器件组1的数量至少为一组，所述MOSFET器件组1和IGBT器件组2的数量可根据实际应用电路的电流大小进行增减。多组MOSFET器件组1和多组IGBT器件组2的栅极相连，且施加正向电压，所述正向电压大于器件开启电压时，MOSFET器件组1和IGBT器件组2导通。本技术的特点之一在于，该电路将一组或多组MOSFET器件组1用IGBT器件组2代替，原因是：根据IGBT器件的特性，其导通电阻Rdon较MOSFET器件小，当电路关断瞬间，IGBT器件组2能承受更大的电流，使流经MOSFET器件组1的电流减小，起到保护MOSFET器件组的作用，同时由于IGBT器件关断的速度较慢，防止了瞬间大电流对器件的损坏，可以有效提高交流电子开关的可靠性。本技术的特点之二在于，MOSFET器件组1和IGBT器件组2的数量可根据实际应用电路的电流大小进行增减，当应用电路正常导通时，电子开关中IGBT器件的导通损耗为饱和压降Vce*Id的积分（Vce＞2V），而MOSFET器件的导通损耗为Rdon*Id，当应用电路工作为小电流时，IGBT器件的导通损耗可能超越MOSFET器件，当应用电路工作为大电流时，IGBT器件的导通损耗与MOSFET器件差异不大，所以小电流情况下，电子开关中IGBT器件组2的数量要进行减少，相应MOSFET器件组1的数量进行增加，大电流情况下，电子开关中IGBT器件组2的数量要进行增加，相应的MOSFET器件组1的数量进行减少。以上对本技术及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高可靠性交流电子开关，包括MOSFET器件组（1）和IGBT器件组（2），所述MOSFET器件组（1）为两个MOSFET器件串联而成，两个MOSFET器件的源极相连，其特征在于：所述IGBT器件组（2）为两个IGBT器件串联而成，两个IGBT器件的发射极相连，所述MOSFET器件组（1）与IGBT器件组（2）之间并联连接，所述MOSFET器件组（1）的漏极与IGBT器件组（2）的集电极相连，且均接入交流电源的输入端。

【技术特征摘要】
1.一种高可靠性交流电子开关，包括MOSFET器件组（1）和IGBT器件组（2），所述MOSFET器件组（1）为两个MOSFET器件串联而成，两个MOSFET器件的源极相连，其特征在于：所述IGBT器件组（2）为两个IGBT器件串联而成，两个IGBT器件的发射极相连，所述MOSFET器件组（1）与IGBT器件组（2）之间并联连接，所述MOSFET器件组（1）的漏极与IGBT器件组（2）的集电极相连，且均接入交流电源的输入端。2.根据权利要求1所述的一种高可靠性交流电子开关，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：白玉明，吴鹤松，张海涛，
申请(专利权)人：无锡同方微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32