处理装置、喷嘴及切割装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种处理装置、喷嘴及切割装置。实施方式的处理装置包括：能够载置样品的平台，使平台旋转的旋转机构，对样品喷射物质的喷嘴，使平台与喷嘴沿与平台的旋转轴垂直的方向相对移动的移动机构，以及对移动机构进行控制的控制部。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2014-231876号(申请日：2014年11月14日)/日本专利申请案2014-231877号(申请日：2014年11月14日)及日本专利申请案2015-6812号(申请日：2015年1月16日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照这些基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种处理装置、喷嘴及切割装置。
技术介绍
形成于晶圆等半导体衬底上的多个半导体元件通过沿着设置于半导体衬底的切割区域进行切割，而分割为多个半导体芯片。当在半导体衬底的一面形成着成为半导体元件的电极的金属膜或芯片黏接膜等树脂膜时，需要在切割时将切割区域的金属膜或树脂膜去除。作为将金属膜或树脂膜去除的方法，例如有利用刀片切割将半导体衬底与金属膜或树脂膜同时去除的方法。该情况下，在金属膜或树脂膜容易产生突起(毛边)等形状异常。如果产生金属膜或树脂膜的形状异常，则判定为半导体芯片的外观检查不良，或产生底面与半导体芯片的接合不良，由此制品良率降低，而出现问题。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够抑制形状异常的发生的处理装置、喷嘴及切割装置。实施方式的处理装置包括：能够载置样品的平台，使所述平台旋转的旋转机构，对所述样品喷射物质的喷嘴，使所述平台与所述喷嘴沿与所述平台的旋转轴垂直的方向相对移动的移动机构，以及对所述移动机构进行控制的控制部。附图说明图1A、1B是第一实施方式的处理装置的示意图。图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G是表示第一实施方式的器件的制造方法的示意工序剖面图。图3A、3B是第二实施方式的处理装置的作用的说明图。图4A、4B是第三实施方式的处理装置的示意图。图5是第四实施方式的处理装置的示意图。图6是第五实施方式的处理装置的示意图。图7是第六实施方式的处理装置的示意图。图8是第七实施方式的处理装置的示意图。图9是第八实施方式的处理装置的示意图。图10是第九实施方式的处理装置的示意图。图11A、11B是第十实施方式的处理装置的示意图。图12A、12B、12C、12D、12E、12F、12G是表示第十实施方式的器件的制造方法的示意工序剖面图。图13是第十一实施方式的处理装置的示意图。图14是第十二实施方式的处理装置的示意图。图15是第十三实施方式的处理装置的示意图。图16A、16B是第十四实施方式的处理装置的示意图。图17是第十五实施方式的处理装置的示意图。图18是第十六实施方式的处理装置的示意图。图19是第十七实施方式的处理装置的示意图。图20是第十八实施方式的切割装置的框图。图21是第十八实施方式的切割单元的示意图。图22A、22B是第十八实施方式的处理单元的示意图。图23A、23B、23C是表示第十八实施方式的切割方法的示意工序剖面图。图24是第十九实施方式的切割装置的框图。图25是第十九实施方式的树脂片更换单元的示意图。图26A、26B、26C、26D是表示第十九实施方式的切割方法的一例的示意工序剖面图。图27A、27B、27C、27D、27E是表示第十九实施方式的切割方法的另一例的示意工序剖面图。图28是第二十实施方式的切割装置的框图。图29A、29B是第二十一实施方式的处理单元的示意图。图30A、30B是第二十二实施方式的处理单元的作用的说明图。图31A、31B是第二十三实施方式的处理单元的示意图。图32是第二十四实施方式的处理单元的示意图。图33是第二十五实施方式的处理单元的示意图。图34是第二十六实施方式的处理单元的示意图。图35是第二十七实施方式的处理单元的示意图。图36A、36B是第二十八实施方式的处理单元的示意图。图37是第二十九实施方式的处理单元的示意图。图38是第三十实施方式的处理单元的示意图。图39是第三十一实施方式的处理单元的示意图。图40A、40B是第三十二实施方式的处理单元的示意图。图41是第三十三实施方式的处理单元的示意图。图42是第三十四实施方式的处理单元的示意图。图43是第三十五实施方式的切割单元的示意图。具体实施方式以下，一边参照附图一边对本专利技术的实施方式进行说明。另外，以下的说明中，对同一及类似的构件等附上相同的符号，关于已说明的构件等适当省略其说明。(第一实施方式)本实施方式的处理装置包括：能够载置样品的平台，使平台旋转的旋转机构，对样品喷射物质的喷嘴，使平台与喷嘴沿与平台的旋转轴垂直的方向相对移动的移动机构，以及对移动机构进行控制的控制部。本实施方式的处理装置包括：能够载置样品的平台，以及对样品喷射将设置在样品的金属膜或树脂膜去除的物质而将样品分离的喷嘴。本实施方式的处理装置例如为半导体衬底的切割中使用的半导体制造装置。例如，用于将设置于半导体衬底的一面而成为半导体元件的电极等的金属膜在切割时去除的情况。而且，本实施方式中，以对金属膜喷射的物质为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。另外，所谓含有二氧化碳的粒子(以下也仅记述为二氧化碳粒子)为以二氧化碳为主成分的粒子。除二氧化碳外，例如也可含有不可避免的杂质。图1A、1B是本实施方式的处理装置的示意图。图1A是包含装置的剖面结构的示意图，图1B是平台的俯视图。本实施方式的半导体制造装置包括平台10、支撑轴12、旋转机构14、喷嘴16、移动机构18、控制部20、及处理室22。平台10构成为能够载置要进行处理的样品W。平台10例如载置半导体晶圆，该半导体晶圆粘附在固定于切割框架的切割片上。平台10固定于支撑轴12。旋转机构14使平台10旋转。旋转机构14例如具备电动机、及能够旋转地保持支撑轴12的轴承。利用旋转机构14，平台10以旋转轴C为中心进行旋转。从喷嘴16喷射将金属膜去除的二氧化碳粒子。通过喷射二氧化碳粒子而将金属膜去除，例如样品W被分离。二氧化碳粒子为固体状态的二氧化碳。二氧化碳粒子为所谓的干冰。二氧化碳粒子的形状例如为微粒状、粉末状、球状或不定形状。喷嘴16例如连接于未图示的液化碳酸气体的储气瓶。利用隔热膨胀将储气瓶内的液化碳酸气体固体化，而生成二氧化碳粒子。喷嘴16例如连接于未图示的氮气的供给源。从喷嘴16将所生成的二氧化碳粒子，例如与氮气一起朝向载置于平台10的样品W喷射。喷嘴16的直径例如为φ1mm以上且φ3mm以下。而且，喷嘴16与样品W的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理装置，其特征在于包括：平台，能够载置样品；旋转机构，使所述平台旋转；喷嘴，对所述样品喷射物质；移动机构，其使所述平台与所述喷嘴沿与所述平台的旋转轴垂直的方向相对移动；以及控制部，对所述移动机构进行控制。

【技术特征摘要】
2014.11.14 JP 2014-231877;2014.11.14 JP 2014-231871.一种处理装置，其特征在于包括：
平台，能够载置样品；
旋转机构，使所述平台旋转；
喷嘴，对所述样品喷射物质；
移动机构，其使所述平台与所述喷嘴沿与所述平台的旋转轴垂直的方向相对移
动；以及
控制部，对所述移动机构进行控制。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述控制部以所述喷嘴距所述平台的旋转轴的距离越大，使所述相对移动的速
度越慢的方式进行控制。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述喷嘴相对于所述平台的表面具有小于90度的倾斜角。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于还包括倾斜机构，使所述喷嘴的相对于所
述平台的表面的倾斜角发生变化。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：
所述物质为含有二氧化碳的粒子。
6.一种处理装置，其特征在于包括：
平台，能够载置样品；以及
喷嘴，对所述样品喷射将设置在所述样品的金属膜或树脂膜去除的物质，而将
所述样品分离。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：
所述物质为含有二氧化碳的粒子。
8.一种喷嘴，其特征在于：对样品喷射将设置在所述样品的金属膜或树脂膜去除的物
质，而将所述样品分离。
9.根据权利要求8所述的喷嘴，其特征在于：
所述物质为含有二氧化碳的粒子。
10.一种处理装置，其特征在于包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：鹰野正宗，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP