【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及浪涌电流抑制电路。
技术介绍
1、以往，作为电力变换电路中的开关元件之一，已知有将gan－n沟道mos晶体管与p沟道ldmos晶体管串联连接的结构。
2、在上述结构中，在施加主电路电源的电压后，在作为栅极驱动器及uvlo等的电源的绝缘电源起动之前的期间中，从主电路电源仅得到为了维持gan－n沟道mos晶体管的断开状态及p沟道ldmos晶体管的断开状态所需要的电路的待机电力。
3、因而，必然经过gan－n沟道mos晶体管进行电容充电，产生经过连接在gan－n沟道mos晶体管的栅极与p沟道ldmos晶体管的漏极之间的二极管的电流。
4、由于该电流值，不得不选择额定值较大的二极管，所以端子间电容也变大等，在电路特性上出现影响。
5、所以，希望提供能够抑制浪涌电流并且能够抑制对于电路特性的影响的浪涌电流抑制电路。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的课题是提供一种能够抑制浪涌电流并且能够抑制对于电路特性的影响的浪涌电流抑制电路。
2、本实施方式的浪涌电流抑制电路具备：常态导通型晶体管；常态断开型晶体管，与上述常态导通型晶体管串联地连接；第1驱动电路，驱动上述常态导通型晶体管；第2驱动电路，驱动上述常态断开型晶体管；二极管，连接在上述第1驱动电路的输出与上述常态断开型晶体管的输出端子之间；第1电源平滑电路，进行向上述第1驱动电路及上述第2驱动电路供给的电源电流的平滑化；以及开关电路，切换经由上述第1电源平滑电
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2.如权利要求1所述的浪涌电流抑制电路，其特征在于，
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【技术特征摘要】
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