框架、组合式基板下罩框和处理腔室制造技术

在本文中，公开了一种用于处理腔室的组合基板下罩框。在一个实施例中，所述框架具有两个较短主体以及配置成与短框对接以形成矩形形状的两个较长主体，其中所述两个较长主体中的每个包括两个或更多个区段，并且至少一或多个区段具有形成升降杆孔至少一部分的缺口。

Frame, combined substrate lower cover frame and processing chamber

In this paper, a composite substrate lower cover frame for processing a chamber is disclosed. In one embodiment, the frame has two shorter body and configured to docking with the short frame to form a rectangular shape of the two long body, each of which is two longer the main body includes two or more sections, and at least one or more segment with the formation of a lifting rod hole at least a portion of the gap.

【技术实现步骤摘要】

本文所公开的实施例大体涉及用于在工艺腔室中在基板或晶片上制造薄膜的设备。
技术介绍
液晶显示器或平板常用于有源矩阵显示器，诸如，计算机、电视机、以及其他监视器。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)用于在基板(诸如，用于平板显示器的半导体晶片或透明基板)上沉积薄膜。一般来说，PEVCD通过将前体气体或气体混合物引入容纳有基板的真空腔室中来实现。前体气体或气体混合物通常被向下引导而穿过位于处理腔室的顶部附近的分布板。通过将功率(诸如，射频(RF)功率)从耦接至电极的一个或多个功率源施加至处理腔室中的电极来将处理腔室中的前体气体或气体混合物激励(例如，激发)成等离子体。受激发的气体或气体混合物进行反应以将材料层形成在基板的表面上。该层可以是例如，钝化层、栅极绝缘层、缓冲层和/或蚀刻停止层。该层可以是较大结构的部分，该较大的部分诸如例如，显示器件中使用的薄膜晶体管(TFT)或有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。通过PECVD技术来处理的平板通常是大的。例如，平板可以超过4平方米。随着平板基板尺寸继续增长，外缘处的膜质量成为问题。通常在PECVD中使用遮蔽框(shadowframe)来保护基板支撑件免受等离子体影响。然而，由于遮蔽框覆盖了基板的最外边缘，因此遮蔽框：1)使得边缘排除(edgeexclusion；EE)增加3mm至5mm；以及2)不利地影响基板的周缘/边缘区域附近的膜沉积。用于改善边缘均匀性并增加基板的可用区域的方式是消除遮蔽框。然而，当消除遮蔽框时，基板支撑件表面的周缘区域会被暴露于等离子体。使周缘区域暴露会导致在基板的边缘区域处的较高的沉积速率。另外，在升降杆接触基板表面的区域中，升降杆产生不均匀(或缺少均匀性)，从而减少了可用的基板区域。
技术实现思路
因此，本技术的目的是增加由PECVD技术处理的基板的基板利用率。本文中公开了一种用于处理腔室的组合式基板下罩框(multi-pieceundersubstratecoverframe)。在一个实施例中，框架具有两个短主体以及两个长主体，所述两个长主体配置成与短框对接以形成矩形形状，其中，两个长主体中的每一个长主体包括两个或更多个区段，并且所述区段中的至少一个区段具有缺口，所述缺口形成升降杆孔的至少部分。在另一实施例中，一种组合式基板下罩框具有成形为矩形框架的主体。所述主体具有内主体边缘以及外主体边缘，其中，所述内主体边缘对所述矩形框架的孔定界(bound)。所述主体包括多个区段，所述多个区段配置成被布置在所述主体的所述矩形框架形状中。每一个区段具有内区段边缘，其中，所述内区段边缘形成所述主体的内边缘。每一个区段还具有与所述内区段边缘相对的外区段边缘、与所述内区段边缘相邻的第一端以及与所述第一端相对的第二端，其中，所述第一端在形状上与所述第二端互补，并且其中，相邻区段的第一端和第二端形成膨胀接头(expansionjoint)。每一个区段另外具有装配元件。所述区段中的至少4个区段具有形成在所述内区段边缘上的缺口，其中，所述缺口和所述装配元件在从内区段垂直延伸的假想线上对准。在又一实施例中，处理腔室具有多个壁、底部和盖。所述多个壁、所述底部和所述盖限定内部容积。具有升降杆的基板支撑件设置在所述内部容积中。所述基板支撑件具有组合式基板下罩框。所述框架具有两个短主体以及配置成与短框对接以形成矩形形状的两个长主体，其中，所述两个长主体中的每一个长主体包括两个或更多个区段，并且所述区段中的至少一个区段具有缺口，所述缺口形成升降杆孔的至少部分。有利的是，可考虑到基板下罩框的热膨胀，并可防止该基板下罩框对升降杆干扰。升降杆可有利地放置成更靠近基板的边缘，从而允许基板具的更多可使用区域。另外，组合式基板下罩框允许利用旧式(legacy)升降杆位置并且向内地来使用基板下罩框。组合式基板下罩框中的缺口允许升降杆与该组合式基板下罩框之间的重叠，并且使得高温下因热膨胀而造成的不对准最小化。有利的是，通过在升降杆位置中移动，并且使由基板上的不均匀性而造成的缺陷的总面积最小化，基板利用率将增加。附图说明因此，为了可详细地理解本技术的上述特征的方式，可以参照实施例来进行对上文简要概述的本技术的更特定的描述，在所附附图中示出实施例中的一些。然而，应当注意，所附附图仅示出本技术的典型实施例，并且因此不应被视为对本技术范围的限制，因为本技术可允许其他等效实施例。图1是具有气体限制器(confiner)组件的工艺腔室的一个实施例的示意性横截面图。图2是设置在图1的基板支撑件上的基板下罩框的俯视图。图3是图2中所示的基板下罩框的穿过剖面线3-3截得的横截面图。图4是图2中所示的基板下罩框的穿过剖面线4-4截得的横截面图。图5是基板下罩框的另一实施例的横截面侧视图。图6是图5的基板下罩框的仰视图。图7是图5的基板下罩框的主视图。为了便于理解，在可能的情况下，已使用完全相同的元件符号来指定各图所共有的完全相同的元件。构想了一个实施例的元件和特征可有利地并入其他实施例，而无需进一步叙述。具体实施方式本公开大体涉及一种基板下罩框，所述基板下罩框被设计成用于减小基板的边缘区域上的高沉积速率。所述基板下罩框可与非遮蔽框(non-shadowframe)基板支撑件一起使用，并且可与或可不与气体限制器(gasconfiner)一起使用。所述基板下罩框包括基部和罩盖。所述罩盖可具有低阻抗/电容。在一些实施例中，所述基部可具有低阻抗/电容。在处理期间，所述基板下罩框的部分可在所述基板的下方延伸。虽然不受理论限制，但人们相信，所述低阻抗罩盖可通过减小基板支撑件的边缘处的阻抗失配来改善膜沉积均匀性。下文中参考配置成用于处理大面积基板的PECVD系统来说明性地描述本文的实施例，所述PECVD系统诸如，可从加利福尼亚州圣克拉拉市的美国AKT公司(AKTAmerica,Inc.)获得的PECVD系统，所述AKT公司是应用材料公司(AppliedMaterials,Inc.)的子公司。然而，应当理解，所公开的主题也可应用于其他系统配置，诸如，蚀刻系统、其他化学气相沉积系统、以及其他等离子体处理系统。还应理解，可以使用其他由制造商提供的工艺腔室来实践本文中所公开的实施例。图1是用于形成电子器件(诸如，TFT和AMOLED)的处理腔室100的一个实施例的示意性横截面图。处理腔室100是PECVD腔室。如图所示，处理腔室100包括壁102、底部104、扩散器110以及基板支撑件130。壁102、底部104和扩散器110共同限定工艺容积106，并且基板支撑件130在该工艺容积106中。通过穿过壁102而形成的可密封狭缝阀开口108来进出工艺容积106，使得基板105可被传送进和传送出处理腔室100。在一个实施例中，基板105为1850mm×1500mm。在其他实施例中，基板105可以具有不同尺寸。在周缘处，由联轴器(coupling)114将扩散器110联接至背板112。扩散器110还可通过一个或多个中心支撑件116联接至背板112，以有助于防止下垂和/或控制扩散器110的平直度/曲率。气源120耦接至背板112。气源120可通过形成在扩散器110中的多条气体通路1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在真空处理腔室的基板支撑件上使用的框架，所述基板支撑件具有用于接收升降杆的升降杆孔，所述框架包括：两个短主体；以及两个长主体，所述两个长主体配置成与短框对接以形成矩形形状，其中，所述两个长主体中的每一个长主体包括两个或更多个区段，并且所述区段中的至少一个区段具有缺口，所述缺口形成升降杆孔的至少部分。

【技术特征摘要】
2015.07.03 US 62/188,5681.一种在真空处理腔室的基板支撑件上使用的框架，所述基板支撑件具有用于接收升降杆的升降杆孔，所述框架包括：两个短主体；以及两个长主体，所述两个长主体配置成与短框对接以形成矩形形状，其中，所述两个长主体中的每一个长主体包括两个或更多个区段，并且所述区段中的至少一个区段具有缺口，所述缺口形成升降杆孔的至少部分。2.根据权利要求1所述的框架，其特征在于，所述区段的长度是类似或变化的。3.根据权利要求1所述的框架，其特征在于，所述缺口具有大于所述升降杆的头部直径的一半的深度。4.根据权利要求1所述的框架，其特征在于，所述区段进一步包括：内区段边缘，其中所述内区段边缘形成所述长主体和述短主体的内边缘；外区段边缘，所述外区段边缘与所述内区段边缘相对；第一端，所述第一端与所述内区段边缘相邻；第二端，所述第二端与所述第一端相对，其中，所述第一端在形状上与所述第二端是互补的，并且其中，相邻区段的第一端和第二端形成膨胀接头。5.根据权利要求4所述的框架，其特征在于，所述膨胀接头是搭接接头，并且在所述第二端处的搭接接头的肩部配置成与在所述第一端处的搭接接头的止回部重叠。6.根据权利要求4所述的框架，其特征在于，每一个区段进一步包括：装配元件，其中，每一个装配元件可包括孔口平面或埋头孔，所述孔口平面或埋头孔形成在所述区段中，并且用于使紧固件的头部凹进至所述区段的顶表面下方。7.根据权利要求6所述的框架，其特征在于，所述装配元件与所述缺口以及所述框架的中心对准，或与所述内区段边缘的垂线对准。8.一种组合式基板下罩框，所述组合式基板下罩框包括：主体，所述主体被成形为矩形框架，所述矩形框架具有内主体边缘以及外主体边缘，其中所述内主体边缘对所述矩形框架的孔定界，其中所述主体包括：多个区段，所述多个区段配置成被布置在所述主体的所述矩形框架形状中，其中，每一个区段包括：内区段边缘，其中所述内区段边缘形成所述主体的内边缘；外区段边缘，所述外区段边缘与所述内区段边缘相对；第一端，所述第一端与所述内区段边缘相邻；第二端，所述第二端与所述第一端相对，其中，所述第一端在形状上与所述第二端是互补的，并且其中，相邻区段的第一端和第二端形成膨胀接头；以及装配元件；并且其...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·李，R·L·蒂娜，J·M·怀特，W·N·斯特林，崔寿永，赵来，王大鹏，古田学，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US