半导体激光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种将半导体激光装置中的各种部件，特别是波长转换部的位置偏移控制在最小限度而可靠地被固定的半导体激光装置。该半导体激光装置具有基部(11)；半导体激光元件(12)；设置于基部的上方并在设置于其上方的凹部(13D)的底部具有贯通孔(13C)的盖部(13)；配置于凹部并在盖部的贯通孔的上方具有直径比盖部的贯通孔小的贯通孔(14C)且具有与盖部不同的热膨胀系数的保持部(14)；保持于保持部的贯通孔的波长转换部(15)；以及固定于盖部并按压保持部的上表面的按压部(16)，凹部的侧面与保持部的侧面分离，在凹部的侧面与保持部的侧面之间的至少一部分配置有缓冲件(17)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光装置。
技术介绍
以往，提出有将半导体激光元件和波长转换部组合而得的半导体激光装置的方案，波长转换部配置于半导体激光元件的上方。在日本特开2008-147289号公报中，为了防止波长转换部掉落，而通过卡止部件将波长转换部以按压于封装的状态固定。然而，现有的半导体激光装置因各部件的材料所引起的热膨胀系数的差异而存在产生保持部的位置偏移的担忧。因此，本专利技术以抑制保持部的位置偏移为课题。
技术实现思路
本专利技术的一个实施方式的半导体激光装置的特征在于，具备：基部；半导体激光元件，其设置于上述基部的上方；盖部，该盖部设置于上述基部的上方，收容上述半导体激光元件，并具有设置于该盖部的上表面的凹部以及设置于该凹部的底部的贯通孔；保持部，其配置于上述凹部，在上述盖部的贯通孔的上方具有直径比上述盖部的贯通孔小的贯通孔，并具有与上述盖部不同的热膨胀系数；波长转换部，其保持于上述保持部的贯通孔；以及按压部，其固定于上述盖部，并按压上述保持部的上表面，上述凹部的侧面与上述保持部的侧面分离，在上述凹部的侧面与上述保持部的侧面之间的至少一部分配置有缓冲件。根据本专利技术的一个实施方式的半导体激光装置，能够抑制保持部的位置偏移，将来自半导体激光元件的光可靠地照射至波长转换部。附图说明图1A是示出本专利技术的半导体激光装置的一个实施方式的示意剖视图(图1B的X-X’线的剖视图)。图1B是示出图1A的半导体激光装置中的盖部、保持部、波长转换部以及缓冲件的俯视图。图1C是示出图1A的半导体激光装置中的盖部、保持部、波长转换部、按压部以及缓冲件的示意放大图。图1D是示出图1C中的盖部、保持部、按压部以及缓冲件的进一步的放大图。图2是示出缓冲件的配置的一个例子的俯视图。图3A是示出本专利技术的另一实施方式的半导体激光装置中的盖部、保持部、波长转换部、按压部以及缓冲件的示意放大图。图3B是示出图3A中的盖部、保持部、按压部以及缓冲件的进一步的放大图。符号说明10…半导体激光装置；11…基部；12…半导体激光元件；13…盖部；13A…第一盖部；13B、33B…第二盖部；13C…贯通孔；13D、33D…凹部；13E…下表面；13F…上表面；13G…台阶；14…保持部；14C…贯通孔；15…波长转换部；16…按压部；16A…按压上表面的部位；16B…被固定的部位；17…缓冲件；18…槽；19…辅助支架；20…透镜；21…导线。具体实施方式以下，适当参照附图对专利技术的实施方式进行说明。其中，以下说明的半导体激光装置是为了使本专利技术的技术思想具体化而进行说明的，只要没有特别的记载，本专利技术就不限于以下内容。并且，在一个实施方式中说明的内容也能够适用于其他的实施方式。各附图所示的部件的大小、位置关系等为了使说明变得明确而存在夸张的情况。实施方式1如图1A～图1D所示，该实施方式的半导体激光装置10具有：基部11；半导体激光元件12，其设置于基部11的上方；盖部13，其设置于基部11的上方，收容半导体激光元件12，并具有设置于盖部13的上表面的凹部13D及设置于凹部13D的底部的贯通孔13C；保持部14，其配置于凹部13D，在盖部13的贯通孔13C的上方具有直径比盖部13的贯通孔13C小的贯通孔14C，并具有与盖部13不同的热膨胀系数；波长转换部15，其保持于保持部14的贯通孔14C；以及按压部16，其固定于盖部13，并按压保持部14的上表面。凹部13D的侧面与保持部14的侧面分离。并且，在凹部13D的侧面与保持部14的侧面之间的至少一部分配置有缓冲件17。近年来，在半导体激光装置中，为了射出高强度的光，而采取了各种散热对策。特别是，直接被照射激光而发热的波长转换部需要被散热性良好的保持部包围，来提高散热性。此时，保持波长转换部的保持部需要不仅考虑来自波长转换部的散热(heatdissipation)还考虑光的提取来选择材料。与此相对，由于固定保持部的盖部不需要考虑光的提取，因此保持部与盖部有时由不同的材料形成。在这种情况下，需要考虑盖部及保持部的物质固有的热膨胀系数的差异，在凹部的侧面与保持部的侧面设置间隙。这样的保持部在制造半导体激光装置时被按压部固定于在盖部设置的凹部，但根据半导体激光装置的驱动状况等，保持部及盖部反复膨胀及收缩，从而存在产生保持部的位置偏移(向图1A的左右方向的偏移)的情况。因此，存在无法将来自半导体激光元件的光入射至波长转换部的担忧。因此，在本实施方式中，在设置于盖部的凹部的侧面与保持部的侧面之间的至少一部分配置缓冲件。由此，能够抑制保持部的位置偏移，因此能够将来自半导体激光装置的光可靠地照射至波长转换部。并且，充分缓和半导体激光装置的驱动、使用环境等所引起的各种部件的热膨胀/收缩，而能够抑制盖部、保持部的破损。特别是，由于近年来的半导体激光装置的车载用的应用，要求更高输出，相对于因与此相伴的驱动状况而在波长转换部产生的热，也能够抑制保持部的位置偏移。〔盖部13〕如图1A所示，盖部13在半导体激光装置10中设置于后述的基部11的上方。在使用了振荡峰值波长在320～530nm的范围内的短波长的半导体材料的半导体激光元件中，由于能量较高且光密度较高，所以容易收集有机物。因此，通常包围半导体激光装置，提高激光装置内的气密性，而提高防尘性。在本实施方式中，盖部13具有包围半导体激光元件12的第一盖部13A以及配置于第一盖部13A上的第二盖部13B，但第一盖部13A与第二盖部13B也可以一体地形成。在本实施方式中，如图1A所示，以第二盖部13B被固定于第一盖部13A的规定位置的方式使两者一体化。如本实施方式那样，通过分体形成盖部13并一体化，能够边进行贯通孔14C与来自半导体激光元件12的激光的焦点的对位边形成盖部13，因此能够将激光可靠地入射至波长转换部15。如图1A所示，盖部13在其上表面具备凹部13D。并且，盖部13具备用于使从半导体激光元件12射出的光通过的贯通孔13C。贯通孔13C配置于在盖部13的大致中央形成的凹部13D的底部。在本实施方式中，凹部13D设置于第二盖部13B。贯通孔13C配置于凹部13D的大致中央。贯通孔13C的大小例如能够列举0.2mm～3.5mm。贯通孔13C可以在第一盖部的厚度方向上具有恒定的直径，也可以呈从下方朝向上方缩窄的形状。在本实施方式中，形成为从下方朝向上方缩窄的形状。因此，能够不遮挡激光而确保盖部13与保持部14的连接面积，所以容易使在波长转换部15产生的热向盖部13扩散。盖部13的材料虽不被特别限定，但优选为由金属构成，例如，优选使用能够进行相对于后述的基部11的固定、特别是焊接的材料。例如能够构成为包含从由Ni、Cu、Co、Al、Fe构成的组中选择的一种。尤其，优选由以Fe为主要成分的材料构成，更加优选由不锈钢、可伐合金、Fe-Ni合金、Fe等构成。在本申请中，焊接是指两个部件的接合部分具有连续性地被一体化。第一盖部13A可以由与第二盖部13B相同的材料形成，也可以由不同的材料形成。优选，第一盖部13A与第二盖部13B由以铁为主要成分的材料形成。如此，能够将第一盖部13A与第二盖部13B可靠地固定。盖部13的形状例如能够列举有底的筒形(圆柱或多棱柱等)、锥台形(圆锥台或多棱锥本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置，其特征在于，具有：基部；半导体激光元件，其设置于所述基部的上方；盖部，该盖部设置于所述基部的上方，收容所述半导体激光元件，并具有设置于该盖部的上表面的凹部以及设置于该凹部的底部的贯通孔；保持部，其配置于所述凹部，在所述盖部的贯通孔的上方具有直径比所述盖部的贯通孔小的贯通孔，并具有与所述盖部不同的热膨胀系数；波长转换部，其保持于所述保持部的贯通孔；以及按压部，其固定于所述盖部，并按压所述保持部的上表面，所述凹部的侧面与所述保持部的侧面分离，在所述凹部的侧面与所述保持部的侧面之间的至少一部分配置有缓冲件。

【技术特征摘要】
2015.08.28 JP 2015-1691171.一种半导体激光装置，其特征在于，具有：基部；半导体激光元件，其设置于所述基部的上方；盖部，该盖部设置于所述基部的上方，收容所述半导体激光元件，并具有设置于该盖部的上表面的凹部以及设置于该凹部的底部的贯通孔；保持部，其配置于所述凹部，在所述盖部的贯通孔的上方具有直径比所述盖部的贯通孔小的贯通孔，并具有与所述盖部不同的热膨胀系数；波长转换部，其保持于所述保持部的贯通孔；以及按压部，其固定于所述盖部，并按压所述保持部的上表面，所述凹部的侧面与所述保持部的侧面分离，在所述凹部的侧面与所述保持部的侧面之间的至少一部分配置有缓冲件。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，所述缓冲件由杨氏模量比所述盖部及所述保持部小的材料构成。3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其中，所述缓冲件由树脂或共晶焊料构成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其中，所述保持部的贯通孔的下方的开口形状呈圆形，并且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：森住直人，浪江贵史，中川崇史，荐田大祐，正瑞浩章，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP