一种增强P型接触层半导体激光器制造技术

一种增强P型接触层半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器顺序地包括以下层级：蓝宝石衬底；厚度为40-55纳米的低温GaN缓冲层；厚度为1-2微米的N型接触层；厚度为80-90纳米的N型光波导层；厚度为4-5纳米的有源GaInN层；厚度为22-25纳米的P型AlGaN电子阻挡层；厚度为80-90纳米的P型光波导层；厚度大于500纳米的包覆层；第一P型GaN层，第二P型GaN层，其中所述第一和第二P型GaN层的总厚度为300-450纳米，并且所述第二P型GaN层具有低于所述第一P型GaN层的N掺杂浓度以及大于所述第一P型GaN层的厚度。该半导体激光器发射出的激光远场具有更小发散角。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种增强P型接触层半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器顺序地包括以下层级：蓝宝石衬底；厚度为40-55纳米的低温GaN缓冲层；厚度为1-2微米的N型接触层；厚度为80-90纳米的N型光波导层；厚度为4-5纳米的有源GaInN层；厚度为22-25纳米的P型AlGaN电子阻挡层；厚度为80-90纳米的P型光波导层；厚度大于500纳米的包覆层；第一P型GaN层，第二P型GaN层，其中所述第一和第二P型GaN层的总厚度为300-450纳米，并且所述第二P型GaN层具有低于所述第一P型GaN层的N掺杂浓度以及大于所述第一P型GaN层的厚度。该半导体激光器发射出的激光远场具有更小发散角。【专利说明】一种增强P型接触层半导体激光器
本技术涉及一种激光器，具体为一种增强P型接触层半导体激光器。
技术介绍
现有技术中的半导体激光器，由于其光波导结构对激光的约束度不够，其发射出的激光远场光的发散角很大，分散了激光功率。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术对传统半导体激光器的结构进行了改变，其技术方案如下:一种增强P型接触层半导体激光器，其特征在于:所述半导体激光器顺序地包括以下层级:蓝宝石衬底；厚度为40-55纳米的低温GaN缓冲层；厚度为1-2微米的N型接触层；厚度为80-90纳米的N型光波导层；厚度为4-5纳米的有源GaInN层；厚度为22-25纳米的P型AlGaN电子阻挡层；厚度为80-90纳米的P型光波导层；厚度大于500纳米的包覆层；第一 P型GaN层，第二 P型GaN层，其中所述第一和第二 P型GaN层的总厚度为300-450纳米，并且所述第二 P型GaN层具有低于所述第一 P型GaN层的N掺杂浓度以及大于所述第一 P型GaN层的厚度。通过上述结构的改进，本技术的增强P型接触层半导体激光器，发射出的激光远场发散角远远小于传统半导体激光器。【专利附图】【附图说明】图1为本技术的增强P型接触层半导体激光器的截面结构示意图图2为本技术的增强P型接触层半导体激光器与传统半导体激光器的远场发散角对比图【具体实施方式】为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。参见附图1，半导体激光器顺序地包括以下层级:蓝宝石衬底I ;厚度为40-55纳米的低温GaN缓冲层2 ;厚度为1-2微米的N型接触层3 ;厚度为80-90纳米的N型光波导层4 ;厚度为4-5纳米的有源GaInN层5 ;厚度为22-25纳米的P型AlGaN电子阻挡层6 ;厚度为80-90纳米的P型光波导层7 ;厚度大于500纳米的包覆层8 ;第一 P型GaN层9，第二P型GaN层10，其中所述第一和第二 P型GaN层的总厚度为300-450纳米，并且第二 P型GaN层10具有低于第一 P型GaN层9的N掺杂浓度以及大于第一 P型GaN层9的厚度。本技术采用了上述参数和结构，尤其是对开创性地将增加了 一个更厚厚度的低掺杂P型接触层，同时经过科学推演、计算和实验，得出在这两个P型接触层的掺杂浓度和厚度的关系，经实践，这种参数和结构的半导体激光器，其光波导能够更有效地限制其激光的发射，能使得出射的远场光发散角度更小，参见附图2，光场发散角由传统半导体激光器的30度降低到18度。本技术中的各个层级，都可以采用现有技术中的沉积、蚀刻或者掺杂等工艺制作，只要达到本技术限定的结构和参数即可。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。【权利要求】1.一种增强P型接触层半导体激光器，其特征在于:所述半导体激光器顺序地包括以下层级: 蓝宝石衬底； 厚度为40-55纳米的低温GaN缓冲层； 厚度为1-2微米的N型接触层； 厚度为80-90纳米的N型光波导层； 厚度为4-5纳米的有源GaInN层； 厚度为22-25纳米的P型AlGaN电子阻挡层； 厚度为80-90纳米的P型光波导层； 厚度大于500纳米的包覆层； 第一 P型GaN层，第二 P型GaN层，其中所述第一和第二 P型GaN层的总厚度为300-450纳米，并且所述第二 P型GaN层具有低于所述第一 P型GaN层的N掺杂浓度以及大于所述第一 P型GaN层的厚度。【文档编号】H01S5/323GK203674554SQ201320830608【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年12月15日 优先权日:2013年12月15日 【专利技术者】不公告专利技术人 申请人:渭南高新区晨星专利技术咨询有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增强P型接触层半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器顺序地包括以下层级：蓝宝石衬底；厚度为40‑55纳米的低温GaN缓冲层；厚度为1‑2微米的N型接触层；厚度为80‑90纳米的N型光波导层；厚度为4‑5纳米的有源GaInN层；厚度为22‑25纳米的P型AlGaN电子阻挡层；厚度为80‑90纳米的P型光波导层；厚度大于500纳米的包覆层；第一P型GaN层，第二P型GaN层，其中所述第一和第二P型GaN层的总厚度为300‑450纳米，并且所述第二P型GaN层具有低于所述第一P型GaN层的N掺杂浓度以及大于所述第一P型GaN层的厚度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：渭南高新区晨星专利技术咨询有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61