一种具备电极保护的半导体激光器制造技术

一种具备电极保护的半导体激光器，其特征在于：包括以下层级：衬底；N型GaN层；N型AlGaN包覆层；N型GaN光导层；InGaN有源层；P型GaN光波导；P型AlGaN包覆层；P型GaN层；位于所述P型GaN层上的绝缘层，所述绝缘层有开口；位于所述绝缘层上的金属辅助电极层，所述金属辅助电极层通过所述开口与所述P型GaN层电连接；位于所述金属辅助电极层上的TiO2电极保护层，所述TiO2电极保护层覆盖部分的金属辅助电极层。由于加入了绝缘层、辅助电极层和电极保护层，因而能有效的防止P型电极层在工作过程中熔解脱落。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种具备电极保护的半导体激光器，其特征在于：包括以下层级：衬底；N型GaN层；N型AlGaN包覆层；N型GaN光导层；InGaN有源层；P型GaN光波导；P型AlGaN包覆层；P型GaN层；位于所述P型GaN层上的绝缘层，所述绝缘层有开口；位于所述绝缘层上的金属辅助电极层，所述金属辅助电极层通过所述开口与所述P型GaN层电连接；位于所述金属辅助电极层上的TiO2电极保护层，所述TiO2电极保护层覆盖部分的金属辅助电极层。由于加入了绝缘层、辅助电极层和电极保护层，因而能有效的防止P型电极层在工作过程中熔解脱落。【专利说明】一种具备电极保护的半导体激光器
本技术涉及一种激光器，具体为一种具备电极保护的半导体激光器。
技术介绍
现有技术中的半导体激光器，其P型电极层在工作过程中容易因为发热而熔解脱落，从而导致不均匀的电流注入，从而严重影响半导体激光器的性能。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术对传统半导体激光器的结构进行了改变，其技术方案如下:一种具备电极保护的半导体激光器，其特征在于:包括以下层级:衬底；N 型 GaN 层；N 型 AlGaN 包覆层；N型GaN光导层；InGaN 有源层；P型GaN光波导；P 型 AlGaN 包覆层；P 型 GaN 层；位于所述P型GaN层上的绝缘层，所述绝缘层有开口 ；位于所述绝缘层上的金属辅助电极层，所述金属辅助电极层通过所述开口与所述P型GaN层电连接；位于所述金属辅助电极层上的Ti02电极保护层，所述Ti02电极保护层覆盖部分的金属辅助电极层。通过上述结构的改进，本技术的具备电极保护的半导体激光器，其由于加入了绝缘层、辅助电极层和电极保护层，因而能有效的防止P型电极层在工作过程中熔解脱落。【专利附图】【附图说明】，图1为本技术的具备电极保护的半导体激光器的截面结构示意图【具体实施方式】为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。参见附图1，半导体激光器包括以下层级:衬底I小型GaN层2 ;N型AlGaN包覆层3 ;N型GaN光导层4 ；InGaN有源层5 ;P型GaN光波导6 ;P型AlGaN包覆层7 ;P型GaN层8 ;位于所述P型GaN层上的绝缘层9，绝缘层9有开口 ；位于绝缘层9上的金属辅助电极层10，金属辅助电极层10通过所述开口与所述P型GaN层8电连接；位于金属辅助电极层上10的Ti02电极保护层11，Τ?02电极保护层11覆盖部分的金属辅助电极层10。本技术采用了双电极结构，通过绝缘层和辅助电极层，将P型电极层电连接到辅助电极层，同时用电极保护层保护辅助电极层不至于熔解脱落，同时P型电极层的热量经辅助电极层传到进行发散，也保护了 P型电极层。本技术中的各个层级，都可以采用现有技术中的沉积、蚀刻或者掺杂等工艺制作，只要达到本技术限定的结构和参数即可。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的 权利要求书及其等效物界定。【权利要求】1.一种具备电极保护的半导体激光器，其特征在于:包括以下层级: 衬底； N型GaN层; N型AlGaN包覆层； N型GaN光导层； InGaN有源层； P型GaN光波导； P型AlGaN包覆层； P型GaN层; 位于所述P型GaN层上的绝缘层，所述绝缘层有开口 ； 位于所述绝缘层上的金属辅助电极层，所述金属辅助电极层通过所述开口与所述P型GaN层电连接； 位于所述金属辅助电极层上的Ti02电极保护层，所述Ti02电极保护层覆盖部分的金属辅助电极层。【文档编号】H01S5/042GK203674552SQ201320830359【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年12月15日 优先权日:2013年12月15日 【专利技术者】不公告专利技术人 申请人:渭南高新区晨星专利技术咨询有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具备电极保护的半导体激光器，其特征在于：包括以下层级：衬底；N型GaN层；N型AlGaN包覆层；N型GaN光导层；InGaN有源层；P型GaN光波导；P型AlGaN包覆层；P型GaN层；位于所述P型GaN层上的绝缘层，所述绝缘层有开口；位于所述绝缘层上的金属辅助电极层，所述金属辅助电极层通过所述开口与所述P型GaN层电连接；位于所述金属辅助电极层上的TiO2电极保护层，所述TiO2电极保护层覆盖部分的金属辅助电极层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：渭南高新区晨星专利技术咨询有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61