一种微纳米图形化蓝宝石衬底及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别是微纳米图形化蓝宝石衬底及其制备方法。
技术介绍
发光二极管（英文名为LihgtingEmittingDiode，简称LED）是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有无污染、高亮度、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点。自20世纪90年代氮化镓（GaN）基LED开发成功以来，随着研究的不断进展，其发光亮度也不断提高，应用领域也越来越广。现有技术中，在常规正装发光二极管结构中，从量子阱发出的光，在通过氮化镓和蓝宝石界面时会透射过去。通过对蓝宝石进行图形化处理，形成为如图2所示的微米图形蓝宝石衬底1。此时，在氮化镓和蓝宝石界面处可以增加全反射区域面积，一部分光会形成反射，但仍有一部分光会透射过衬底，如图4所示，造成发光二极管正面出光效率损失。
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的不足，本专利技术的目的是提供一种微纳米图形化蓝宝石衬底及其制备方法。它在微米图形化蓝宝石衬底基础上，通过软模板纳米压印技术来制作纳米周期结构，形成微纳米结构的图形化蓝宝石衬底，可有效增加芯片的正面出光，减少蓝宝石对LED芯片光的吸收，从而提升LED亮度，增强LED发光效率。为了达到上述专利技术目的，本专利技术的技术方案以如下方式实现：一种微纳米图形化蓝宝石衬底，其结构特点是，它包括微米图形蓝宝石衬底和在所述微米图形蓝宝石衬底上制作的纳米图形结构。在上述微纳米图形化蓝宝石衬底中，所述微米图形蓝宝石衬底中的微米图形结构呈周期性排列，周期间隔距离为1-6um，所述微米图形结构的高度为1.5-2.5um。在上述微纳米图形化蓝...
【技术保护点】
一种微纳米图形化蓝宝石衬底，其特征在于：它包括微米图形蓝宝石衬底（1）和在所述微米图形蓝宝石衬底（1）上制作的纳米图形结构（2）。
【技术特征摘要】
1.一种微纳米图形化蓝宝石衬底，其特征在于：它包括微米图形蓝宝石衬底（1）和在所述微米图形蓝宝石衬底（1）上制作的纳米图形结构（2）。2.根据权利要求1所述的微纳米图形化蓝宝石衬底，其特征在于：所述微米图形蓝宝石衬底（1）中的微米图形结构呈周期性排列，周期间隔距离为1-6um，所述微米图形结构的高度为1.5-2.5um。3.根据权利要求1或2所述的微纳米图形化蓝宝石衬底，其特征在于：所述纳米图形结构（2）呈周期性排列，周期间隔距离为...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴飞翔，林海凤，杜治新，汪健，董发，李鹏飞，
申请(专利权)人：南通同方半导体有限公司，同方股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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