The present invention provides a light emitting diode structure, the substrate is arranged on the lower surface roughness into different regions, different substrate roughness surface for carrying spools radiant heat absorption rate will be different, so as to improve the warpage caused by uneven temperature due to diode growth, and ultimately improve the uniformity of epitaxial wafer. In the invention, the surface roughness of the substrate is distributed in an annular band, and the roughness of the substrate from the center of the substrate to the edge of the substrate is increased in turn.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管（英文缩写为LED）是一种半导体固体发光器件，随着生长在蓝宝石衬底上的GaN基二极管应用的展开，对于解决大尺寸外延片均匀性的议题得到了开展和讨论。在大尺寸外延片制作过程中，由于热膨胀系数的不同应力的影响，会产生很大的翘曲，从而影响大尺寸外延片的各项参数的均匀性，如何提高外延片在石墨盘pocket中的受热均匀性，使波长分布及性能分布更加集中成为了目前重要的议题之一。在中国专利CN101207174A中，公开了在衬底下表面形成沟槽，以降低应力，该专利主要是通过释放应力来降低翘曲度，从而改善同一外延片性能的均匀性。但在实际生长过程中，翘曲是一定存在的，而且设置沟槽的衬底在不同温度转变时极容易发生碎片问题，不利于生长完整的外延片。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案如下：一种发光二极管结构，包括：衬底，依次位于衬底之上的N型层、发光层以及P型层构成的发光外延层；其特征在于：所述衬底下表面设置为粗糙度不同的环状带，从衬底中心到边缘部位粗糙度依次增加。进一步地，所述衬底下表面粗糙度Ra取值在0.01~0.6μm之间。进一步地，所述衬底下表面同一种粗糙度区域位于同一个环状带内。进一步地，所述环状带个数不少于3个。进一步地，所述环状带为圆环或者椭圆环或其它环形。进一步地，所述环状带的不同粗糙度通过研磨工艺或者抛光工艺...
【技术保护点】
一种发光二极管结构，包括：衬底，位于衬底之上的发光外延层；其特征在于：所述衬底下表面设置为粗糙度不同的环状带，从衬底中心到边缘部位粗糙度依次增加。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，包括：衬底，位于衬底之上的发光外延层；其特征在于：所述衬
底下表面设置为粗糙度不同的环状带，从衬底中心到边缘部位粗糙度依次增加。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述衬底下表面粗糙度Ra
取值在0.01~0.6μm之间。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述衬底下表面同一种粗
糙度区域位于同一个环状带内。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述环状带个数不少于3
个。
5.根据权利要求1所述的一种发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓峰，舒立明，陈沙沙，张东炎，王良钧，王笃祥，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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