【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。led已经广泛应用于照明、监控指挥、高清演播、高端影院、办公显示、会议交互、虚拟现实等领域。
2、传统的发光二极管存在电流阻挡层包覆不佳的问题，尤其是在接近切割道处的地方，导致电极中的金属会析出粘附至侧壁，致使漏电现象频繁发生，极大程度的影响了发光二极管的品质。因此，如何改善发光二极管的金属析出问题，已然成为本领域技术人员亟待解决的难点之一。
3、需要说明的是，公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术
技术实现思路
1、本专利技术提供一种发光二极管的制备方法，其包括下列步骤：s1、在衬底上生长外延结构，外延结构包括在衬底上依次层叠的n型半导体层、发光层、p型半导体层和p型窗口层，p型窗口层为图形化结构，p型窗口层包括凸起部和凹陷部，凸起部连接凹陷部；s2、在外延结构上设置透明导电层，透明导电层连接凸起部；s3、在透明导电层上设置第一电流阻挡层，第一电流阻挡层覆盖p型半导体层、p型窗口层和第一电流阻挡层，对应于凸起部
2、本专利技术还提供一种发光二极管，其包括外延结构、透明导电层、第一电流阻挡层和金属反射层。外延结构包括自上而下依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层和p型窗口层，p型窗口层包括凸起部和凹陷部，凸起部连接凹陷部。透明导电层设置在凸起部下。第一电流阻挡层覆盖透明导电层和外延结构，第一电流阻挡层具有露出透明导电层的开孔。金属反射层设置在第一电流阻挡层下，并通过开孔连接透明导电层。其中，对应于凸起部下方的第一电流阻挡层的下表面为第一表面，对应于凹陷部下方的第一电流阻挡层的下表面为第二表面，第二表面齐平于第一表面。
3、本专利技术一实施例提供的一种发光二极管及其制备方法，可以有效改金属反射层的金属析出问题，避免漏电现象发生，提高了发光二极管的品质。
4、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出，或者是通过实施本专利技术而了解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于：所述发光二极管的制备方法包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在完成步骤S4之后，所述第一表面到所述透明导电层的间距为第四高度，所述第四高度小于等于0.3μm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在完成步骤S4之后，所述第一表面齐平于所述透明导电层的上表面。
4.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在完成步骤S4之后，所述第二高度等于所述第一高度和所述第三高度之和。
5.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤S3中，所述第一高度等于所述第二高度。
6.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：所述第二高度大于2倍的所述第三高度。
7.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在完成步骤S5之后，还包括下列步骤：在所述第一电流阻挡层上设置第二电流阻挡层，所述第二电流阻挡层对应于所述凹陷部的上方，且所述第二电流阻挡层的宽度大于等于所述凹陷部的宽度。<...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于：所述发光二极管的制备方法包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在完成步骤s4之后，所述第一表面到所述透明导电层的间距为第四高度，所述第四高度小于等于0.3μm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在完成步骤s4之后，所述第一表面齐平于所述透明导电层的上表面。
4.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在完成步骤s4之后，所述第二高度等于所述第一高度和所述第三高度之和。
5.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤s3中，所述第一高度等于所述第二高度。
6.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：所述第二高度大于2倍的所述第三高度。
7.根据权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在完成步骤s5之后，还包括下列步骤：在所述第一电流阻挡层上设置第二电流阻挡层，所述第二电流阻挡层对应于所述凹陷部的上方，且所述第二电流阻挡层的宽度大于等于所述凹陷部的宽度。
8.根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：所述第二电流阻挡层位于所述第一电流阻挡层的外边缘处。
9.根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：所述第二电流阻挡层的耐蚀刻性能大于所述第一电流阻挡层的耐蚀刻性能。
10.根据权利要求7...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾月华，郭桓邵，李静静，彭钰仁，蔡坤煌，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。