【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种能够改善放大倍数均匀性的光敏三极管及其制备方法。
技术介绍
1、光敏三极管又称光电三极管，是一种晶体管，它有三个电极。当光照强弱变化时，电极之间的电阻会随之变化。光电三极管可以根据光照的强度控制集电极电流的大小，从而使光电三极管处于不同的工作状态，光电三极管仅引出集电极和发射极，基极作为光接收窗口。生产光敏三极管的芯片厂测放大倍数时是三个电极，基极为铝电极引出，为电信号产生的放大倍数。光耦等封装厂客户通常将led和光敏三极管封装在一起成为光耦，此时三极管不需要基极，取消基极也可以增大光敏区收光面积，直接靠led发出的光激发，led直接发光照射到光敏三极管的n型区，产生电流放大信号。也就是说，当光照射到光敏三极管的n型区域时，会产生电子-空穴对，并将它们分离到p-n结附近。这些电子和空穴会在p-n结附近产生电流，从而形成了一个光电流放大信号。此时光敏三极管的电流除以给led的电流的比值为ctr(电流传输比)，ctr(电流传输比)为光耦重要参数，与放大倍数成正比例关系，所以光耦厂商希望放大倍数均匀性越均匀越好，这样光耦产品的ctr参数会更稳定。
2、也就是说，对于光敏三极管来说，放大倍数是很关键的参数。目前的光敏三极管的n型区杂质浓度通常较高，需要采用炉管磷扩散的方式来进行处理，但炉管扩散时磷源气流在晶圆(晶圆上具有阵列式的大数量级的光敏三极管芯粒)边缘处浓度高，在晶圆中间处的浓度低，进而导致晶圆放大倍数均匀性较差(位于边缘和中间处的光敏三极管芯粒的放大倍数相差大)，无法满足客户使用
3、需要说明的是，公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术
技术实现思路
1、本专利技术提供一种光敏三极管的制备方法，其包括下列步骤：在外延结构上生成第一氧化层；刻蚀第一氧化层，以在外延结构上形成p型窗口区；在外延结构和第一氧化层上沉积p型杂质源，并形成第二氧化层；对第一氧化层和第二氧化层进行刻蚀，以形成n型窗口区；在第一氧化层、第二氧化层和外延结构上沉积psg钝化层，然后进行高温氧化推进处理，以形成p型区和n型区；psg钝化层中含有n型杂质源；对位于p型区和n型区处的psg钝化层进行刻蚀，以得到欧姆接触孔；在欧姆接触孔处形成电极结构。
2、本专利技术还提供一种光敏三极管，其包括外延结构、第一氧化层、第二氧化层、psg钝化层和电极结构。外延结构具有n型区和p型区，n型区位于外延结构的上端，p型区包围n型区。第一氧化层设置在外延结构上。第二氧化层覆盖第一氧化层。psg钝化层覆盖第二氧化层，并在外延结构上形成欧姆接触孔。电极结构设置在psg钝化层上，并通过欧姆接触孔连接n型区。
3、本专利技术一实施例提供的一种光敏三极管及其制备方法，可以使得晶圆上制备的光敏三极管在各个区域的放大倍数更为均匀，不会存在放大倍数相差较大的情况，并可以提高psg钝化层的致密性，从而增强psg钝化层的钝化保护能力，可进一步提高光敏三极管器件的稳定性，进而提升光敏三极管的品质。
4、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出，或者是通过实施本专利技术而了解。
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1.一种光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述光敏三极管的制备方法包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述第二氧化层通过沉积BSG结构形成。
3.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述第二氧化层的厚度≥100nm。
4.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述第二氧化层中的P型杂质为硼。
5.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述第二氧化层中的P型杂质的浓度占比为3％～10％。
6.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述PSG钝化层中的N型杂质源包括磷，所述PSG钝化层中的磷的含量占比为3％～8％。
7.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述PSG钝化层的厚度范围为100nm～1000nm。
8.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：在完成所述形成电极结构的步骤之后还包括下列步骤：在所述电极结构和所述PSG钝化层上形成膜钝化层。
9.根
10.一种光敏三极管，其特征在于：所述光敏三极管包括：
11.根据权利要求10所述的光敏三极管，其特征在于：所述第二氧化层为BSG结构。
12.根据权利要求11所述的光敏三极管，其特征在于：所述PSG钝化层直接接触所述第二氧化层。
13.根据权利要求10所述的光敏三极管，其特征在于：所述第二氧化层的厚度≥100nm。
14.根据权利要求10所述的光敏三极管，其特征在于：所述第二氧化层中的P型杂质为硼。
15.根据权利要求10所述的光敏三极管，其特征在于：所述PSG钝化层中的N型杂质源包括磷，所述PSG钝化层中的磷的含量占比为3％～8％。
16.根据权利要求10所述的光敏三极管，其特征在于：所述PSG钝化层的厚度范围为100nm～1000nm。
...【技术特征摘要】
1.一种光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述光敏三极管的制备方法包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述第二氧化层通过沉积bsg结构形成。
3.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述第二氧化层的厚度≥100nm。
4.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述第二氧化层中的p型杂质为硼。
5.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述第二氧化层中的p型杂质的浓度占比为3％～10％。
6.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述psg钝化层中的n型杂质源包括磷，所述psg钝化层中的磷的含量占比为3％～8％。
7.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：所述psg钝化层的厚度范围为100nm～1000nm。
8.根据权利要求1所述的光敏三极管的制备方法，其特征在于：在完成所述形成电极结构的步骤之后还包括下列步骤：在所述电极结...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟京京，陈文浚，熊伟平，辛秀峰，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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