一种高转化率的多晶硅片制造技术

技术编号:14723619 阅读:140 留言:0更新日期:2017-02-28 00:11
本实用新型专利技术涉及太阳能技术领域,尤其是一种高转换效率多晶硅片,包括多晶硅片、高透保护玻璃和反光背板,所述多晶硅片的上端面设置有二氧化硅钝化层,所述二氧化硅钝化层的上端面设置有减反层,所述减反层的表面呈矩阵状设置有多个用于增大与太阳光接触面积的减反射凹槽,多个所述减反射凹槽之间设置有粘接条,所述粘接条上粘接有用于保护减反层的高透保护玻璃,所述多晶硅片的下端面粘接有反光背板,该高转换效率多晶硅片对比平面的多晶硅片设置减反射凹槽增大了与太阳光接触的面积,降低了多晶硅片的反光率,提升了太阳光子利用率,达到了提高多晶硅片的光电转换效率的效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏发电
,尤其涉及一种高转化率的多晶硅片
技术介绍
随着能源危机的日益凸显,开发利用新能源成为当今能源领域研究的主要课题,由于太阳能具有无污染、无地域性限制、取之不竭等优点,研究太阳能发电成为开发利用新能源的主要方向,晶体硅太阳能电池,即由晶体硅片制备的太阳能电池是当今太阳能电池行业的主流产品,目前太阳能电池的市场中,晶体硅太阳能电池占据90%以上的份额,而在晶体硅太阳能电池主要有单晶硅片和多晶硅片两种,多晶硅片运用的更广泛,但是传统的多晶硅片由于结构设计不合理,导致吸收光能的效果较差,电能转化率低,对此我们推出一种减反射效果好的多晶硅片。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种高转化率的多晶硅片。为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:设计一种高转化率的多晶硅片,包括硅片本体,所述硅片本体的上表面等距设有V形槽,且所述V形槽上刻蚀有制绒层,所述制绒层上依次沉积有氮化硅钝化膜、氮化硅减反射膜和氧化硅减反射膜,且所述氧化硅减反射膜上设有正电极,所述硅片本体的下表面设有背电场,且所述背电场上设有与背电场电连接的背电极。优选的,优选的,所述硅片本体的下表面设有防腐层,且所述硅片本体的四个边角上均包裹有顺丁橡胶层。本技术提出的一种高转化率的多晶硅片,有益效果在于:该高转化率的多晶硅片,在硅片本体设有的V形槽能够增强对太阳光的吸收,提高反射次数,避免因硅片本体上绒面平整光滑而使反射光损失的问题,从而提高电能转化,氮化硅钝化膜、氮化硅减反射膜和氧化硅减反射膜三层依次设置在硅片本体,不但具有更佳的减反射效果,且增强了表面的钝化效果,电转化效率高,背电场能够更加充分的利用太能光进行光电转化,提高转化效率。附图说明图1为本技术提出的一种高转化率的多晶硅片的结构示意图。图中:硅片本体1、V形槽2、氮化硅钝化膜3、氮化硅间反射膜4、氧化硅减反射膜5、正电极6、背电场7、背电极8。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。参照图1,一种高转化率的多晶硅片,包括硅片本体1,硅片本体1的上表面等距设有V形槽2,且V形槽2上刻蚀有制绒层,V形槽能够增强对太阳光的吸收,提高反射次数,避免因硅片本体上绒面平整光滑而使反射光损失的问题,从而提高电能转化,制绒层上依次沉积有氮化硅钝化膜3、氮化硅减反射膜4和氧化硅减反射膜5,且氧化硅减反射膜5上设有正电极6,氮化硅钝化膜、氮化硅减反射膜和氧化硅减反射膜三层依次设置在硅片本体,不但具有更佳的减反射效果,且增强了表面的钝化效果,电转化效率高。硅片本体1的下表面设有背电场7,且背电场7上设有与背电场7电连接的背电极8,背电场能够更加充分的利用太能光进行光电转化,提高转化效率,硅片本体1与背电场7之间还设有P+层,P+层用于辅助对光能的电转化,使转化效果好,提高电能转化率,硅片本体1的下表面设有防腐层,且硅片本体1的四个边角上均包裹有顺丁橡胶层,防腐层可防止硅片本体1的氧化,使用寿命更长,硅片本体1的四个边角上包裹的顺丁橡胶层便于运输和安装,减少损坏率。以上所述,仅为本技术较佳的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内,根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网
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一种高转化率的多晶硅片

【技术保护点】
一种高转化率的多晶硅片,包括硅片本体(1),其特征在于,所述硅片本体(1)的上表面等距设有V形槽(2),且所述V形槽(2)上刻蚀有制绒层,所述制绒层上依次沉积有氮化硅钝化膜(3)、氮化硅减反射膜(4)和氧化硅减反射膜(5),且所述氧化硅减反射膜(5)上设有正电极(6),所述硅片本体(1)的下表面设有背电场(7),且所述背电场(7)上设有与背电场(7)电连接的背电极(8)。

【技术特征摘要】
1.一种高转化率的多晶硅片,包括硅片本体(1),其特征在于,所述硅片本体(1)的上表面等距设有V形槽(2),且所述V形槽(2)上刻蚀有制绒层,所述制绒层上依次沉积有氮化硅钝化膜(3)、氮化硅减反射膜(4)和氧化硅减反射膜(5),且所述氧化硅减反射膜(5)上设有正电极(6),所述硅片本体(1)的下表面设有背电场(7),...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡伦
申请(专利权)人:温州巨亮光伏科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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