多晶硅介质平坦化的方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅介质平坦化的方法，用于集成电路制造工艺中的介质平坦。该方法步骤包括：１．在带有槽的硅片上生长２００ｎｍ氧化层；２．在生长了所述氧化层上的硅片上淀积粒径３０－５０ｎｍ的细多晶硅层，以填满槽；３．在所述填满了细多晶硅的硅片上淀积厚度为４０－５０μｍ、粒径０．９－２．０μｍ的粗多晶硅层；４．对所述淀积了粗多晶硅层后的硅片进行机械减薄，使多晶硅层厚度保留距所述氧化层０．８－１．５μｍ；５．对所述保留有剩余多晶硅层的硅片进行化学机械抛光（ＣＭＰ），抛光至氧化层处；６．漂掉剩余氧化层，使槽面与硅表面平坦一致。采用本发明专利技术的方法，可有效地解决各种槽形填充多晶硅后硅片表面出现“凹凸”不平的问题，满足后工艺要求的成品率达到９０％以上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅介质的平坦化方法，其包括以下步骤：（１）在带有槽的硅片上生长２００ｎｍ厚的ＳｉＯ↓［２］氧化层；（２）在生长了所述氧化层的硅片上淀积粒径３０－５０ｎｍ的细多晶硅层，以填满槽；（３）在所述填满了细多晶硅的硅片 上淀积厚度为４０－５０μｍ、粒径０．９－２．０μｍ的粗多晶硅层；（４）对所述淀积了粗多晶硅层后的硅片进行机械减薄，使多晶硅层厚度保留距所述氧化层０．８－１．５μｍ；（５）对所述保留有剩余多晶硅层的硅片进行化学机械抛光（ＣＭＰ ），抛光至所述氧化层处；（６）漂掉剩余氧化层，使槽面与硅表面平坦一致。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯建，吴建，王大平，徐俊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：85[中国|重庆]