一种N型双面电池制造技术

本申请公开的一种N型双面电池，包括：N型硅片衬底；依次叠置于所述N型硅片衬底的一面的凹坑绒面层、P型层以及正电极；依次叠置于所述N型硅片衬底的另一面的所述凹坑绒面层、N+层以及背电极。在应用本实用新型专利技术所提供的一种N型双面电池时，在所述N型硅片衬底的两面均形成了凹坑绒面层，由反应离子刻蚀法进行制绒形成凹坑绒面层，使得入射光线在凹坑绒面层的反射次数增加，更进一步的降低了光反射，增加了光吸收率，从而提高了双面N型电池的光电效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能
，更具体地说，涉及一种N型双面电池。
技术介绍
在太阳能电池所使用的基底材料中，N型晶体硅比P型晶体硅具有更长的少子寿命，N型晶体硅的光衰减性能则更为稳定，因此，在N型硅片上进行电池制作形成的N型双面电池，电池的两面都可以吸收光线，使得太阳能电池发光效率更高。目前，N型单晶双面电池的绒面制作通常采用碱制绒方式，碱制绒方式后的电池，其表面形成金字塔形状的绒面结构，光线在金字塔状的绒面上经过多次反射，能够有效消减光的反射。对于单晶硅来说，表面经过碱制绒后，表面反射率一般在10％左右，N型单晶电池在镀膜工序后，反射率能达到5％。因此，现有技术中的N型单晶电池，仍有5％的光不能利用，造成了电池电流的损失。因此，如何更进一步的提高光的利用率，从而制得更高光电效率的双面N型电池是本领域技术人员急需要解决的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供一种N型双面电池，能够有效降低光反射，增加光吸收率，提高双面N型电池的光电效率。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种N型双面电池，包括：N型硅片衬底；依次叠置于所述N型硅片衬底的一面的凹坑绒面层、P型层以及正电极；依次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型双面电池，其特征在于，包括：N型硅片衬底；依次叠置于所述N型硅片衬底的一面的凹坑绒面层、P型层以及正电极；依次叠置于所述N型硅片衬底的另一面的所述凹坑绒面层、N+层以及背电极。

【技术特征摘要】
1.一种N型双面电池，其特征在于，包括：N型硅片衬底；依次叠置于所述N型硅片衬底的一面的凹坑绒面层、P型层以及正电极；依次叠置于所述N型硅片衬底的另一面的所述凹坑绒面层、N+层以及背电极。2.如权利要求1所述的N型双面电池，其特征在于，所述凹坑绒面层为表面具有均匀分布的多个腐蚀坑的凹坑绒面层。3.如权利要求2所述的N型双面电池，其特征在于，所述腐蚀坑的直径范围为1μm～5μm，所述腐蚀坑之间的间距范围为1μm～5μm。4.如权利要求1至3任一项所述的N型双面电池，其特征在于，还包括设置于所述P型层与所述正电极之间的Al2O3钝化膜，设置于所述N+层与所述背电极之间的SiO2钝化膜。5.如权利要求4所述的N型双面电池，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄纪德，蒋方丹，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33