在高阻衬底上形成的半导体器件和射频模块制造技术

在实施例中，半导体器件包括高阻衬底、设置在高阻衬底上的晶体管，和设置在高阻衬底中围绕晶体管的深沟槽器件隔离区。特别地，高阻衬底具有第一导电类型，具有第二导电类型的深阱区设置在高阻衬底中。进一步地，具有第一导电类型的第一阱区设置在深阱区上，晶体管设置在第一阱区上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在高阻衬底上形成的半导体器件和射频(RF)模块，更特别地，涉及在高阻硅衬底上形成的半导体器件及包括该半导体器件的射频模块。
技术介绍
如射频前端模块(FEM)的射频模块可整合到各种无线装置中，包括移动电话、智能电话、笔记本电脑、平板电脑、掌上电脑、电子游戏装置、多媒体系统等。射频模块可包括射频有源器件、射频无源器件、射频切换器件和控制器件。射频切换器件通常可在SOI(silicononinsulator，绝缘体上硅薄膜)衬底上进行制造以降低射频噪声耦合，并且射频模块可具有SIP/MCM(singlein-linepackage/multi-chipmodule，单列直插式封装/多芯片模块)结构，其包括射频切换器件、射频有源器件、射频无源器件和控制器件。然而，由于SOI衬底相对较高的价格以及SIP/MCM工艺的成本，在降低射频前端模块的制造成本方面是有限制的。
技术实现思路
本专利技术提供了一种在高阻衬底上形成的半导体器件以及包括该半导体器件的RF模块。根据所要求保护的本专利技术的一方面，半导体器件可包括高阻衬底、在高阻衬底上形成的晶体管和在高阻衬底中形成的以围绕晶体管的深沟槽器件隔离区。根据一些示例性实施例，半导体器件还可包括在深沟槽器件隔离区上形成的浅沟槽器件隔离区。根据一些示例性实施例，晶体管可包括在高阻衬底上形成的栅结构、分别在高阻衬底邻近栅结构的两侧的表面部分形成的源区和漏区，以及在源区的一侧形成的高浓度杂质区。根据一些示例性实施例，源区可具有第二导电类型，高浓度杂质区可具有第一导电类型，且源区和高浓度杂质区可彼此电连接。根据一些示例性实施例，高阻衬底可具有第一导电类型，具有第二导电类型的深阱区可形成在高阻衬底中，具有第一导电类型的第一阱区可形成在深阱区上，且晶体管可形成在第一阱区上。根据一些示例性实施例，深阱区和第一阱区可形成在深沟槽器件隔离区的内部，且深沟槽器件隔离区可形成得比深阱区更深。根据一些示例性实施例，具有第一导电类型的第二阱区可形成在深沟槽器件隔离区的外部，且具有第一导电类型的第二高浓度杂质区可形成在第二阱区上。根据一些示例性实施例，深阱区可形成得比第一阱区更宽，且深沟槽器件隔离区可形成得比深阱区更深以穿过深阱区。根据一些示例性实施例，具有第二导电类型的第二阱区可形成在深沟槽器件隔离区的外部，且具有第二导电类型的第二高浓度杂质区可形成在第二阱区上。根据一些示例性实施例，深沟槽器件隔离区可具有狭缝以将深阱区与第二阱区电连接。根据一些示例性实施例，具有第一导电类型的第三阱区可形成在第二阱区的外部。根据一些示例性实施例，第二器件隔离区可形成为围绕第二阱区和第二高浓度杂质区。根据一些示例性实施例，第二器件隔离区可包括形成为围绕第二阱区的第二深沟槽器件隔离区，以及在第二深沟槽器件隔离区上形成的第二浅沟槽器件隔离区。根据一些示例性实施例，具有第一导电类型的第三阱区可形成在第二器件隔离区的外部。根据所要求保护的本专利技术的另一方面，半导体器件可包括具有第一导电类型的高阻衬底，形成在高阻衬底中、具有第二导电类型的深阱区，形成在深阱区上、具有第一导电类型的第一阱区，在第一阱区上形成的多个晶体管，以及具有环形以围绕多个晶体管、并形成为比深阱区更深的深沟槽器件隔离区。根据一些示例性实施例，多个晶体管可设置成多指结构，在其中多个晶体管相互电连接。根据一些示例性实施例，具有第一导电类型的高浓度杂质区可形成在多个晶体管中设置为彼此相邻的晶体管的源区之间，且高浓度杂质区和相邻晶体管的源区可彼此电连接。根据一些示例性实施例，具有第二导电类型的第二阱区可形成在深沟槽器件隔离区的外部，具有第二导电类型的第二高浓度杂质区可形成在第二阱区上，且深沟槽器件隔离区可具有狭缝以将深阱区与第二阱区电连接。根据一些示例性实施例，第二深沟槽器件隔离区可形成在第二阱区的外部，具有第一导电类型的第三阱区可形成在第二深沟槽器件隔离区的外部，且具有第一导电类型的第三高浓度杂质区可形成在第三阱区上。根据所要求保护的本专利技术的又另一方面，RF模块可包括在高阻衬底上形成的RF切换器件、在高阻衬底上形成的RF有源器件、在高阻衬底上形成的RF无源器件以及在高阻衬底上形成的控制器件。特别地，RF切换器件和RF有源器件中的至少一个可包括在高阻衬底上形成的晶体管和在高阻衬底中形成的以围绕晶体管的深沟槽器件隔离区。本专利技术的以上概述并不旨在描述本专利技术示出的每个实施例或每个实施方式。下面的具体实施方式和权利要求更详细地举例说明了这些实施例。附图说明根据以下说明，结合附图，可更详细地理解示例性实施例，其中：图1为根据所要求保护的本专利技术的第一示例性实施例的半导体器件的剖面图；图2为根据所要求保护的本专利技术的第二示例性实施例的半导体器件的平面图；图3为沿图2中所示的线Ⅲ-Ⅲ’的剖面图；图4为沿图2中所示的线Ⅳ-Ⅳ′的剖面图；图5为根据所要求保护的本专利技术的第三示例性实施例的半导体器件的平面图；图6为沿图5中所示的线Ⅵ-Ⅵ′的剖面图；图7为沿图5中所示的线Ⅶ-Ⅶ′的剖面图；图8为根据所要求保护的本专利技术的第四示例性实施例的半导体器件的剖面图；图9为根据所要求保护的本专利技术的第五示例性实施例的半导体器件的剖面图；图10为根据所要求保护的本专利技术的第六示例性实施例的半导体器件的剖面图；和图11为在高阻衬底上形成的射频模块的示意图。虽然实施例可作出各种改型和替代形式，其细节已经由附图中的实例示出并将详细描述。然而，应理解，本专利技术并不旨在将本专利技术限制为所述的特定实施例。相反地，本专利技术旨在涵盖落入所附权利要求限定的本专利技术的实质和范围内的所有改型、等同物和替代方案。具体实施方式以下，参照附图更详细地描述具体实施例。然而，所要求保护的本专利技术可以不同方式实施，并且不应解释为局限于本文提出的实施例。如本申请中使用的明确定义，当提及层、薄膜、区域或板在另一个“上面”时，其可直接在另一个的上面，或者也可以存在一个或多个居于中间的层、薄膜、区域或板。与此不同地，也应当了解，当提及层、薄膜、区域或板直接在另一个“上面”时，其直接在另一个的上面，并且不存在一个或多个居于中间的层、薄膜、区域或板。而且，尽管如第一、第二和第三的术语在所要求保护的本专利技术的各种实施例中用来描述各种组件、成分、区域和层，但并不仅限于这些术语。此外，仅为了便于描述，元件可被称为在另一个“之上”或“之下”。应理解，这种描述是指图中所描述的取向，并且在各种使用和替代实施例中，这些元件可在替代布局和构造中旋转或调换。在以下描述中，技术术语仅用于解释具体实施例，而并不限制所要求保护的本专利技术的范围。除非本文另有定义，本文中所使用的所有术语，包括技术或科学术语，可具有本领域技术人员通常所理解的相同的含义。参照所要求保护的本专利技术的一些实施例的示意图描述描绘的实施例。于是，图中的形状变化，例如，制造技术的变化和/或容许误差是可充分预期的。于是，所要求保护的本专利技术的实施例并不描述成局限于用图所描述的区域的特定形状，包括形状上的偏差，并且，用图描述的区域完全是示意性的，它们的形状并不代表准确的形状，也不限制所要求保护的本专利技术的范围。参照图1，其示出了根据一实施例的半导体器件100的剖面图本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体器件，包括：高阻衬底；设置在所述高阻衬底上的晶体管；以及设置在所述高阻衬底中围绕所述晶体管的深沟槽器件隔离区。

【技术特征摘要】
2015.06.18 KR 10-2015-00863641.半导体器件，包括：高阻衬底；设置在所述高阻衬底上的晶体管；以及设置在所述高阻衬底中围绕所述晶体管的深沟槽器件隔离区。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：设置在所述深沟槽器件隔离区上的浅沟槽器件隔离区。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述晶体管包括：设置在所述高阻衬底上的栅结构；分别设置在所述高阻衬底邻近所述栅结构的两侧的表面部分的源区和漏区；和设置在所述源区的一侧的高浓度杂质区。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述源区具有第二导电类型；所述高浓度杂质区具有第一导电类型；并且所述源区与所述高浓度杂质区彼此电连接。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述高阻衬底具有第一导电类型；具有第二导电类型的深阱区设置在所述高阻衬底中；具有所述第一导电类型的第一阱区设置在所述深阱区上；并且其中所述晶体管设置在所述第一阱区上。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述深阱区和所述第一阱区设置在所述深沟槽器件隔离区的内部，且其中所述深沟槽器件隔离区形成得比所述深阱区更深。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中具有所述第一导电类型的第二阱区设置在所述深沟槽器件隔离区的外部，且其中具有所述第一导电类型的第二高浓度杂质区设置在所述第二阱区上。8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述深阱区设置为比所述第一阱区更宽，且所述深沟槽器件隔离区延伸穿过所述深阱区从而比所述深阱区更深。9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中具有所述第二导电类型的第二阱区设置在所述深沟槽器件隔离区的外部；且具有所述第二导电类型的第二高浓度杂质区设置在所述第二阱区上。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述深沟槽器件隔离区具有狭缝以将所述深阱区与所述第二阱区电连接。11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中具有所述第一导电类型的第三阱区设置在所述第二阱区的外部。12.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵勇洙，
申请(专利权)人：东部HITEK株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR