【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种解理的方法,尤其是涉及一种氮化镓、磷化铟等半导体材料的解理方法。
技术介绍
随着科技的发展和进步,半导体材料愈来愈多地应用在光电器件中,例如氮化镓、磷化铟等材料,在使用这些材料制造光电器件的工艺中,需要将氮化镓、磷化铟等材料进行解理,目前现有的氮化镓、磷化铟等材料的解理工艺,一般采用金刚刀切缺口后用滚轮滚动施加压力来完成裂开。但是这种解理的方式对于一些表面结构不耐压的器件来说,会有较大程度的机械损伤,同时滚轮直接接触芯片表面,裂片产生的碎屑易粘附在滚轮上,为此会带来一定程度的碎屑等沾污样品表面的可能。因此,寻找一种能够避免以上缺陷的解理方法成为目前最为迫切的需要。
技术实现思路
本专利技术提供一种解理方法,采用气动的吸力迫使芯片沿晶向自然解理,为实现吸力,将常规解理机台的样品支持件换成具有气动的装置,样品支持件设计成一长条块,内部挖空成一封闭腔室,腔室侧面打孔连出真空管,上表面由两个面组成,左表面与下表面平行,右表面与下表面夹角小于6°,在上表面上打孔,用于吸附样品,左上表面靠近右上表面共用边的区域预留出一定宽度区域不打孔,用于划片时有一定平整度的样品台,在解理样品时,先用划片命令在样品解理槽前端切出一定长度的缺口,再启用真空装置用吸力吸住样品解理槽左右两边的区域,即施加一定强度的吸力给样品,使得样品在两个吸力和一个支撑力的作用下沿缺口处裂开,形成自然 ...
【技术保护点】
一种半导体材料的解理方法,采用气动的吸引力迫使芯片沿晶向自然解理,为实现该吸引力,将常规解理机台的样品支持件换成具有气动的装置,样品支持件设计成一长条块,内部挖空成一封闭腔室,腔室侧面打孔连出真空管,上表面由两个面组成,左表面与下表面平行,右表面与下表面夹角小于6°,在上表面上打孔,用于吸附样品,左上表面靠近右上表面共用边的区域预留出一定宽度区域不打孔,用于划片时有一定平整度的样品台,在解理样品时,先用划片命令在样品解理槽前端切出一定长度的缺口,再启用真空装置用吸力吸住样品解理槽左右两边的区域,即施加一定强度的吸力给样品,使得样品在两个吸力和一个支撑力的作用下沿缺口处裂开,形成自然解理的端面。
【技术特征摘要】
1.一种半导体材料的解理方法,采用气动的吸引力迫使芯片沿
晶向自然解理,为实现该吸引力,将常规解理机台的样品支持件换成
具有气动的装置,样品支持件设计成一长条块,内部挖空成一封闭腔
室,腔室侧面打孔连出真空管,上表面由两个面组成,左表面与下表
面平行,右表面与下表面夹角小于6°,在上表面上打孔,用于吸附
样品,左上...
【专利技术属性】
技术研发人员:关丽,方清平,
申请(专利权)人:青岛康和食品有限公司,
类型:发明
国别省市:山东;37
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