一种钕铁硼永磁体存放箱制造技术

本实用新型专利技术公开了一种钕铁硼永磁体存放箱，包括箱体，所述箱体包括真空箱、水冷层、屏蔽壳，所述水冷层设置于所述真空箱的外壁上，所述屏蔽壳设置于所述水冷层的外壁上，所述箱体的一侧设置有箱盖。本实用新型专利技术提供一种钕铁硼磁体的存放箱，其设置三层防护结构，保证了钕铁硼磁体不被损坏；本实用新型专利技术具有结构简单、性能稳定和使用寿命较长的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种存放箱，尤其涉及一种钕铁硼永磁体存放箱。
技术介绍
目前，钕铁硼是当代磁性最强的永磁体，它不仅具有高剩磁、高矫顽力、高磁能积、高性价比等优点，而且容易加工成各种尺寸，特别适用于各种性能、小型化、轻型化的电子产品。但是，现有的存放箱由于密封不好，导致钕铁硼磁体腐蚀；另一方面，由于温度过高而损坏钕铁硼磁体。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种钕铁硼永磁体存放箱。本技术通过以下技术方案来实现上述目的：本技术包括箱体，所述箱体包括真空箱、水冷层、屏蔽壳，所述水冷层设置于所述真空箱的外壁上，所述屏蔽壳设置于所述水冷层的外壁上，所述箱体的一侧设置有箱盖。进一步，所述箱体的上端面上设置有抽真空阀口。进一步，所述箱体一侧下端设置有放水口，所述放水口穿过所述屏蔽壳与所述水冷层连接。进一步，所述箱体一侧下端设置有进水口，所述进水口穿过所述屏蔽壳与所述水冷层连接。进一步，所述箱盖上设置有单向出气阀和密封口，所述密封口环绕所述单向出气阀设置。进一步，所述箱盖的四周设置有密封圈。本技术的有益效果在于：本技术提供一种钕铁硼磁体的存放箱，其设置三层防护结构，保证了钕铁硼磁体不被损坏；本技术具有结构简单、性能稳定和使用寿命较长的优点。附图说明图1是本技术所述一种钕铁硼永磁体存放箱的结构示意图；图2是本技术所述箱盖的结构示意图。<br>图中：1-箱体、2-屏蔽壳、3-水冷层、4-真空箱、5-箱盖、6-进水口、7-密封圈、8-密封口、9-单向出气阀、10-抽真空阀口、11-放水口。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步说明：如图1和图2所示：本技术包括箱体1，箱体1包括真空箱4、水冷层3、屏蔽壳2，水冷层3设置于真空箱4的外壁上，屏蔽壳2设置于水冷层3的外壁上，箱体1的一侧设置有箱盖5，箱体1的上端面上设置有抽真空阀口10，箱体1一侧下端设置有放水口11，放水口11穿过屏蔽壳2与水冷层3连接，箱体1一侧下端设置有进水口6，进水口6穿过屏蔽壳2与水冷层3连接，箱盖5上设置有单向出气阀9和密封口8，密封口8环绕单向出气阀9设置，箱盖5的四周设置有密封圈7。本领域技术人员不脱离本技术的实质和精神，可以有多种变形方案实现本技术，以上所述仅为本技术较佳可行的实施例而已，并非因此局限本技术的权利范围，凡运用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变化，均包含于本技术的权利范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钕铁硼永磁体存放箱，其特征在于：包括箱体，所述箱体包括真空箱、水冷层、屏蔽壳，所述水冷层设置于所述真空箱的外壁上，所述屏蔽壳设置于所述水冷层的外壁上，所述箱体的一侧设置有箱盖。

【技术特征摘要】
1.一种钕铁硼永磁体存放箱，其特征在于：包括箱体，所述箱体包括真空箱、
水冷层、屏蔽壳，所述水冷层设置于所述真空箱的外壁上，所述屏蔽壳设
置于所述水冷层的外壁上，所述箱体的一侧设置有箱盖。
2.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁体存放箱，其特征在于：所述箱体的
上端面上设置有抽真空阀口。
3.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁体存放箱，其特征在于：所述箱体一
侧下端设置有放水口，所述放水口穿过...

【专利技术属性】
技术研发人员：林敬霞，陈西云，王学中，刘派，张作恒，
申请(专利权)人：北京祐林永磁材料有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11