DC‑DC转换芯片、电路板及电子产品制造技术

本实用新型专利技术公开了DC‑DC转换芯片、电路板及电子产品，该芯片包括芯片本体和屏蔽罩，屏蔽罩包括屏蔽罩本体和设置在屏蔽罩本体的内壁上的吸波材料，屏蔽罩包裹在芯片本体上，以相对芯片本体固定。该电路板设置有该芯片。该电子产品设置有该电路板。本实用新型专利技术芯片自身设置有屏蔽罩，屏蔽罩是通过包裹在芯片本体上的结构实现二者之间的相对固定，这使得本实用新型专利技术的电路板中，屏蔽罩并不需要通过焊接在绝缘基板上的结构进行固定，因此，该屏蔽罩将能够通过人工拆除，进而方便后期维修。另外，该屏蔽罩附加设置了吸波材料，因此能够吸收绝大部分芯片产生的电磁辐射，有效增强了抗干扰效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及抗电磁干扰
，更具体地，本技术涉及一种DC-DC转换芯片、设置有该种DC-DC转换芯片的电路板、及设置有该种电路板的电子产品。
技术介绍
目前，在消费类电子产品的供电电路中，常规的电源方案是采用LDO(LowDropoutRegulator)供电并实现电压转换和稳压功能。LDO供电的主要缺点是能量转换效率低，工作中很大一部分能量(约40％)以热的形式损失在LDO上。为了提高能量转换效率，当前比较好的解决方案是使用DC-DC转换芯片。DC-DC转换芯片是通过高频率(通常为500KHZ以上)的开关通断来提高能量转换效率，通常可达90％以上，但此工作频率的信号会作为干扰信号对外辐射，造成系统内其他元器件的工作异常，因此，对于该种供电方案，需要进行抗干扰设计。常规的抗干扰设计包括PCB内部的布线优化和独立的屏蔽地层覆铜，同时在作为干扰源的DC-DC转换芯片的外围增加屏蔽罩以隔绝对外部器件的干扰，其中，屏蔽罩焊接在电路板的绝缘基板上，以实现屏蔽罩的固定，因此，该种抗干扰结构存在后期维修困难的问题，另外，该种抗干扰结构的屏蔽效果受限于屏蔽罩材质的发展也很难进一步增强。
技术实现思路
本技术的一个目的是针对DC-DC转换芯片提供一种抗干扰效果较强、且便于后期维修的抗干扰结构。根据本技术的第一方面，提供了一种DC-DC转换芯片，其包括芯片本体和屏蔽罩，所述屏蔽罩包括屏蔽罩本体和设置在所述屏蔽罩本体的内壁上的吸波材料，所述屏蔽罩包裹在所述芯片本体上，以相对芯片本体固定。可选的是，所述屏蔽罩本体的内壁完全被所述吸波材料覆盖。可选的是，所述吸波材料为纳米吸波材料。可选的是，所述屏蔽罩本体的材质为铁氧体。可选的是，所述吸波材料粘附在所述屏蔽罩本体的内壁上。可选的是，所述吸波材料形成凸凹不平的表面。根据本技术的第二方面，提供了一种电路板，包括绝缘基板和根据本技术第一方面所述的DC-DC转换芯片，所述DC-DC转换芯片装配在所述绝缘基板上。根据本技术的第三方面，提供了一种电子产品，其设置有根据本技术第二方面所述的电路板。本技术的一个有益效果在于，对于本技术DC-DC转换芯片，其自身设置有屏蔽罩，该屏蔽罩是通过包裹在芯片本体上的结构实现二者之间的相对固定，这使得本技术的电路板中，屏蔽罩并不需要通过焊接在绝缘基板上的结构进行固定，因此，该屏蔽罩将能够通过人工拆除，进而方便后期维修。另外，本技术中的屏蔽罩在现有屏蔽罩(屏蔽罩本体)的基础上附加设置了吸波材料，该种屏蔽罩能够吸收绝大部分芯片本体产生的电磁辐射，有效增强了抗干扰效果。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本技术的原理。图1为根据本技术DC-DC转换芯片的一种实施方式的剖视示意图；图2为根据本技术电路板的一种实施方式的俯视示意图；图3为根据本技术电子产品的一种实施方式的结构示意图。附图标记说明：100-DC-DC转换芯片；101-芯片本体；102-屏蔽罩；102a-屏蔽罩本体；102b吸波材料；200-电路板；201-绝缘基板；202-其它元器件；300-电子产品；301-电池。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和电子产品可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和电子产品应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。本技术为了解决DC-DC转换芯片的现有屏蔽结构存在不便于后期维修、及抗干扰效果有限的问题，提供了一种经改进的屏蔽结构。图1是基于该种经改进的屏蔽结构的DC-DC转换芯片的一种实施方式的剖视示意图。根据图1所示，本技术的DC-DC转换芯片100包括芯片本体101和屏蔽罩102，该芯片本体101即为用于实现DC-DC转换功能的主体结构，其对应传统的DC-DC转换芯片，该屏蔽罩102包括屏蔽罩本体102a和设置在屏蔽罩本体102a的内壁上的吸波材料102b，该屏蔽罩102包裹在芯片本体101上，以相对芯片本体101固定，即芯片本体101与屏蔽罩102之间通过包裹固定的结构连接为一个整体。在此，由于DC-DC转换芯片在使用时需要装配在电路板的绝缘基板上，因此，芯片本体101的用于与绝缘基本贴合的贴合面应该暴露在外。上述包裹固定的结构可以是屏蔽罩102的一部分与芯片本体101的一部分形成包裹关系，即屏蔽罩102与芯片本体101之间在局部位置存在间隙，也可以是屏蔽罩102与芯片本体101之间形成完全包裹，进而实现二者之间的相对固定。上述屏蔽罩102可以在屏蔽罩本体102a的内壁的局部设置吸波材料102b，也可以使得屏蔽罩本体102a的内壁完全被吸波材料102b覆盖，进而提高对电磁波的吸收率。上述吸波材料102b可以根据吸波材料102b的形态选择适当的连接手段贴附在屏蔽罩本体102a的内壁上，在本技术的一个具体实施例中，该吸波材料102b可以通过粘接剂粘附在屏蔽罩本体102a的内壁上，该粘接手段不仅简单而且适用各种形态及各种类型的吸波材料。上述吸波材料102b是指能吸收投射到其表面的电磁波能量的一类材料，该吸波材料102b例如是金属微粉、石墨、钛酸钡、纳米吸波材料、导电高聚物、多晶纤维、手性吸波材料等，其中，金属微粉可以进一步是金属铁粉、铁合金粉、羟基铁粉等。上述纳米吸波材料由于其独特的物理结构，具有良好的吸收电磁波的能力和频道兼容性，具体体现在：纳米粒子的尺度(1-100nm)远小于红外线及微波的波长，因此具有较高的比表面积，这可以形成多重散射；纳米吸波材料的量子尺寸效应使得纳米吸波材料能够与电磁波发生共振吸收；纳米吸波材料的界面组元所占比例大，表面原子比例高，不饱和键和悬挂键多，大量悬挂键的存在使界面极化，吸收频带较宽。因此，为了使屏蔽罩102的抗干扰效果达到最优，在本技术的一个具体实施例中，上述吸波材料102b具有选择纳米吸波材料，该纳米吸波材料例如是碳纳米管吸波材料、纳米金属吸波材料、纳米氧化物吸波材料等。上述屏蔽罩本体102a的材质可以为具有较好屏蔽效果的各种金属，在本技术的一个具体实施例中，该屏蔽罩本体102a的材质为铁氧体，铁氧体具有吸收效率高和吸收频段宽的特点，由于电磁波在介质中从低磁导向高磁导方向传播，因此，利用高磁导率的铁氧体能够引导电磁波，并通过共振大量吸收电磁波的辐射能量，再将耦合电磁波的能量转变成热能，进而获得较佳的抗干扰效果。为了进一步提高吸波材料102b的散射和吸收效果，在本技术的一个具体实施例中，该吸波材料102b形成凸凹不平的表面。图2是根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DC‑DC转换芯片(100)，其特征在于，包括芯片本体(101)和屏蔽罩(102)，所述屏蔽罩(102)包括屏蔽罩本体(102a)和设置在所述屏蔽罩本体(102a)的内壁上的吸波材料(102b)，所述屏蔽罩(102)包裹在所述芯片本体(101)上，以相对所述芯片本体(101)固定。

【技术特征摘要】
1.一种DC-DC转换芯片(100)，其特征在于，包括芯片本体(101)和屏蔽罩(102)，所述屏蔽罩(102)包括屏蔽罩本体(102a)和设置在所述屏蔽罩本体(102a)的内壁上的吸波材料(102b)，所述屏蔽罩(102)包裹在所述芯片本体(101)上，以相对所述芯片本体(101)固定。2.根据权利要求1所述的DC-DC转换芯片(100)，其特征在于，所述屏蔽罩本体(102a)的内壁完全被所述吸波材料(102b)覆盖。3.根据权利要求1所述的DC-DC转换芯片(100)，其特征在于，所述吸波材料(102b)为纳米吸波材料。4.根据权利要求1所述的DC-DC转...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹新放，王永文，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37