一种碳化硅单晶炉用压力控制系统技术方案
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种压力控制系统，具体涉及一种单晶炉压力控制系统。
技术介绍
碳化硅单晶生长中，载气一般使用氩气，不同的排气速度对生长晶体的多型有很大的影响。在确定生长时的温度梯度后，影响碳化硅单晶生长最重要的因素就是控制压力，但是目前的碳化硅单晶生长炉中还没有比较稳定、控制精确的压力控制系统。
技术实现思路
专利技术目的：本技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种控制精确，运行平稳的碳化硅单晶炉用压力控制系统。技术方案：为了解决上述技术问题，本技术所述的一种碳化硅单晶炉用压力控制系统，它包括反应室，在所述反应室一侧设有充气管路，另一侧设有主抽气管路和压力控制管路，在所述充气管路上设有充气阀和质量流量控制器，在所述主抽气管路上设有第一机械泵和第一抽气阀，在所述主抽气管路上设有分抽气管路，在所述分抽气管路上设有分子泵和第二抽气阀，在所述压力控制管路上设有压力传感器、压力控制阀、PID控制电路和第二机械泵，所述分抽气管路与压力控制管路相连。所述分抽气管路设在第一机械泵和第一抽气阀之间的主抽气管路上。所述分抽气管路与压力传感器前部的压力控制管路相连。有益效果：本技术与现有技术相比，其显著优点是：本技术整体结构设置合理，设置由充气阀和质量流量控制器组成的充气管路，及第一机械泵、第一抽气阀、分子泵和第二抽气阀组成的抽气管路，及压力传感器、PID控制电路、压力控制阀和第二机械泵组成的压力控制管路，确保控制精确，整体运行平稳可靠，为碳化硅单晶生长提供良好的压力环境。附图说明图1是本技术的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的说明。如图1所示，本技术...
【技术保护点】
一种碳化硅单晶炉用压力控制系统，其特征在于：它包括反应室（1），在所述反应室（1）一侧设有充气管路（2），另一侧设有主抽气管路（3）和压力控制管路（4），在所述充气管路（2）上设有充气阀（5）和质量流量控制器（6），在所述主抽气管路（3）上设有第一机械泵（7）和第一抽气阀（8），在所述主抽气管路（3）上设有分抽气管路（9），在所述分抽气管路（9）上设有分子泵（10）和第二抽气阀（11），在所述压力控制管路（4）上设有压力传感器（12）、压力控制阀（13）、PID控制电路（14）和第二机械泵（15），所述分抽气管路（9）与压力控制管路（4）相连。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶炉用压力控制系统，其特征在于：它包括反应室（1），在所述反应室（1）一侧设有充气管路（2），另一侧设有主抽气管路（3）和压力控制管路（4），在所述充气管路（2）上设有充气阀（5）和质量流量控制器（6），在所述主抽气管路（3）上设有第一机械泵（7）和第一抽气阀（8），在所述主抽气管路（3）上设有分抽气管路（9），在所述分抽气管路（9）上设有分子泵（10）和第二抽气阀（11），在所述压力控制管路（...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁玉平，闫鹏，袁佳斌，
申请(专利权)人：江苏拜尔特光电设备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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