【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种采用臭氧氧化法对半导体器件行业的晶片磨削废水进行有机物COD(化学需氧量)降解的装置,属于工业废水处理的
技术介绍
众所周知,半导体器件行业已成为中国环境污染的重要行业之一,尤其是对水环境的污染,已成为工业污染防治的重点。目前,国内大部分工厂处理半导体晶片磨削废水采用一级沉淀后与其他清洗废水混合再进行二级生化处理的工艺。但是生化处理要求污水中酸碱度及有机物含量不能波动太大,否则影响菌群繁殖,影响处理效果。中国专利文献CN101519251公开的《一种上流式多相氧化塔处理难生化降解废水的方法》,是将芬顿试剂和待处理的废水一起用泵送入上流式多相氧化塔内进行反应,其中芬顿试剂投加过程中H2O2与Fe2+的摩尔比为5~20:1,双氧水投加量与待处理水中COD(化学需氧量)质量比为2~3∶1,反应时间0.5~1hr。经氧化塔处理后的废水依次进入中和池、脱气池和混凝沉淀池:在中和池调节pH值至中性;在脱气池鼓风脱气10~20min,脱去反应中产生的微小氧气气泡,在混凝沉淀池的废水加聚丙烯酰胺进行混凝沉淀,上清液达标排放。该方法操作简单,无复杂设备、对污染物的去除效率较高。但是该方法的缺点是芬顿试剂调配要根据实际水质情况进行配比,比例难以掌握,且在配比时产生的络合物有毒性。CN202785779U公开的《化学催化降解COD系统降解废水的方法》中的化学催化降解COD系统,包括反应槽和沉降槽,反应槽与所述沉降槽之间通过溢流口连通,反应槽上部与药剂管、污水管连通,所述反应槽内部设有搅拌器,沉降槽中上部与净水管连通,底部与污泥管连通。此方法存在投资大费 ...
【技术保护点】
一种晶片磨削废水COD臭氧降解装置,包括处理槽、臭氧发生器和臭氧输入管,其特征是,臭氧输入管一端与臭氧发生器连接,一端伸入处理槽底部,臭氧输入管在处理槽底部的部分连接有微孔曝气盘,处理槽的上部设置有污水进管和尾气排放管,处理槽的底部设置有污水排放管。
【技术特征摘要】
1.一种晶片磨削废水COD臭氧降解装置,包括处理槽、臭氧发生器和臭氧输入管,其特征是,臭氧输入管一端与臭氧发生器连接,一端伸入处理槽底部,臭氧输入管在处理槽底部的部分连接有微孔曝气盘,处理槽的上部设置有污水进管和尾气排放管,...
【专利技术属性】
技术研发人员:王强,任忠祥,李香芝,徐现刚,
申请(专利权)人:山东浪潮华光光电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:山东;37
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