附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法技术

本发明专利技术涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法。具体提供一种极薄铜层的激光打孔性良好，适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。本发明专利技术的附载体铜箔是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为140以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法。
技术介绍
印刷配线板一般是经过在使绝缘基板粘附于铜箔而制成覆铜积层板后，利用蚀刻在铜箔面形成导体图案的步骤来制造。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断发展，对印刷配线板要求导体图案微细化(微间距化)或应对高频等。应对微间距化，最近要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但这种极薄的铜箔因为机械强度较低，容易在制造印刷配线板时破裂或产生皱褶，所以出现了附载体铜箔，其是使用具有厚度的金属箔作为载体，并在该金属箔上隔着剥离层电沉积极薄铜层而成。在将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板而进行热压接后，载体经由剥离层被剥离去除。在露出的极薄铜层上利用阻剂形成电路图案后，形成特定电路。这里，为了提高印刷配线板的集成电路密度，一般有形成激光孔，并通过该孔使内层与外层连接的方法。另外，伴随窄间距化的微细电路形成方法可以使用在极薄铜层上形成配线电路后，利用硫酸-过氧化氢类的蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除的方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process)，所以极薄铜层的激光打孔性在制作高密度集成电路基板方面为重要项目。极薄铜层的激光打孔性因为和孔径精度以及激光输出等各条件相关，所以会给集成电路的设计及生产性带来较大影响。在一般的激光打孔加工中，为了提高激光波长的吸收性而利用药液对极薄铜层表面实施黑化处理或微小凹凸处理，然后进行激光打孔。但是，随着高集成化，多数情况下不进行如上所述的处理而直接向极薄铜箔表面照射激光，形成激光孔。通常所使用的激光为二氧化碳激光，因为铜具有反射该波长区域的特性，所以如果不进行将表面粗化等
处理，那么激光打孔性不会得到改善。作为这种技术，专利文献1中记载有通过覆铜积层板的外层铜箔使用波状的铜箔，能够提供一种激光打孔性良好的覆铜积层板。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利第3261119号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的课题]但是，如果粗化极薄铜层表面，那么会产生损害微细电路形成性的问题。因此，本专利技术的课题在于提供一种极薄铜层的激光打孔性良好，适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。[解决课题的技术手段]为了达成所述目的，本专利技术者反复进行努力研究，结果发现，通过控制极薄铜层的中间层侧表面的MD方向(长度方向，周向)的光泽度，或通过控制极薄铜层的中间层侧表面的TD方向(宽度方向，横向)的光泽度，能够提供一种极薄铜层的激光波长的吸收提高，极薄铜层的激光打孔性良好，适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。本专利技术是基于所述见解而完成，在一形态中是一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为140以下。本专利技术的附载体铜箔在一实施方式中，所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为130以下。本专利技术的附载体铜箔在另一实施方式中，所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为120以下。本专利技术的附载体铜箔在另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为110以下。本专利技术在另一形态中是一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65以下。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为60以下。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为55以下。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的MD方向的平均粗糙度Rz为1.5μm以下。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为0.80μm以上。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的TD方向的平均粗糙度Rz为1.7μm以下。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度/所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为2.05以下。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度/所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为1.95以下。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的MD方向的平均粗糙度Rz/所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的TD方向的平均粗糙度Rz为0.55以上。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，在本专利技术的附载体铜箔在载体的一面具有极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一个表面或两个表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，或在本专利技术的附载体铜箔在载体的两面具有极薄铜层的情况下，在该一个或两个极薄铜层侧的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，所述粗化处理层是包含选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一单质或含有任一种以上的单质的合金的层。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，在选自由所述粗化处理层、所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，在所述极薄铜层上具备树脂层。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施方式中，所述树脂层是粘附用树脂、及/或半固化状态的树脂。本专利技术在进而另一形态中是一种积层体，其是使用本专利技术的附载体铜箔而制造。本专利技术在进而另一形态中是一种积层体，其是包含本专利技术的附载体铜箔与树脂的积层体，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部由所述树脂所覆盖。本专利技术在进而另一形态中是一种积层体，其是将一个本专利技术的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层在另一个本专利技术的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。本专利技术在进而另一形态中是一种印刷配线板，其是使用本专利技术的附载体铜箔而制造。本专利技术在进而另一形态中是一种电子机器，其是使用本专利技术的印刷配线板而制造。本专利技术在进而另一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：准备本专利技术的附载体铜箔与绝缘基板；积层所述附载体铜箔与绝缘基板；及在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，之后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法而形成电路。本专利技术在进而另一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：在本专利技术的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路；以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；在所述树脂层上形成电路；在所述树脂层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为140以下。

【技术特征摘要】
2015.02.06 JP 2015-0227401.一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为140以下。2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65以下。3.一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为130以下。4.根据权利要求3所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65以下。5.一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为120以下。6.根据权利要求5所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65以下。7.一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为110以下。8.根据权利要求7所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65以下。9.根据权利要求1、3、5、7中任一项所述的附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度满足以下(1-1)～(1-4)的项目中的1个或2个或3个或4个，(1-1)65以下、(1-2)60以下、(1-3)55以下、(1-4)50以下。10.一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65以下。11.一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为60以下。12.一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所
\t述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为55以下。13.一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为50以下。14.根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以下。15.根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为0.80μm以上。16.根据权利要求14所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为0.80μm以上。17.根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的TD方向的十点平均粗糙度Rz为1.7μm以下。18.根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度/所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为2.05以下。19.根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度/所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为1.95以下。20.根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz/所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的TD方向的十点平均粗糙度Rz为0.55以上。21.一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为140以下，在所述极薄铜层的所述中间层侧表面满足以下(2-2)～(2-14)的项目中的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个或13个：(2-2)MD方向的60度镜面光泽度为130以下、(2-3)MD方向的60度镜面光泽度为120以下、(2-4)MD方向的60度镜面光泽度为110以下、(2-5)TD方向的60度镜面光泽度为65以下、(2-6)TD方向的60度镜面光泽度为60以下、(2-7)TD方向的60度镜面光泽度为55以下、(2-8)TD方向的60度镜面光泽度为50以下、(2-9)利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以下、(2-10)利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为0.8μm以上、(2-11)利用接触式粗糙度计测得的TD方向的十点平均粗糙度Rz为1.7μm以下、(2-12)MD方向的60度镜面光泽度/TD方向的60度镜面光泽度为2.05以下、(2-13)MD方向的60度镜面光泽度/TD方向的60度镜面光泽度为1.95以下、(2-14)利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz/利用接触式粗糙度计测得的TD方向的十点平均粗糙度Rz为0.55以上。22.一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65以下，在所述极薄铜层的所述中间层侧表面满足以下(2-1)～(2-4)及(2-6)～(2-14)的项目中的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个或13个：(2-1)MD方向的60度镜面光泽度为140以下、(2-2)MD方向的60度镜面光泽度为130...

【专利技术属性】
技术研发人员：古曳伦也，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP