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一种CIGS/CGS双结叠层薄膜太阳电池制造技术

技术编号:13542836 阅读:143 留言:0更新日期:2016-08-18 04:09
本发明专利技术涉及一种CIGS/CGS双结叠层薄膜太阳电池,包括一个窄带隙的铜铟镓硒底电池和一个宽带隙的铜镓硒顶电池,其特点是:所述底电池和顶电池由连接层内部串联成为一体;所述连接层由位于底电池的透明金属氧化物导电层和位于顶电池的纳米金属导电层构成;所述铜镓硒顶电池的导电窗口层包括ITO复合导电薄膜层和ITO薄膜层,所述铜镓硒顶电池的导电窗口层和电极层的表面具有氮化硅减反射层。本发明专利技术采用了透明金属氧化物与纳米金属薄膜的组合作为底电池和顶电池的连接层,解决了底电池和顶电池之间的工艺兼容性问题,实现了底电池和顶电池之间的内部电学连接,简化了电池制作工艺,降低了电池的制作成本,电池结构简单,同时导电窗口层透光率和电导率高且钝化效果好,串联电阻小,有效提高了薄膜太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
201610232094

【技术保护点】
一种CIGS/CGS双结叠层薄膜太阳电池,包括一个窄带隙的铜铟镓硒底电池和一个宽带隙的铜镓硒顶电池,其特征在于:所述底电池和顶电池由连接层内部串联成为一体;所述连接层由位于底电池的透明金属氧化物导电层和位于顶电池的纳米金属导电层构成;所述铜镓硒顶电池的导电窗口层包括ITO复合导电薄膜层和ITO薄膜层,所述铜镓硒顶电池的导电窗口层和电极层的表面具有氮化硅减反射层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄广明
申请(专利权)人:黄广明
类型:发明
国别省市:广东;44

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