一种硅块的少子寿命检测方法技术

本发明专利技术公开了一种少子寿命检测方法，包括：将硅锭的顶面划分为多个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭进行切割；定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；对所述第一类硅块、第二类硅块以及第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。所述少子寿命检测方法工作效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种硅块的少子寿命检测方法
本专利技术涉及硅锭质量检测
，更具体的说，涉及一种硅块的少子寿命检测方法。
技术介绍
目前，铸造多晶硅锭的检测中，硅锭切割后的硅块少子检测是很重要的环节，少子的寿命大小通常表征了硅块的电学性能，少子的寿命低的硅块切割成硅片后，制作的太阳能电池的转换效率较低，难以满足电能转换标准。太阳能电池所用的电池片是在铸锭炉中制备的硅锭制备而成。在进行少子寿命检测时，首先根据所需制备的电池片的尺寸将所述硅锭进行切割形成多个体积较小的硅块，然后对各个硅块进行少子寿命检测。现有技术进行少子寿命检测时，检测过程复杂，工作效率低。如何提高少子寿命检测的工作效率使得当前亟待解决的一个问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种硅块的少子寿命检测方法，提高了少子寿命检测的工作效率。为实现上述目的，本申请实施例提供了一种硅块的少子寿命检测方法，该少子寿命检测方法包括：将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数；定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为950mm-1150mm，包括端点值；所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为6×6个阵列排布的区域。优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，其中，所有的第一类硅块的被检测表面均平行于所述阵列的列方向。优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对位于所述阵列第二行的第二类硅块、位于所述阵列第四行的第二类硅块以及位于所述阵列第四列的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，位于所述阵列第二行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第五行相对；位于所述阵列第四列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三列相对。优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对位于所述阵列第二行的第三类硅块以及位于所述阵列第四行的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，位于所述阵列第二行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列第五行相对。优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为780mm-900mm，包括端点值；所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为5×5个阵列排布的区域。优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，位于所述阵列第一行第一列的第一类硅块与位于所述阵列第五行第五列的第一类硅块的被检测表面平行于所述阵列的列方向；位于所述阵列第一行第五列的第一类硅块与位于所述阵列第五行第一列的第一类硅块的被检测表面平行于所述阵列的行方向。优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对位于所述阵列第三行的第二类硅块、位于所述阵列第三列的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，位于所述阵列第三行第一列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第二行相对；位于所述阵列第三行第五列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第四行相对；位于所述阵列第三列第一行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第四列相对；位于所述阵列第三列第五行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第二列相对。优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对位于所述阵列第三行的第三类硅块以及位于所述阵列第三列的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，位于所述阵列第三行第二列的第三类硅块与位于所述阵列第三行第三列的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第二行相对；位于所述阵列第三列第二行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第四列相对；位于所述阵列第三行第四列的第三类硅块与所述阵列的第四行相对；位于所述阵列第三列第四行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第二列相对。通过上述描述可知，本专利技术技术方案提供的少子寿命检测方法包括：将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数；定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。所述少子寿命检测方法采用共面测试方式，只需对选定硅块的设定表面进行少子寿命检测，无需对每一个硅块的所有表面进行少子寿命检测，即可实现对切割后硅块少子寿命的检测，提高了工作效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种勺子寿命检测方法的流程示意图；图2为本申请实施例提供的一种硅锭切割以及被检测表面标记的结构示意图；图3为本申请实施例提供的另一种硅锭切割以及被检测表面标记的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参考图1，图1为本申请实施例提供的一种少子寿命检测方法的流程示意图。所述少子寿命检测方法包括：步骤S11：将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数。所述硅锭的顶面为铸锭时硅锭朝向坩埚口的表面，其顶面为朝向坩埚底部的表面。所述M、N的具体取值根据所述硅锭的尺寸设定，在此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅块的少子寿命检测方法，其特征在于，包括：将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数；定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。

【技术特征摘要】
1.一种硅块的少子寿命检测方法，其特征在于，包括：将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数；定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为950mm-1150mm，包括端点值；所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为6×6个阵列排布的区域。3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，其中，所有的第一类硅块的被检测表面均平行于所述阵列的列方向。4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对位于所述阵列第二行的第二类硅块、位于所述阵列第四行的第二类硅块以及位于所述阵列第四列的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，位于所述阵列第二行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第五行相对；位于所述阵列第四列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三列相对。5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对位于所述阵列第二行的第三类硅块以及位于所述阵列第四行的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪万盾，
申请(专利权)人：浙江昱辉阳光能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33