用于改善器件电学性能的方法以及半导体制造方法技术

技术编号:13360699 阅读:79 留言:0更新日期:2016-07-17 20:29
本发明专利技术提供了一种用于改善器件电学性能的方法以及半导体制造方法。根据本发明专利技术的用于改善器件电学性能的方法包括:第一步骤:将快速热处理设备的所有灯泡划分成多个温度区;第二步骤:为所述多个温度区内的灯泡分别设置各自的辐射温度;第三步骤:在设置的各个辐射温度下,利用快速热处理设备对快速热处理设备中布置的硅片进行加热。

【技术实现步骤摘要】
201610307743

【技术保护点】
一种用于改善器件电学性能的方法,其特征在于包括:第一步骤:将快速热处理设备的所有灯泡划分成多个温度区;第二步骤:为所述多个温度区内的灯泡分别设置各自的辐射温度;第三步骤:在设置的各个辐射温度下,利用快速热处理设备对快速热处理设备中布置的硅片进行加热。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:董碧云李志国黄冲朱云
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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