复合频率超声波清洗装置制造方法及图纸

技术编号:13199618 阅读:57 留言:0更新日期:2016-05-12 09:41
本发明专利技术涉及家电清洗设备领域,特别是涉及复合频率超声波清洗装置,其包括:处理器、第一推挽电路至第三推挽电路、第一压电陶瓷片至第三压电陶瓷片;处理器分别通过第一推挽电路与第一压电陶瓷片连接,通过第二推挽电路与第二压电陶瓷片连接,通过第三推挽电路与第三压电陶瓷片连接。上述复合频率超声波清洗装置,通过处理器产生三路互不干扰、不同频率的超声波,且第一频率的超声波、第二频率的超声波和第三频率的超声波相互重合,使三者之间能最大限度地用各自的波峰补偿对方的波谷,以避免驻波现象,从而提高了清洗效率和清洗效果,且采用压电陶瓷片可有效地降低产品体积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及家电清洗设备领域,特别是涉及复合频率超声波清洗装置
技术介绍
超声波(Ultrasound)是指任何声波或振动,其频率超过人类耳朵可以听到的最高阈值20kHz。超声波由于其高频特性而被广泛应用于众多领域,比如金属探伤、工件清洗等。根据功率大小可分为功率超声波和检测超声波。功率超声波的清洁原理:在液体中传播的超声波能对物体表面的污物进行清洗,其原理可用“空化”现象来解释。清洗效果和超声波在液体中产生的“空化”强度有密切的关系O超声波通过振动在液体中传播,当其声波压强达到一个大气压时,超声波的功率密度约为0.35ff/cm,这时在液体中传播的超声波的声波压强峰值就可以轻易达到真空或负压;但实际上是无负压现象存在的,因而在液体中产生一个很大的力,将液体分子拉裂成空洞(空化核),此空洞为真空或非常接近真空。此外,该空洞在信号电压(或超声波压强)值在下一个半周达到最大时,由于周围压力的增大而被压碎,此时液体分子激烈碰撞产生非常强大的冲击力,将被清洗物体表面的污物撞击下来。这些无数细小而密集的气泡破裂时产生冲击波的现象被称之为“空化”作用。这种空化作用非常容易在固体与液体的交界处产生,因而对于浸入超声作用下的液体中的物体有超乎寻常的清洗作用。另外,由于超声波具有很强的穿透固体的作用,可以穿透到被清洗物的另一侧表面,以及所有浸入介质中的内腔、盲孔、狭缝,将被清洗物表面附着的污垢剥落,达到较佳的清洗效果。同时,超声波还有乳化中和作用,能更有效防止被清洗掉的油污重新附着在被清洗物件上。所以这种“空化”作用对浸入超声波作用下的液体中物体内外表面,例如管件、箱体件等均能得到清洗,这是超声波清洗优于其它清洗手段的重要方面。目前,市场上的超声波清洗设备的主要器件是胶合在清洗容器底部的超声波振子,其在驱动电路的作用下产生固定频率的超声波振动,在水中传播的超声波产生空化的真空气泡,以对物体表面进行清洗。然而,现有的超声波清洗设备往往具有如下缺陷:1、单一的固定频率,换能器固定的振动频率,空化不够且容易行成驻波,导致清洁效果不佳。2、采用大体积大功率的超声波换能器,变压器采用磁芯骨架结构,影响整个超声波清洗设备,使得其体积偏大。3、清洗效率低下,在不同的水深中难以保持同样的清洗效率。
技术实现思路
基于此,有必要针对如何提高清洗效率和清洗效果以及如何降低产品体积等问题,提供一种复合频率超声波清洗装置。一种复合频率超声波清洗装置,包括:处理器、第一推挽电路至第三推挽电路、第一压电陶瓷片至第三压电陶瓷片;所述处理器分别通过所述第一推挽电路与所述第一压电陶瓷片连接,通过所述第二推挽电路与所述第二压电陶瓷片连接,通过所述第三推挽电路与所述第三压电陶瓷片连接;所述第一压电陶瓷片用于产生第一频率的超声波,所述第二压电陶瓷片用于产生第二频率的超声波,所述第三压电陶瓷片用于产生第三频率的超声波。在其中一个实施例中,还包括第一反馈电路至第三反馈电路;所述处理器分别通过所述第一反馈电路与所述第一压电陶瓷片连接,通过所述第二反馈电路与所述第二压电陶瓷片连接,通过所述第三反馈电路与所述第三压电陶瓷片连接;所述处理器分别根据所述第一反馈电路调整所述第一频率的超声波的功率,根据所述第二反馈电路调整所述第二频率的超声波的功率,根据所述第三反馈电路调整所述第三频率的超声波的功率。在其中一个实施例中,还包括整流电路,所述整流电路的输出端分别与所述处理器、所述第一推挽电路、所述第二推挽电路、所述第三推挽电路连接。在其中一个实施例中,所述第一推挽电路包括第一图腾柱电路、第二图腾柱电路、第一 MOS管、第二 MOS管和第一变压器;所述第一图腾柱电路分别连接所述处理器和所述第一MOS管,所述第二图腾柱电路分别连接所述处理器和所述第二 MOS管;所述第一MOS管与所述第一变压器的直流输入端连接,所述第二 MOS管与所述第一变压器的另一直流输入端连接,所述第一变压器还与所述第一压电陶瓷片连接。在其中一个实施例中,所述第一变压器包括两直流输入端、交流输入端和两交流输出端,所述第一MOS管与一所述直流输入端连接,所述第二 MOS管与另一所述直流输入端连接,所述交流输入端用于连接外部交流电,所述第一压电陶瓷片与两所述交流输出端形成回路。在其中一个实施例中,所述第一压电陶瓷片与两所述交流输出端之间还串联有第一电感。在其中一个实施例中,还包括本体,所述本体设置有凹槽和安装腔,所述凹槽用于容置液态水,所述处理器、所述第一推挽电路至所述第三推挽电路、所述第一压电陶瓷片至所述第三压电陶瓷片设置于所述安装腔中。在其中一个实施例中,所述第一压电陶瓷片、所述第二压电陶瓷片和所述第三压电陶瓷片均匀分布并抵接所述凹槽底部。在其中一个实施例中,所述本体为一侧开口的中空圆柱体结构。在其中一个实施例中,所述本体为中空一侧开口的正方体结构。上述复合频率超声波清洗装置,通过处理器产生三路互不干扰、不同频率的超声波,且第一频率的超声波、第二频率的超声波和第三频率的超声波相互重合,使三者之间能最大限度地用各自的波峰补偿对方的波谷,以避免驻波现象,从而提高了清洗效率和清洗效果,且采用压电陶瓷片可有效地降低产品体积。【附图说明】图1为本专利技术一实施例复合频率超声波清洗装置的结构示意图;图2为本专利技术一实施例第一频率、第二频率和第三频率的超声波单独的波形示意图以及三者重合的波形示意图;图3为本专利技术另一实施例复合频率超声波清洗装置的结构示意图;图4为本专利技术一实施例复合频率超声波清洗装置的电路结构示意图;图5为本专利技术另一实施例复合频率超声波清洗装置的结构示意图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进,因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。需要说明的是,当元件被称为“固定于”、“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。请参阅图1,其为本专利技术一实施例复合频率超声波清洗装置的结构示意图,复合频率超声波清洗装置10包括:处理器100、第一推挽电路210、第二推挽电路220、第三推挽电路230、第一压电陶瓷片310、第二压电陶瓷片320、第三压电陶瓷片330。处理器100分别通过第一推挽电路210与第一压电陶瓷片310连接,通过第二推挽电路220与第二压电陶瓷片320连接,通过第三推挽电路230与第三压电陶瓷片330连接。第一压电陶瓷片310用于产生第一频率的超声波,第二压电陶瓷片320用于产生第二频率的超声波,第三压电陶瓷片330用于产生第三频率的超声波。第一频率的超声波、第二频率的超声波和第三频率的超声波相互重合,且第二频率的超声波的波峰和第三频率的超声波的波峰相异,并位于第一频率的超声波的相邻两波峰之间。通过处理器产生三路互不干本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种复合频率超声波清洗装置,其特征在于,包括:处理器、第一推挽电路至第三推挽电路、第一压电陶瓷片至第三压电陶瓷片;所述处理器分别通过所述第一推挽电路与所述第一压电陶瓷片连接,通过所述第二推挽电路与所述第二压电陶瓷片连接,通过所述第三推挽电路与所述第三压电陶瓷片连接;所述第一压电陶瓷片用于产生第一频率的超声波,所述第二压电陶瓷片用于产生第二频率的超声波,所述第三压电陶瓷片用于产生第三频率的超声波。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:姚光荣王刚赵俊松
申请(专利权)人:深圳市智水小荷技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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