本实用新型专利技术涉及一种应用于摄像机的电平转换电路，包括电路主控芯片，电路主控芯片中设置有电平转换电路，电路主控芯片上连接有电平转换端，电平转换电路中设置有栅极G、源极S和漏极D，采用NMOS管实现电平转换。此电路的优点：(1)适用于频率不是太高的电平转换电路，成本低；(2)MOS管导通压降低，相当于机械开关；(3)不需要额外的外部控制的GPIO管脚，节省IO管脚；(4)此电路功耗比专用的电平转换芯片低。此电路MOS管的栅极也可以接在低电压侧，具体看两端的电平差距以及MOS管的导通电压，但是原理基本相同；此电路的源极一般连接低电平处，漏极连接高电平处。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电平转换电路，特别是涉及到一种应用于摄像机的电平转换电路。
技术介绍
现今CPU芯片种类和厂家越来越多，不同厂家的IC电平并不尽相同，所以在实际使用的过程中可能会用到一些电平转换电路来实现不同IC或者接口之间的互连，电平转换电路应运而生，而且在整个电路结构中起到了极其关键的作用。本项电平转换电路改进是应用在摄像机I2C以及图像传感器输出的SPI接口电平转换方案，原有的设计是采用NXP或者TI等芯片制造厂家的专用电平转换芯片，转换方向需要外部配置电阻通过高低电平实现。原先方案有如下一些缺点:(I)专用的电平转换芯片价格较高，并且转换逻辑门数日受制于芯片门数目限制，无法自由选择，有可能会出现芯片最低是2路电平转换，但是实际应用的时候可能只需要一路，所以成本相对较高；(2)专用电平转换芯片的方向是由芯片一个管脚控制，如果使用硬件上下拉电阻控制只能实现单向传输；若使用CPU的GP1管脚控制，电路设计麻烦并且需要单独的芯片GP1控制，浪费1管脚；(3)内部逻辑门电路相比于MOS管方案功耗较大，在一些对功耗要求比较严格的场合不适应用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种应用于摄像机的电平转换电路，以便克服上述问题，更加方便使用。为了实现上述目的，本技术的技术方案如下。—种应用于摄像机的电平转换电路，包括电路主控芯片，电路主控芯片中设置有电平转换电路，电路主控芯片上连接有电平转换端，电平转换电路中设置有栅极G、源极S和漏极D，采用NMOS管实现电平转换。以I2C 3.3V转5V电平转换电路为例说明，此方案是采用NMOS管实现电平转换，图中NM0SFET的I脚为栅极G，2脚为源极S，3脚为漏极D。当3.3V端高电平时，若MOS管的Vgs导通电压较高，则MOS管不导通，5V端被上拉至IJ 5V，为高电平；SM0S管的Vgs导通电压偏低，MOS管道通，由于两端上拉电阻值的选择不同，低电压侧电阻较大，高电压处电阻较低，5V总线上的电压值相当于两个上拉电阻的分压结果，在此电路上还是接近5V，依旧是高电平；当3.3V端出现低电平时，由于MOS管栅极处在高电平状态，故MOS管道通，在5V出出现低电平；当5V端高电平时，同3.3V端出现高电平情况同理，不管MOS管Vgs导通电压值如何，在3.3V总线端必然出现高电平；当5V端低电平时，由于MOS管的漏极基底二极管的作用，将3.3V端点评也拉低。 所以此电路实现了不同电平间的自动双向电平转换。该技术的有益效果在于:此电路的优点:(I)适用于频率不是太高的电平转换电路，成本低；(2)M0S管导通压降低，相当于机械开关；(3)不需要额外的外部控制的GP1管脚，节省1管脚；(4)此电路功耗比专用的电平转换芯片低。此电路MOS管的栅极也可以接在低电压侧，具体看两端的电平差距以及MOS管的导通电压，但是原理基本相同；此电路的源极一般连接低电平处，漏极连接高电平处。【附图说明】图1是本技术实施例中所使用模块功能框图。图2是本技术实施例中所使用电路图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术的【具体实施方式】进行描述，以便更好的理解本技术。如图1所示的应用于摄像机的基于NMOS管实现的双向电平转换电路，包括电路主控芯片，电路主控芯片中设置有电平转换电路，电路主控芯片上连接有电平转换端，电平转换电路中设置有栅极G、源极S和漏极D，采用NMOS管实现电平转换。图2所示，以I2C 3.3V转5V电平转换电路为例说明，此方案是采用NMOS管实现电平转换，图中NM0SFET的I脚为栅极G，2脚为源极S，3脚为漏极D。当3.3V端高电平时，若MOS管的Vgs导通电压较高，则MOS管不导通，5V端被上拉至IJ 5V，为高电平；SM0S管的Vgs导通电压偏低，MOS管道通，由于两端上拉电阻值的选择不同，低电压侧电阻较大，高电压处电阻较低，5V总线上的电压值相当于两个上拉电阻的分压结果，在此电路上还是接近5V，依旧是高电平；当3.3V端出现低电平时，由于MOS管栅极处在高电平状态，故MOS管道通，在5V出出现低电平；当5V端高电平时，同3.3V端出现高电平情况同理，不管MOS管Vgs导通电压值如何，在3.3V总线端必然出现高电平；当5V端低电平时，由于MOS管的漏极基底二极管的作用，将3.3V端电平也拉低。所以此电路实现了不同电平间的自动双向电平转换。以上所述是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。【主权项】1.一种应用于摄像机的电平转换电路，其特征在于:包括电路主控芯片，电路主控芯片中设置有电平转换电路，电路主控芯片上连接有电平转换端，电平转换电路中设置有栅极G、源极S和漏极D，采用NMOS管实现电平转换。【专利摘要】本技术涉及一种应用于摄像机的电平转换电路，包括电路主控芯片，电路主控芯片中设置有电平转换电路，电路主控芯片上连接有电平转换端，电平转换电路中设置有栅极G、源极S和漏极D，采用NMOS管实现电平转换。此电路的优点：(1)适用于频率不是太高的电平转换电路，成本低；(2)MOS管导通压降低，相当于机械开关；(3)不需要额外的外部控制的GPIO管脚，节省IO管脚；(4)此电路功耗比专用的电平转换芯片低。此电路MOS管的栅极也可以接在低电压侧，具体看两端的电平差距以及MOS管的导通电压，但是原理基本相同；此电路的源极一般连接低电平处，漏极连接高电平处。【IPC分类】H03K19/0175【公开号】CN205070974【申请号】CN201520821524【专利技术人】刘洋, 随守鑫, 蓝峰清 【申请人】青岛比特信息技术有限公司【公开日】2016年3月2日【申请日】2015年10月23日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种应用于摄像机的电平转换电路，其特征在于：包括电路主控芯片，电路主控芯片中设置有电平转换电路，电路主控芯片上连接有电平转换端，电平转换电路中设置有栅极G、源极S和漏极D，采用NMOS管实现电平转换。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，随守鑫，蓝峰清，
申请(专利权)人：青岛比特信息技术有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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