一种异质结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，用以去除传送过程中晶体硅片表面和硅薄膜层上的沾污和氧化层，提高晶体硅片表面的钝化质量，提升电池的填充因子和转换效率。所述异质结太阳能电池的制备方法，包括：在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层；在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对所述第一硅薄膜层和所述晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及异质结太阳能电池
，尤其涉及。
技术介绍
随着光伏产业及其市场的发展，开发高效率、低成本的异质结太阳电池已成为主要研究方向。氢化非晶硅(a_S1:H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳能电池结合了晶体硅与薄膜硅技术的优点，既利用了低温的薄膜沉积工艺，又发挥了晶体硅高迀移率的优势，同时具有制备工艺简单、转换效率高等特性。现有的异质结太阳能电池制备工艺流程如图1所示，包括:晶体硅片制绒清洗102、第一本征层I层沉积104、掺杂层P(或N)层沉积106、第二本征层I层沉积108、掺杂层N (或P)层沉积110、透明导电膜沉积112、丝网印刷114、退火116，其中，在沉积工艺中，晶体硅片需要传送到不同类型的薄膜沉积腔室中，在传送过程中晶体硅片会与托盘或衬底相接触，托盘或衬底上的杂质或污染物容易粘到晶体硅片上，从而对晶体硅片产生沾污，降低晶体硅片表面的钝化质量；同时，在传送过程中晶体硅片暴露于空气中，很容易被氧化而在晶体硅片表面产生氧化层，降低晶体硅片表面的钝化质量，从而降低电池的填充因子，还使电池的成品率下降。综上所述，现有的硅基异质结太阳能电池制备工艺流程中，在沉积工艺中，晶体硅片在多个沉积腔室之间传送时，与托盘或衬底相接触，容易被沾污，且暴露于空气中易被氧化形成氧化层，降低晶体硅片表面的钝化质量，从而降低电池的填充因子，致使电池的成品率下降。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了，用以去除传送过程中晶体硅片表面和硅薄膜层上的沾污和氧化层，提高晶体硅片表面的钝化质量，提升电池的填充因子和转换效率。本专利技术实施例提供的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括:在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层；在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对所述第一硅薄膜层和所述晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗，其中，所述晶体硅片的第一侧表面与第二侧表面相对。本专利技术实施例提供的上述方法中，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对第一硅薄膜层和晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对第一硅薄膜层和第二硅薄膜层进行清洗，能够去除传送过程中第一硅薄膜层表面以及晶体硅片第二侧表面和/或第二硅薄膜层表面的沾污和氧化层，与现有技术中晶体硅片在多个沉积腔室之间传送时，因未对晶体硅片清洗导致晶体硅片的表面钝化质量降低相比，提高了晶体硅片表面的钝化质量，同时为后续工艺提供一个更加清洁的表面，改善透明导电膜层与第一硅薄膜层、透明导电膜层与第二硅薄膜层之间的界面性能，从而提升电池的填充因子和转换效率。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，清洗时使用的清洗液中包括:氢氟酸溶液和双氧水溶液。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，所述清洗液中氢氟酸溶液的浓度大于或等于0.5%且小于或等于5%。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，所述清洗液中氢氟酸溶液的浓度大于或等于1%且小于或等于2%。 在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，所述清洗液中双氧水溶液的浓度大于或等于0.5%且小于或等于5%。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，所述清洗液中双氧水溶液的浓度大于或等于1%且小于或等于2%。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，清洗的时间大于或等于1分钟且小于或等于10分钟。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，所述清洗的时间大于或等于2分钟且小于或等于8分钟。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，所述清洗的时间大于或等于3分钟且小于或等于6分钟。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层之前，该方法还包括:对所述晶体硅片进行制绒清洗；在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后或者在对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗之后，该方法还包括:在所述第一硅薄膜层表面和所述第二硅薄膜层表面沉积透明导电膜，并对沉积透明导电膜之后的晶体硅片进行丝网印刷和退火处理。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，所述在晶体硅片第一侧表面沉积第一娃薄膜层，包括:在晶体娃片第一侧表面依次沉积第一本征层I层和掺杂层P层，或者在晶体硅片第一侧表面依次沉积第一本征层I层和掺杂层N层。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，当在晶体硅片第一侧表面依次沉积第一本征层I层和掺杂层P层时，所述在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层，包括:在晶体硅片第二侧表面依次沉积第二本征层I层和掺杂层N层；以及当在晶体硅片第一侧表面依次沉积第一本征层I层和掺杂层N层时，所述在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层，包括:在晶体硅片第二侧表面依次沉积第二本征层I层和掺杂层P层。本专利技术实施例提供的一种异质结太阳能电池，包括:所述异质结太阳能电池采用本专利技术上述实施例所述的制备方法制备而成。本专利技术实施例提供的异质结太阳能电池，采用本专利技术上述实施例提供的制备方法制备而成，也即在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对第一硅薄膜层和晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对第一硅薄膜层和第二硅薄膜层进行清洗，能够去除传送过程中第一硅薄膜层表面以及晶体硅片第二侧表面和/或第二硅薄膜层表面的沾污和氧化层，与现有技术中晶体硅片在多个沉积腔室之间传送时，因未对晶体硅片清洗导致晶体硅片的表面钝化质量降低相比，提高了晶体硅片表面的钝化质量，同时为后续工艺提供一个更加清洁的表面，改善透明导电膜层与第一硅薄膜层、透明导电膜层与第二硅薄膜层之间的界面性能，从而提升电池的填充因子和转换效率。【附图说明】图1为现有技术中异质结太阳能电池制备工艺的示意流程图；图2为本专利技术实施例提供的一种异质结太阳能电池的制备方法的示意流程图；图3为本专利技术实施例提供的异质结太阳能电池的制备方法的一种实施方式的示意流程图；图4为本专利技术实施例提供的异质结太阳能电池的制备方法的另一种实施方式的示意流程图；图5为本专利技术实施例提供的异质结太阳能电池的制备方法的又一种实施方式示意流程图；图6为本专利技术实施例提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图，对本专利技术实施例提供的的【具体实施方式】进行详细地说明。需要说明的是，本专利技术实施例中对第一硅薄膜层和晶体硅片第二侧表面进当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层；在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对所述第一硅薄膜层和所述晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗，其中，所述晶体硅片的第一侧表面与第二侧表面相对。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王进，张娟，陈光羽，谷士斌，张林，田小让，侯洪涛，赵冠超，何延如，杨荣，王琦，李立伟，郭铁，
申请(专利权)人：新奥光伏能源有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13