一种太阳能电池结构制造技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池结构，包括：N型晶体硅，包括第一表面和第二表面；第一氧化硅层，位于N型晶体硅的第一表面的上方；第二氧化硅层，位于N型晶体硅的第二表面的下方；第一多晶硅层，位于第一氧化硅层的上方；第二多晶硅层，位于第二氧化硅层的下方；以及第一抗反射涂层，位于第一多晶硅层的上方。相比于现有技术，本发明专利技术藉由N型晶体硅的上下表面的氧化硅层与多晶硅层的层叠结构取代现有的非晶硅层，使得电池结构可耐高温，并且在其上方可使用耐高温的抗反射涂层/高温银胶。此外，本发明专利技术利用氮化硅或氧化硅材质的抗反射涂层不仅可增加抗反射效果，而且相较于透明导电氧化物材质更能节约成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能发电
，尤其涉及一种耐高温的太阳能电池结构。
技术介绍
近些年来，由于世界各地的原油存量逐年的减少，能源问题已成为全球注目的焦点。为了解决能源耗竭的危机，各种替代能源的发展与利用实为当务之急。随着环保意识抬头，加上太阳能具有零污染、取之不尽用之不竭的优点，太阳能发电技术已成为相关领域中最受瞩目的焦点。因此，在日照充足的位置，例如建筑物屋顶、广场等等，愈来愈广泛地见到太阳能面板的装设。太阳能电池也可以称之为光伏电池，其是一种利用光伏效应(PhotovoltaicEffect)将太阳光辐射直接转换为电能的新型发电技术，因其具有资源充足、清洁、安全、寿命长等优点，被认为是最有前途的可再生的能源技术之一。通常来讲，晶体硅太阳能电池包括单晶娃太阳能电池、多晶娃太阳能电池和尚效晶体娃太阳能电池等。以尚效晶体娃太阳能电池为例，其主要包括非晶娃/晶娃异质结(Hetero-junct1n with intrinsic thinlayer, HJT)电池、全背电极接触晶娃(Interdigitated back contact，IBC)电池。其中，HJT电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，其结合了单晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池各自的优势，已逐渐成为目前主流的几种高效太阳能电池技术之一。然而，在现有技术中，HJT太阳能电池中的非晶娃(amorphous，a_Si)材质不耐高温，因此只能使用低温银胶(Ag paste)与成本昂贵的透明导电氧化物(TransparentConductive Oxide, TC0)薄膜作为抗反射层。有鉴于此，如何设-H种HJT太阳能电池结构，以解决现有结构中的上述缺陷和不足，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
技术实现思路
针对现有技术中的HJT太阳能电池结构所存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种新颖的、耐高温的HJT太阳能电池结构。依据本专利技术的一个方面，提供了一种太阳能电池结构，包括:一 N型晶体娃，包括一第一表面和一第二表面；—第一氧化硅层，位于所述N型晶体硅的第一表面的上方；—第二氧化硅层，位于所述N型晶体硅的第二表面的下方；一第一多晶硅层，位于所述第一氧化硅层的上方；—第二多晶硅层，位于所述第二氧化硅层的下方；以及—第一抗反射涂层，位于所述第一多晶硅层的上方。在其中的一实施例，所述太阳能电池结构还包括一第二抗反射涂层，位于所述第二多晶硅层的下方。在其中的一实施例，所述第一抗反射涂层和所述第二抗反射涂层均为氮化硅(SiNx)或氧化娃(S1x)材质。在其中的一实施例，所述太阳能电池结构还包括一第一电极和一第二电极，所述第一电极位于所述第一抗反射涂层的上方，所述第二电极位于所述第二抗反射涂层的下方。在其中的一实施例，所述太阳能电池结构还包括一金属层，所述金属层位于所述第二多晶硅层的下方。在其中的一实施例，所述第一抗反射涂层为氮化娃(SiNx)或氧化娃(S1x)材质。在其中的一实施例，所述太阳能电池结构还包括一第三电极，该第三电极位于所述第一抗反射涂层的上方。在其中的一实施例，所述第一氧化硅层的厚度以及所述第二氧化硅层的厚度均介于0.1nm?1nm之间。在其中的一实施例，所述第一多晶硅层的厚度以及所述第二多晶硅层的厚度均介于Inm?10nm之间。采用本专利技术的太阳能电池结构，其N型晶体硅包括第一表面和第二表面，第一氧化硅层位于N型晶体硅的第一表面的上方，第二氧化硅层位于N型晶体硅的第二表面的下方，第一多晶硅层位于第一氧化硅层的上方，第二多晶硅层位于第二氧化硅层的下方，第一抗反射涂层位于第一多晶硅层的上方。相比于现有技术，本专利技术的太阳能电池结构藉由N型晶体硅的上下表面的氧化硅层与多晶硅层的层叠结构来取代现有的非晶硅层，使得电池结构可耐高温，并且在其上方可使用耐高温的抗反射涂层/高温银胶。此外，本专利技术利用氮化硅或氧化硅材质的抗反射涂层不仅可增加抗反射效果，而且相较于透明导电氧化物材质更能节约成本。【附图说明】读者在参照附图阅读了本专利技术的【具体实施方式】以后，将会更清楚地了解本专利技术的各个方面。其中，图1示出现有技术的一种太阳能电池结构的部件组成示意图；图2示出依据本专利技术一实施方式的耐高温的太阳能电池结构的部件组成示意图；以及图3示出依据本专利技术另一实施方式的耐高温的太阳能电池结构的部件组成示意图。【具体实施方式】为了使本申请所揭示的
技术实现思路
更加详尽与完备，可参照附图以及本专利技术的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本专利技术所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。下面参照附图，对本专利技术各个方面的【具体实施方式】作进一步的详细描述。图1示出现有技术的一种太阳能电池结构的部件组成示意图。参照图1，现有的太阳能电池结构10包括一娃衬底100、一 P型非晶娃层(amorphous，a-Si) 102、一 η型非晶娃层104、一第一透明导电氧化层106、一第二透明导电氧化层108、一第一电极110和一第二电极112。具体而言，娃衬底(Si substrate) 100包括一上表面(upper surface)和一下表面(lower surface)。p型非晶娃层102位于娃衬底100的上表面之上，η型非晶娃层104位于娃衬底100的下表面之下。第一透明导电氧化层(Transparent Conductive Oxide,TCO) 106位于p型非晶硅层102的上方，第二透明导电氧化层108位于η型非晶硅层104的下方。第一电极110可以是正电极(positive electrode)，其自第一透明导电氧化层106的上表面引出并均勾分布于其上方。第二电极112可以是负电极(negative electrode)，其子第二透明导电氧化层108的下表面引出并均匀分布于其下方。然而，如前文部分所述，在上述太阳能电池结构中，非晶硅材质的P型非晶硅层102和η型非晶硅层104不耐高温，因而只能使用低温银胶(A当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池结构，其特征在于，所述太阳能电池结构包括：一N型晶体硅，包括一第一表面和一第二表面；一第一氧化硅层，位于所述N型晶体硅的第一表面的上方；一第二氧化硅层，位于所述N型晶体硅的第二表面的下方；一第一多晶硅层，位于所述第一氧化硅层的上方；一第二多晶硅层，位于所述第二氧化硅层的下方；以及一第一抗反射涂层，位于所述第一多晶硅层的上方。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢汶淇，陈铭宇，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71