一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法技术

技术编号:12735838 阅读:153 留言:0更新日期:2016-01-20 19:39
本发明专利技术公开了一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法,包括基板、设置在所述基板之上的OLED阳极结构和OLED阴极结构,所述OLED阳极结构与所述OLED阴极结构之间还设置有掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层。本发明专利技术通过在有机电致发光薄膜层表面掺杂一种或多种不同大小的量子点材料,由于两种材料同时具有光致发光的特性,量子点因稳定性和激发效率高,不但可以自发光,还可以通过提供给OLED发光物质掺杂能级从而提升OLED自身的发光效率,降低OLED器件的功耗和驱动电流,同时增加了器件的稳定性和寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平板显示
,尤其涉及的是一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法
技术介绍
在如今的平面显示领域中,由于平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay,LCD)及有机电致发光显示器件(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)。OLED由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。从使用的有机电致发光材料的分子量来看,有机电致发光器件分为小分子有机电致发光器件(OLED)和高分子电致发光器件(PLED)。如图1所示,现有技术中OLED的结构包括基板10、置于基板上的ITO透明阳极20、置于ITO透明阳极20上的空穴注入层30(空穴注入层的英文简称为HIL)、置于空穴注入层30上的空穴传输层40(空穴传输层的英文简称HTL)、置于空穴传输层40上的发光层50(发光层的英文简称为EML)、置于发光层50上的电子传输层60(电子传输层的英文简称为ETL)、置于电子传输层60上的电子注入层70(电子注入层的英文简称为EIL)以及置于电子注入层70上的阴极80。如图2所示,微观结构下OLED的发光过程为电子从阴极80出发,需要足够的能量去穿过禁带81到达导带82,这个过程中是吸收电能的过程,然后电子再发生跃迁后释放出能量,产生光子。但不是所有电子在吸收了电能后都可以有效的穿过禁带81,所以OLED的发光效率取决于电子的跃迁成功率。目前由于OLED显示器的功耗较高,同时寿命远远小于LCD,特别是对于OLED应用于大尺寸来讲,减少OLED的功耗可以变相提升大尺寸OLED器件的稳定性,所以需要提升OLED的发光效率。同时由于传统大尺寸OLED器件需要精细掩膜技术的工艺生产,导致生产良率比较低。因此,现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法,旨在解决现有技术中OLED的发光效率较低,且因采用精细掩膜技术的工艺生产,导致生产良率比较低的缺陷。本专利技术的技术方案如下:一种掺杂量子点的有机发光器件,包括基板、设置在所述基板之上的OLED阳极结构和设置在所述OLED阳极结构之上的OLED阴极结构,其中,所述OLED阳极结构与所述OLED阴极结构之间还设置有掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层。所述掺杂量子点的有机发光器件,其中,所述掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层中包括有机发光物薄膜层,所述有机发光物薄膜层的表层镶嵌有至少一种量子点。所述掺杂量子点的有机发光器件,其中,所述掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层为蓝色和绿色的有机电致发光薄膜层且表层镶嵌有红色量子点,或为蓝色的有机电致发光薄膜层且表层镶嵌有绿色和红色量子点,或为白色的有机电致发光薄膜层且表层镶嵌有近红外量子点。所述掺杂量子点的有机发光器件,其中,所述基板与所述OLED阳极结构之间还设置有可产生红、绿和蓝三种子像素的彩色滤光层。所述掺杂量子点的有机发光器件,其中,所述量子点规则的排列在所述有机电致发光薄膜层上,并由量子点中的电子产生分散的能级。所述掺杂量子点的有机发光器件,其中,所述掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层中的量子点材料为CdSe、CdS、CdMnS、ZnSe、ZnMnS、InP、InAs、CuInS、MnZnS、PbS、PbSe或CdTe。所述掺杂量子点的有机发光器件,其中,所述OLED阳极结构包括从下至上依次设置的ITO阳极、空穴注入层和空穴传输层。所述掺杂量子点的有机发光器件,其中,所述OLED阴极结构包括从下至上依次设置的电子传输层及阴极。所述掺杂量子点的有机发光器件,其中,所述空穴传输层的材料为聚三苯胺。一种掺杂量子点的有机发光器件的制备方法,其中,包括步骤:制备基板,并在基板上制备OLED阳极结构;通过溶液成膜法在OLED阳极结构上制备有机电致发光薄膜层;通过有机金属化学气相沉淀法或印刷法将量子点规则排列在有机电致发光薄膜层上;在掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层上制备OLED阴极结构,得到掺杂量子点的有机发光器件。有益效果:本专利技术通过在有机电致发光薄膜层表面掺杂一种或多种不同大小的量子点材料,由于两种材料同时具有光致发光的特性,量子点因稳定性和激发效率高,不但可以自发光,还可以通过提供给OLED发光物质掺杂能级从而提升OLED自身的发光效率,降低OLED器件的功耗和驱动电流,同时增加了器件的稳定性和寿命。附图说明图1为现有技术中OLED器件的结构示意图;图2为现有技术中OLED器件的能级结构示意图;图3为本专利技术所述掺杂量子点的有机发光器件的结构示意图;图4为本专利技术所述掺杂量子点的有机发光器件中掺杂单一量子点的能级结构示意图;图5为本专利技术所述掺杂量子点的有机发光器件中掺杂两种量子点的能级结构示意图;图6为本专利技术所述掺杂量子点的有机发光器件的制备方法较佳实施例的流程图。具体实施方式本专利技术提供一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法,为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。请参见图3,图3是本专利技术所述掺杂量子点的有机发光器件的结构示意图。如图3所示,所述掺杂量子点的有机发光器件包括基板100、设置在所述基板100之上的OLED阳极结构200和OLED阴极结构300,所述OLED阳极结构200与所述OLED阴极结构300之间还设置有掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层400。量子点材料,由于电子和空穴被量子限域,可以将连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光。OLED和量子点均可以实现电致发光,其微观表现为,由于外部能量的激发电子从基态跃迁到激发态,电子与空穴发生复合,最终弛豫到基态。多余的能量通过复合和弛豫过程释放,辐射复合发出光子。微观结构下OLED的发光过程为电子从阴极出发,需要足够的能量去穿过禁带到达导带部分,这个过程中是吸收电能的过程,然后电子再发生跃迁后释放出能量,产生光子。但不是所有电子在吸收了电能后都可以有效的穿过禁带部分,所以OLED的发光效率决定于电子的跃迁成功率。本实施例中,通过在有机电致发光薄膜层400中镶嵌一种或多种不同大小的量子点材料来改变OLED原本的能级结构,从而提升电子的跃迁效率,提升OLED器件的发光效率。在有机电致发光薄膜层400中镶嵌一种或多种不同大小的量子点材料的本质是在有机电致发光薄膜层400中掺杂有机/无机电致发光物质来改变有机电致发光物质的能带组成。具体的,所述的量子点材料为CdSe、CdS、CdMnS、ZnSe本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种掺杂量子点的有机发光器件,包括基板、设置在所述基板之上的OLED阳极结构和OLED阴极结构,其特征在于,所述OLED阳极结构与所述OLED阴极结构之间还设置有掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种掺杂量子点的有机发光器件,包括基板、设置在所述基板之上的OLED阳极结构和OLED阴极结构,其特征在于,所述OLED阳极结构与所述OLED阴极结构之间还设置有掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层。
2.根据权利要求1所述掺杂量子点的有机发光器件,其特征在于,所述掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层中包括有机发光物薄膜层,所述有机发光物薄膜层的表层镶嵌有至少一种量子点。
3.根据权利要求2所述掺杂量子点的有机发光器件,其特征在于,所述掺杂有量子点的有机电致发光薄膜层为蓝色和绿色的有机电致发光薄膜层且表层镶嵌有红色量子点,或为蓝色的有机电致发光薄膜层且表层镶嵌有绿色和红色量子点,或为白色的有机电致发光薄膜层且表层镶嵌有近红外量子点。
4.根据权利要求1所述掺杂量子点的有机发光器件,其特征在于,所述基板与所述OLED阳极结构之间还设置有可产生红、绿和蓝三种子像素的彩色滤光层。
5.根据权利要求2所述掺杂量子点的有机发光器件,其特征在于,所述量子点规则的排列在所述有机电致发光薄膜层上,并由量子点中的电子产生分散的能级。
6.根据权利要求1所述掺杂量子点...

【专利技术属性】
技术研发人员:周忠伟
申请(专利权)人:华南理工大学创维液晶器件深圳有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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