【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】流体处理方法
本专利技术涉及流体处理方法,特别涉及对单个或多个被处理流动体进行乳化、分散、粉碎、微粒的析出、不伴随微粒的析出的反应等各种处理的方法。
技术介绍
对单个或多个被处理流动体进行乳化、分散、粉碎、微粒的析出、不伴随微粒的析出的反应等处理的技术在各种产业领域在许多方面都在应用。例如,伴随微粒的析出的流体处理方法在微粒的制造时被广泛地实施,用于光学材料、磁性材料、导电材料、电子材料、功能性陶瓷、荧光材料、催化剂材料、化学材料等。特别是,金属或金属氧化物、复合化材料等期待作为使光学的、电磁的、机械的物理性能飞跃性地提高的材料。另外,对量子尺寸效应引起的超高功能性、新的物理性能的发现等由微粒化引起的新的物理性能也寄于大大的期待。如专利文献1和专利文献2所示,本申请的申请人进行了多个对被处理流动体的处理方法和处理装置的提案。具体而言,在对向配设了的、可接近·分离的、至少一方相对于另一方进行相对旋转的至少两个处理用面间,从一个或两个以上的导入部导入被处理流动体,在使被导入的被处理流动体在两处理用面间呈薄膜流体状的状态下,一边使通过两处理用面间,一边进行被处理流动体的各种处理,从两处理用面间排出。上述的本申请人专利技术的装置以“SS5”或“ULREA(注册商标)”的产品名称被本申请人实用化,且被用在种种产业领域中,受到较高的评价,但关于各处理的控制,存在还有许多未弄清的部分的现状,并且随着应用领域扩大,该处理相关的要求也正在多样化。例如,关于伴随微粒的析出的处理,要求不仅得到微粒,而且还得到具有特定的物理性能的微粒。更详细而言,由于微粒的物理性能不仅与粒径有关 ...
【技术保护点】
流体处理方法,其特征在于:具备:导入步骤,从一个或两个以上的导入部将被处理流动体导入对向配设了的、可接近·分离的、至少一方相对于另一方进行相对旋转的至少两个处理用面间;和处理步骤,一边使上述被处理流动体形成的薄膜流体在处理用面间通过,一边进行流体的处理,从上述两个处理用面间排出,上述处理步骤是将两处理用面的上述旋转的中心侧设为上游、将上述旋转的外周侧设为下游,使被处理流动体在两处理用面间的空间即处理区域通过,从上述处理区域的外周端排出的步骤,通过增减从上述旋转的中心到上述外周端的距离(Od)相对于从上述旋转的中心到上述导入部的距离(Id)的比例(Od/Id),来进行上述处理的处理特性的控制。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.04.30 JP 2013-0960491.流体处理方法,其特征在于:具备:导入步骤,从两个以上的导入部将被处理流动体导入对向配设了的、可接近或分离的、至少一方相对于另一方进行相对旋转的至少两个处理用面间;和处理步骤,一边使上述被处理流动体形成的薄膜流体在处理用面间通过,一边进行流体的处理,从上述两个处理用面间排出,上述处理步骤是将两处理用面的上述旋转的中心侧设为上游、将上述旋转的外周侧设为下游,使被处理流动体在两处理用面间的空间即处理区域通过,从上述处理区域的外周端排出的步骤,作为上述被处理流动体,使用至少两种被处理流动体,作为上述导入部,设有内侧导入部、和设置于比上述内侧导入部更远离上述旋转的中心的位置的中间导入部,上述处理区域具备位于比上述中间导入部更远离上述旋转的中心的位置的混合区域、和位于比上述中间导入部更接近上述旋转的中心的位置的未混合区域,上述导入步骤具备将至少一种上述被处理流动体从上述内侧导入部导入上述未混合区域的步骤、和将至少另一种上述被处理流动体从上述中间导入部导入上述混合区域的步骤,上述处理步骤包括从上述内侧导入部所导入的上述被处理流动体与从上述中间导入部所导入的上述被处理流动体在上述混合区域进行混合的步骤,将从上述旋转的中心到上述外周端的距离(Od)相对于从上述旋转的中心到上述中间导入部的距离(Cd)的比例(Od/Cd)控制为1.25~5.0。2.根据权利要求1所述的流体处理方法,其特征在于:作为上述被处理流动体,使用至少含有一种成为被析出物质的原料的物质的被处理流动体、和用于使上述被析出物质的微粒析出的被处理流动体中的至少两种被处理流动体,通过增减上述比例(Od/Cd)来进行上述处理的处理特性的控制,作为上述处理特性的控制,进行提高或降低上述微粒的结晶度的结晶度控制、提高或降低上述微粒的微晶粒径(d)相对于粒径(D)的比例(d/D)的d/D控制、和控制上述微粒的粒度分布的CV值控制中的至少任一种的控制。3.根据权利要求2所述的流体处理方法,其特征在于:作为上述处理特性的控制,进行提高或降低上述微粒的结晶度的结晶度控制、和提高或降低上述微粒的微晶粒径(d)相对于粒径(D)的比例(d/D)的d/D控制,上述结晶度控制为通过提高上述比例(Od/Cd)来提高上述微粒的结晶度、通过减小上述比例(Od/Cd)来降低上述结晶度的控制,上述d/D控制为通过提高比例(Od/Cd)来提高上述微晶粒径(d)并提高上述微粒的微晶粒径(d)相对于粒径(D)的比例(d/D),通过减小上述比例(Od/Cd)来减小上述微晶粒径(d)并降低上述微粒的微晶粒径(d)相对于粒径(D)的比例(d/D)的控制。4.根据权利要求2或3所述的流体处理方法,其特征在于:作为上述未混合区域,具备位于接近上述旋转的中心的位置的强制导入区域、和位于远离上述旋转的中心的位置的薄膜调整区域,上述强制导入区域是在至少一个上述处理用面上以从上游向下游延伸的方式形成有发挥微泵效应的凹部的区域,上述薄膜调整区域是上述凹部的下游端和上述中间导入部之间的区域,上述至少一种上述被处理流动体是通过上述凹部强制地从上述内侧导入部导入上述强制导入区域、在上述薄膜调整区域通过上述微泵效应而产生的脉动及压力变动被降低,被调整为螺旋状的层流条件下的流动,流向上述混合区域的流动体,通过增减上述旋转的半径方向的上述混合区域的宽度(Ow)相对于上述旋转的半径方向的上述薄膜调整区域的宽度(Iw)的宽度比例(Ow/Iw),进行上述处理特性的控制。5.根据权利要求4所述的流体处理方法,其特征在于:上述结晶度控制为通过提高上述宽度比例(Ow/Iw)来提高上述微粒的结晶度、通过减小上述宽度比例(Ow/Iw)来降低上述结晶度的控制,上述d/D控制为通过提高上述宽度比例(Ow/Iw)来增大上述微晶粒径(d)并提高上述微粒的微晶粒径(d)相对于粒径(D)的比例(d/D),且通过减小上述宽度比例(Ow/Iw)来减小上述微晶粒径(d)并降低上述微粒的微晶粒径(d)相对于粒径(D)的比例(d/D)的控制。6.根据权利要求1所述的流体处理方法,其特征在于:作为上述被处理流动体,使用两种被处理流动体,其中,至少一种被处理流动体含有具有反应性的反应物质,通过增减上述比例(Od/Cd)来进行上述处理的处理特性的控制,作为上述处理特性的控制,进行提高或降低上述反应的收率的收率控制、和提高或降低上述反应的纯度的纯度控制中的至少任一种的控制。7.根据权利要求6所述的流体处理方法,其特征在于:上述收率控制为通过提高上述比例(Od/Cd)来提高上述收率、通过减小上述比例...
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