一种OLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及显示器技术领域，尤其涉及一种OLED器件及其制备方法，该OLED器件包括TFT阵列基板、位于TFT阵列基板之上的阳极层、位于阳极层之上的发光层、位于发光层之上的阴极层以及位于阴极层之上的光取出层；其中，该光取出层的材质包括球形分子材料，由于球形分子的特殊结构，使得光取出层中形成有若干微纳结构以减少OLED器件出光的全反射，提升光取出率，增强OLED器件发光性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器
，尤其涉及一种OLED器件及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管（OLED)的外量子效率（η ext)是指出射到器件外部的光子总数 与注入的电子空穴对数之比，是衡量OLED发光性能的重要参数之一，可以用公式IU xt = γ. Yst. q. X表不。其中，光输出親合因子X是影响Hrait的一个重要参量，如何最大程度 地提高光取出，增加透射光是OLED的研究重点。目前，能够比较有效地增加光取出的方法有，图案化基底，增加微透镜，微腔共振 技术等，其中图案化基底和增加微透镜的方法工艺复杂，制作成本高，量产的可能比较小。 微腔共振技术是一种比较有效的方法，一般是在采用顶发射微腔共振技术的基础上，通过 热蒸发的方式蒸镀一层有机光取出层，现有技术所采用的这种有机材料的分子结构都是平 面型的，受制于这种有机材料折射率（约1.7)和厚度的限制，单独采用平面型分子结构的 有机材料作为光取出层对于提升OLED光取出效率是有限的。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术公开一种OLED器件，包括： TFT阵列基板； 阳极层，位于所述TFT阵列基板之上； 发光层，位于所述阳极层之上； 阴极层，位于所述发光层之上；以及 光取出层，位于所述阴极层之上； 其中，所述光取出层的材质包括球形分子材料。 上述的OLED器件，其中，所述光取出层的材质为C70或C60。 上述的OLED器件，其中，所述光取出层形成有若干微纳结构。 上述的OLED器件，其中，所述阴极层为半透明金属电极层。 上述的OLED器件，其中，所述OLED器件还包括： 空穴传输层，位于所述阳极层与所述发光层之间； 电子传输层，位于所述发光层与所述阴极层之间。 上述的OLED器件，其中，所述OLED器件还包括： 空穴注入层，位于所述阳极层与所述空穴传输层之间； 电子注入层，位于所述电子传输层与所述阴极层之间。 上述任意一项的OLED器件，其中，所述光取出层的厚度为200-400 A。 本专利技术还公开了一种OLED器件的制备方法，所述方法包括： 提供一 TFT阵列基板； 于所述TFT阵列基板上按照从下至上的顺序依次形成阳极层、空穴注入层、空穴 传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层； 于所述阴极层之上形成光取出层以将所述阴极层的上表面予以覆盖； 其中，所述光取出层的材质包括球形分子材料。 上述的OLED器件的制备方法，其中，所述光取出层的材质为C70或C60。 上述的OLED器件的制备方法，其中，所述光取出层形成有若干微纳结构。 上述的OLED器件的制备方法，其中，通过热蒸发的方式于所述阴极层之上形成所 述光取出层。 上述的OLED器件的制备方法，其中，所述光取出层的厚度为200-400 Au 上述专利技术具有如下优点或者有益效果： 本专利技术公开了一种OLED器件及其制备方法，通过在阴极层上面蒸镀一层球形分 子材料形成的光取出层，由于球形分子的特殊结构，使得其在阴极层上沉积时会形成一种 精细的微纳结构，这种精细的微纳结构类似于微透镜或者是具有诸多微球的散射层，因此 该光取出层能够减少OLED器件出光的全反射，提升光取出率，增强OLED器件发光性能。【附图说明】 通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、外 形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未按照比例绘 制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。 图1是本专利技术实施例中OLED器件的结构示意图； 图2是C70分子结构示意图； 图3是本专利技术实施例中光取出层增加光取出率的原理示意图； 图4是本专利技术实施例中OLED器件的制备方法的流程图。【具体实施方式】 下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明，但是不作为本专利技术的限 定。 实施例一： 本专利技术公开了一种OLED器件，包括：TFT阵列基板、位于TFT阵列基板之上的阳极 层、位于阳极层之上的发光层、位于发光层之上的阴极层以及位于阴极层之上的光取出层； 其中，该光取出层的材质包括球形分子材料。 在本专利技术一个优选的实施例中，上述光取出层的材质为C70或C60。 在本专利技术一个优选的实施例中，上述光取出层形成有若干微纳结构。 在本专利技术一个优选的实施例中，上述阴极层为半透明金属电极层。 在本专利技术一个优选的实施例中，上述OLED器件还包括位于阳极层与发光层之间 的空穴传输层以及位于发光层与阴极层之间的电子传输层。 在此基础上，进一步的，上述OLED器件还包括位于阳极层与空穴传输层之间的空 穴注入层以及位于电子传输层与阴极层之间的电子注入层。 在本专利技术一个优选的实施例中，上述光取出层的厚度为200-4Θ0 A (例如 200 A、300 A、35:0 A 或者 400 A 等）。 下面结合附图对本专利技术OLED器件的结构作进一步的阐述： 如图1所示，本实施例涉及一种OLED器件，具体的该OLED器件包括按照从下至上 的顺序依次设置的TFT阵列基板1、阳极层2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传 输层6、电子注入层7、阴极层8以及光取出层9,其中，光取出层9的材料为球形分子C70， 以利用其自身的分子堆积方式，使光取出层9具有微纳结构，其可以减少OLED器件出光的 全反射，提升光取出率。 如图2所示，C70是一种封闭的球形结构，C70分子在短轴方向的直径为7, IJ 长轴方向直径为7.98A,是用于作为光取出层较佳的材料；同时由于C70是一个具有特殊 结构的球形分子，其在阴极层上沉积时会形成一种精细的微纳结构，这种精细的微纳结构 类似于微透镜或者是具有诸多微球的散射层，薄膜的表面粗糙度也会进一步增大，如图3 所示，为了更明确的示意出光线的走向，该图仅示出了阳极层2、发光层5、阴极层8以及光 取出层9,设置在阴极层8之上有C70材料形成的光取出层9可以将原本入射角大于临界角 的射线角度缩小，减少出射光的全反射，提升光取出率。且该光取出层9在整个可见光范围 内透过率比较高，可以保证产生的光子不会被其过多的吸收；利用C70自身的堆积方式，光 取出层9形成一种精细的微纳结构，减少全反射，增加光取出，同时，C70薄膜的折射率比较 高（约1. 9)。 优选的，上述阴极层8为半透明金属电极层，且该半透明金属电极层为镁银合金 材料，该半透明金属电极层中镁：银的质量比约为1:9。 优选的，上述阳极层2为高反射阳极层：Ag(银）/IT0(Indium tin oxide，氧化铟 锡）材料。 优选的，上述光取出层9的厚度为200-400 A (例如200 A、300 A、350 A 或者400 A均可）。当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED器件，其特征在于，包括：TFT阵列基板；阳极层，位于所述TFT阵列基板之上；发光层，位于所述阳极层之上；阴极层，位于所述发光层之上；以及光取出层，位于所述阴极层之上；其中，所述光取出层的材质包括球形分子材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余磊，李艳虎，林信志，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31