半导体器件以及半导体器件的制造方法技术

技术编号:12624492 阅读:145 留言:0更新日期:2015-12-31 17:50
本发明专利技术提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法,半导体器件具备:引线框架,其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部;半导体元件,其载置于引线框架的裸片焊盘上;以及接合线,其对引线框架的引线部与半导体元件进行电连接。引线框架、半导体元件以及接合线被密封树脂部密封。密封树脂部具有设置于半导体元件和半导体元件周围的中央区域以及位于中央区域周缘的周缘区域。中央区域的厚度大于周缘区域的厚度。各引线部分别具有从密封树脂部的背面向外侧露出的外部端子。俯视观察下,多个引线部的外部端子配置于至少一个圆周上。外部端子是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及半导体器件的制造方法本申请是申请号为201110299569.9、申请日为2011年9月28日、专利技术名称为“半导体器件以及半导体器件的制造方法”的专利申请的分案申请。本专利申请享受2010年9月28日提交的作为日本申请的日本特愿2010-217494号、2011年3月29日提交的作为日本申请的日本特愿2011-072410号、2011年3月29日提交的作为日本申请的日本特愿2011-071928号、2011年3月29日提交的作为日本申请的日本特愿2011-071961号以及2011年3月29日提交的作为日本申请的日本特愿2011-072003号的利益。通过引用这些之前的申请中的全部公开内容而作为本说明书的一部分。
本专利技术涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法,尤其涉及能够提高安装可靠性的半导体器件以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
近年来,半导体器件由于高集成化、小型化技术的进步、电子设备的高性能化与轻薄短小化的趋势,正向以LSI的ASIC为代表的更加高集成化、高功能化发展。在这样高集成化、高功能化的半导体器件中,要求增加外部端子(引脚(pin))的总和、进一步多端子(引脚)化。作为这种半导体器件存在具有以下结构的半导体封装,即在引线框架上搭载IC芯片、LSI芯片等半导体芯片而使用绝缘性树脂进行密封。作为这种半导体器件已知QFN(QuadFlatNon-leadedpackage:四边扁平无引线封装)、SON(SmallOutlineNon-leadedPackage:小外形无引线封装)等薄型且安装面积小型的半导体器件。另外,批量生产具备焊锡球来作为封装的外部端子的表面安装型封装即被称为BGA(BallGridArray:球栅阵列)的树脂密封型的半导体器件。并且,代替BGA的焊锡球作为设置了由矩阵状的平面电极构成的外部端子的表面安装型封装存在被称为LGA(LandGridArray:连接盘网格阵列)的半导体器件。作为这种以往的半导体器件已知例如在日本特开平8-227964号公报以及日本特开平8-138988号公报中记载的半导体器件。在日本特开平8-227964号公报中公开了一种将引线框架外形设为圆形状并且使引线从中央部的裸片焊盘(diepad)呈放射状地扩展的半导体集成电路器件。根据该日本特开平8-227964号公报,作为翼形引脚封装(GullWingLeadpackage)得到较高的安装可靠性,但是无法应对近年来所要求的封装的薄型化、小型化。另外,在日本特开平8-138988号公报中记载了将芯片设为六边形以上的多边形(或者圆形)的半导体器件,但是认为难以制作这种多边形、圆形的芯片。另外,近年来,例如在引线框架型的小型半导体器件(QFN、SON、LGA等)中,要求进一步提高其安装可靠性。特别是,期望通过使半导体器件的热膨胀系数接近安装基板的热膨胀系数来进一步提高例如汽车等使用于高温环境下而对半导体器件施加热应力时的安装可靠性。另一方面,在日本特开2001-230338号公报中公开了一种半导体封装,该半导体封装在BGA型半导体器件中,将绝缘基板的形状设为圆形形状,由此消除角部的应力集中,从而均匀地施加与距中心的距离相应的应力。然而,该BGA型半导体器件虽然对热冲击等环境变化提高了可靠性,但是在要进一步提高施加热应力时的可靠性的情况下,有时这种结构变得不充分。
技术实现思路
本专利技术是考虑这一点而完成的,目的在于提供一种能够提高施加热应力时的可靠性的半导体器件以及半导体器件的制造方法。本专利技术是一种半导体器件,该半导体器件的特征在于,具备:引线框架,其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部;半导体元件,其载置于引线框架的裸片焊盘上;导电部,其对引线框架的引线部和半导体元件进行电连接;以及密封树脂部,其对引线框架、半导体元件以及导电部进行密封,密封树脂部具有设置于半导体元件和半导体元件周围的中央区域以及位于中央区域周缘的周缘区域,中央区域的厚度大于周缘区域的厚度,各引线部分别具有从密封树脂部的背面向外侧露出的外部端子,俯视观察下,多个引线部的外部端子配置于至少一个圆周上,外部端子是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。本专利技术是一种半导体器件,该半导体器件的特征在于,具备:引线框架,其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部;半导体元件,其载置于引线框架的裸片焊盘上;导电部,其对引线框架的引线部和半导体元件进行电连接;以及密封树脂部,其对引线框架、半导体元件以及导电部进行密封,各引线部具有在密封树脂部的背面露出的外部端子,俯视观察下,各引线部在裸片焊盘周围配置于至少一个圆周上,裸片焊盘和引线部分别从密封树脂部向背面侧突出,外部端子是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。本专利技术是一种半导体器件,该半导体器件的特征在于,具备:引线框架,其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部;半导体元件,其载置于引线框架的裸片焊盘上;导电部,其对引线框架的引线部和半导体元件进行电连接;以及密封树脂部,其对引线框架、半导体元件以及导电部进行密封,各引线部具有向密封树脂部的外侧露出的外部端子,俯视观察下,各引线部的外部端子在裸片焊盘周围配置于至少一个圆周上,外部端子是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。本专利技术是一种半导体器件,该半导体器件的特征在于,具备:半导体元件;载置了半导体元件的半导体元件用镀部;多个引线用镀部,其在半导体元件用镀部的周围与半导体元件用镀部配置同一平面上;导电部,其对引线用镀部和半导体元件进行电连接;以及密封树脂部,其对半导体元件用镀部、引线用镀部、半导体元件以及导电部进行密封,俯视观察下,各引线用镀部在半导体元件用镀部的周围配置于至少一个圆周上,外部端子是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。本专利技术是一种半导体器件,该半导体器件的特征在于,具备:非导电性基板;半导体元件搭载部,其设置于非导电性基板的表面侧;内部端子,其配置于半导体元件搭载部的周围;外部端子,其设置于非导电性基板的背面侧;半导体元件,其载置于半导体元件搭载部上;导电部,其对内部端子与半导体元件进行电连接;以及密封树脂部,其对半导体元件搭载部、内部端子、半导体元件以及导电部进行密封,非导电性基板具有贯通非导电性基板而形成的通路孔,在非导电性基板的通路孔内或者通路孔的侧面设置有对内部端子和外部端子进行电连接的导体,在半导体元件搭载部的背面设置加强层,并且,俯视观察下,各外部端子在半导体元件搭载部的周围配置于至少一个圆周上,外部端子是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。本专利技术是一种半导体器件,该半导体器件的特征在于,具备:引线框架,其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部;半导体元件,其载置于引线框架的裸片焊盘上;导电部,其对引线框架的引线部与半导体元件进行电连接;以及密封树脂部,其对引线框架、半导体元件以及导电部进行密封,其中,密封树脂部具有设置于半导体元件和半导体元件周围的中央区域以及位于中央区域周缘的周缘区域,中央区域的厚度大于周缘区域的厚度。本专利技术是一种半导体器件,该半导体器件的特征在于,各引线部具有从裸片焊盘向外侧放射状地延伸的带形状,并且分别具有向外侧露出的外部端子,俯视观本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种半导体器件,其特征在于,具备:引线框架,其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部;半导体元件,其载置于引线框架的裸片焊盘上;导电部,其对引线框架的引线部和半导体元件进行电连接;以及密封树脂部,其对引线框架、半导体元件以及导电部进行密封,密封树脂部具有设置于半导体元件和半导体元件周围的中央区域以及位于中央区域周缘的周缘区域,中央区域的厚度大于周缘区域的厚度,各引线部分别具有从密封树脂部的背面向外侧露出的外部端子,俯视观察下,多个引线部的外部端子配置于至少一个圆周上,外部端子是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。

【技术特征摘要】
2010.09.28 JP 2010-217494;2011.03.29 JP 2011-071921.一种半导体器件,其特征在于,具备:引线框架,其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部;半导体元件,其载置于引线框架的裸片焊盘上;导电部,其对引线框架的引线部和半导体元件进行电连接;以及密封树脂部,其对引线框架、半导体元件以及导电部进行密封,密封树脂部具有设置于半导体元件和半导体元件周围的中央区域以及位于中央区域周缘的周缘区域,中央区域的厚度大于周缘区域的厚度,各引线部分别具有从密封树脂部的背面向外侧露出的外部端子,俯视观察下,多个引线部的外部端子配置于至少一个圆周上,外部端子整体是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,各引线部具有从裸片焊盘向外侧放射状地延伸的带形状,并且分别具有向外侧露出的外部端子,俯视观察下,多个引线部的外部端子配置于至少一个圆周上。3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,各引线部具有两个外部端子,一个外部端子由设置于各引线部的表面侧的上部端子构成,另一个外部端子由设置于各引线部的背面侧的下部端子构成。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,在各引线部的内部端子与下部端子之间形成台阶部。5.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,在至少一个引线部的上部端子设置有焊锡球。6.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,在至少一个引线部的上部端子搭载有散热片。7.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,在至少一个引线部的上部端子搭载有电子部件。8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,在密封树脂部的周缘区域,各引线部向表面侧露出。9.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,密封树脂部的中央区域由截顶圆锥状、圆柱状、多边柱状、截顶多边锥状或者圆顶状的形状形成。10.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,裸片焊盘从表面侧观察呈圆形状。11.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,裸片焊盘从背面侧观察呈圆形状。12.根据权利要求10所述的半导体器件,其特征在于,裸片焊盘的表面形状和背面形状相互不同。13.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,在裸片焊盘连结有具有外部端子的悬架引线。14.根据权利要求13所述的半导体器件,其特征在于,在悬架引线的表面和背面分别形成供密封树脂部进入的凹部,俯视观察下,悬架引线的表面的凹部和背面的凹部的配置位置不同。15.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:增田正亲富田幸治冈本任史田中康则大泽宽宫野和幸仓桥笃史铃木博道
申请(专利权)人:大日本印刷株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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