【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及半导体器件的制造方法本申请是申请号为201110299569.9、申请日为2011年9月28日、专利技术名称为“半导体器件以及半导体器件的制造方法”的专利申请的分案申请。本专利申请享受2010年9月28日提交的作为日本申请的日本特愿2010-217494号、2011年3月29日提交的作为日本申请的日本特愿2011-072410号、2011年3月29日提交的作为日本申请的日本特愿2011-071928号、2011年3月29日提交的作为日本申请的日本特愿2011-071961号以及2011年3月29日提交的作为日本申请的日本特愿2011-072003号的利益。通过引用这些之前的申请中的全部公开内容而作为本说明书的一部分。
本专利技术涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法,尤其涉及能够提高安装可靠性的半导体器件以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
近年来,半导体器件由于高集成化、小型化技术的进步、电子设备的高性能化与轻薄短小化的趋势,正向以LSI的ASIC为代表的更加高集成化、高功能化发展。在这样高集成化、高功能化的半导体器件中,要求增加外部端子(引脚(pin))的总和、进一步多端子(引脚)化。作为这种半导体器件存在具有以下结构的半导体封装,即在引线框架上搭载IC芯片、LSI芯片等半导体芯片而使用绝缘性树脂进行密封。作为这种半导体器件已知QFN(QuadFlatNon-leadedpackage:四边扁平无引线封装)、SON(SmallOutlineNon-leadedPackage:小外形无引线封装)等薄型且安装面积小型的半导体器件。另外,批量生 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,其特征在于,具备:引线框架,其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部;半导体元件,其载置于引线框架的裸片焊盘上;导电部,其对引线框架的引线部和半导体元件进行电连接;以及密封树脂部,其对引线框架、半导体元件以及导电部进行密封,密封树脂部具有设置于半导体元件和半导体元件周围的中央区域以及位于中央区域周缘的周缘区域,中央区域的厚度大于周缘区域的厚度,各引线部分别具有从密封树脂部的背面向外侧露出的外部端子,俯视观察下,多个引线部的外部端子配置于至少一个圆周上,外部端子是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。
【技术特征摘要】
2010.09.28 JP 2010-217494;2011.03.29 JP 2011-071921.一种半导体器件,其特征在于,具备:引线框架,其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部;半导体元件,其载置于引线框架的裸片焊盘上;导电部,其对引线框架的引线部和半导体元件进行电连接;以及密封树脂部,其对引线框架、半导体元件以及导电部进行密封,密封树脂部具有设置于半导体元件和半导体元件周围的中央区域以及位于中央区域周缘的周缘区域,中央区域的厚度大于周缘区域的厚度,各引线部分别具有从密封树脂部的背面向外侧露出的外部端子,俯视观察下,多个引线部的外部端子配置于至少一个圆周上,外部端子整体是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,各引线部具有从裸片焊盘向外侧放射状地延伸的带形状,并且分别具有向外侧露出的外部端子,俯视观察下,多个引线部的外部端子配置于至少一个圆周上。3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,各引线部具有两个外部端子,一个外部端子由设置于各引线部的表面侧的上部端子构成,另一个外部端子由设置于各引线部的背面侧的下部端子构成。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,在各引线部的内部端子与下部端子之间形成台阶部。5.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,在至少一个引线部的上部端子设置有焊锡球。6.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,在至少一个引线部的上部端子搭载有散热片。7.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,在至少一个引线部的上部端子搭载有电子部件。8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,在密封树脂部的周缘区域,各引线部向表面侧露出。9.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,密封树脂部的中央区域由截顶圆锥状、圆柱状、多边柱状、截顶多边锥状或者圆顶状的形状形成。10.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,裸片焊盘从表面侧观察呈圆形状。11.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,裸片焊盘从背面侧观察呈圆形状。12.根据权利要求10所述的半导体器件,其特征在于,裸片焊盘的表面形状和背面形状相互不同。13.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,在裸片焊盘连结有具有外部端子的悬架引线。14.根据权利要求13所述的半导体器件,其特征在于,在悬架引线的表面和背面分别形成供密封树脂部进入的凹部,俯视观察下,悬架引线的表面的凹部和背面的凹部的配置位置不同。15.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:增田正亲,富田幸治,冈本任史,田中康则,大泽宽,宫野和幸,仓桥笃史,铃木博道,
申请(专利权)人:大日本印刷株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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