一种基于RF MEMS移相器的RFID识别天线制造技术

本发明专利技术涉及一种基于RF MEMS移相器的识别天线，所述天线包括五层结构，底层为馈电网络，所述馈电网络层包括功分器、RF MEMS移相器；中间层包括参考地面；中间层的上层和下层分别包括两层用于隔离的介质材料；最上层包括天线阵元；所述天线还包括馈电探针，所述馈电网络与所述天线阵元采用背馈形式连接，所述馈电网络通过所述馈电探针对所述天线阵元进行馈电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频电子
，特别涉及RFID系统中天线应用领域。
技术介绍
RFID技术是实现物联网的关键技术，在RFID系统中，根据不同的应用场景，需要使用RFID系统中的天线发送和接收射频信号，在实际应用中，为提高系统工作效率，时常需要实现对电子标签多角度、远距离读取。天线阵将各单元辐射场矢量在空间某些方向上进行同相叠加，并且在另一些方向上反向抵消，因此天线阵可以用来实现高增益和波束指向控制。要想实现天线波束多角度扫描，需要在天线阵列馈电网络中加入移相器。MEMS移相器具有插入损耗小、功耗低等优点，可降低整个射频系统的体积和损耗。MEMS移相器一般可以分为分布式移相器、反射型移相器及开关线型移相器。开关线型移相器利用MEMS开关控制微波信号从两条电长度不同的传输线通过,得到不同的相位状态，将多个一位开关移相器级联，可构成多位开关线性移相器。在RFID系统中，由于标签摆放位置的不固定，一般要求读写器天线为圆极化天线，而线极化天线则在定向读取电子标签的读写器中得到应用。在RFID领域中，圆极化天线有着重要应用，已成为当前国内外研究热点。任意极化波可以分解为两个旋向相反的圆极化波。其中，一个线极化波可以分解为两个旋向相反、振幅相等的圆极化波。因此，任意极化的来波都可由圆极化天线收到；反之，圆极化天线辐射的圆极化波也可以由任意极化的天线收到。所以在RFID系统中圆极化天线被广泛使用。专利技术内容为满足现阶段实际技术需求，本专利技术目的在于提供一种基于RFMEMS移相器的识别天线。本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的：一种基于RF MEMS移相器的识别天线，其特征在于，所述天线包括五层结构，底层为馈电网络(e)，所述馈电网络层包括功分器(5)、RF MEMS移相器(3)；中间层包括参考地面(6)；中间层的上层和下层分别包括两层用于隔离的介质材料；最上层包括天线阵元(1)；所述天线还包括馈电探针(2)，所述馈电网络与所述天线阵元采用背馈形式连接，所述馈电网络通过所述馈电探针对所述天线阵元进行馈电。优选的，所述功分器和所述RF MEMS移相器之间使用微带线连接。优选的，所述功分器是威尔金森功分器，实现等幅同相功率分配后与所述RF MEMS移相器连接。优选的，所述RF MEMS移相器包括开关线型移相器，所述开关线型移相器包括两个RF MEMS单刀双掷开关，每个RF MEMS单刀双掷开关两端分别连接至两个电压信号控制线，所述电压信号控制线导通时控制RF MEMS单刀双掷开关同侧支路导通，控制每个RF MEMS单刀双掷开关的两个电压信号控制线之一同时导通，使得经过移相器的信号产生0度，45度，90度，或135度的相位偏移。优选的，所述天线阵元是方形四边中部开槽的金属贴片，在方形贴片四边中部分别开长度不等的两对槽，并沿贴片对角线采用同轴馈电，形成圆极化辐射。优选的，调整所述天线阵元的尺寸和数量，使所述天线工作在超高频段或者微波频段。优选的，所述威尔金森功分器双臂长度为四分之一波长，分支微带线阻抗为70.7欧姆，双臂间的隔离电阻为100欧。优选的，所述天线阵元中相邻阵元之间的距离根据以下公式确定： d < λ | 1 + sin θ max | ]]>其中d是阵元之间的距离，θmax为波束最大扫描角度，λ代表信号工作波长。优选的，所述天线阵元中相邻阵元之间的距离为信号工作波长的一半。优选的，所述天线用于RFID领域。本专利技术有益效果如下：本专利技术的识别天线具有远距离、大范围的识别性能，如果应用于RFID领域，能够提高远距离识别时，RFID识别的准确性和便利性。特别是，本专利技术的特定RF MEMS移相器具有插入损耗小，功耗低等优点，可降低整个RFID系统天线的体积、损耗和功耗；此外，特有的圆极化天线阵元组成天线阵列，可提高天线波束多角度扫描、远距离识别目标的效率和准确率。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本专利技术的限制，在整个附图中，相同的参考符号表示相同的部件。图1为本专利技术的天线结构俯视图；图2是本专利技术的天线结构侧视图；图3是本专利技术的具体实施例一的馈电网络示意图；图4是本专利技术的天线阵元分布示意图；图5是本专利技术的移相器示意图；图6是本专利技术的天线阵元示意图；图7是本专利技术的功分器示意图；图8是本专利技术的具体实施例二的馈电网络示意图；图9是本专利技术的具体实施例三的馈电网络示意图。具体实施方式下面结合附图来具体描述本专利技术的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本专利技术的实施例一起用于阐释本专利技术的原理。图1为本专利技术的第一实施例。如图1所示，本专利技术的基于RF MEMS移相器的RFID识别天线包括了功分器5、移相器3、RF MEMS开关4、开关信号线7、天线阵元1、馈电探针2、参考地面6、介质材料b。如图2所示，本专利技术的基于RF MEMS移相器的RFID识别天线包括五层结构，最上层a是天线辐射单元，采用铜片制成，向下一层b是介质层，采用介电常数为4.4的FR4环氧树脂板，损耗角正切为0.02，再向下一层是接地层c，再向下一层是下层介质层d，最下面一层为馈电网络层e。如图3所示，本专利技术的馈电网络图由威尔金森功分器和RF MEMS移相器构成，由三个威尔金森功分器和两个RF MEMS二位开关线性移相器构成，一个二位开关线性移相器使用四个单刀双掷RF MEMS开关。功分器包括两个输出端，一个输入端。该天线包括四个天线阵元(A1,A2,A3,A4)，两个移相器(101，102)以及三个功分器(001，002，003)。第一功分器(001)的输入端(In)与外部信号相连，两个输出端分别连接第一移相器(101)和第二移相器(102)的输入端，第一移相器(101)和第二移相器(102)的输出端分别与第二功分器(002)和第三功分器(003)的输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于RF MEMS移相器的识别天线，其特征在于，所述天线包括五层结构，底层为馈电网络(e)，所述馈电网络层包括功分器(5)、RF MEMS移相器(3)；中间层包括参考地面(6)；中间层的上层和下层分别包括两层用于隔离的介质材料；最上层包括天线阵元(1)；所述天线还包括馈电探针(2)，所述馈电网络与所述天线阵元采用背馈形式连接，所述馈电网络通过所述馈电探针对所述天线阵元进行馈电。

【技术特征摘要】
1.一种基于RF MEMS移相器的识别天线，其特征在于，所述天线
包括五层结构，底层为馈电网络(e)，所述馈电网络层包括功分器(5)、
RF MEMS移相器(3)；中间层包括参考地面(6)；中间层的上层和下层
分别包括两层用于隔离的介质材料；最上层包括天线阵元(1)；所述天
线还包括馈电探针(2)，所述馈电网络与所述天线阵元采用背馈形式连
接，所述馈电网络通过所述馈电探针对所述天线阵元进行馈电。
2.根据权利要求1所述的一种基于RF MEMS移相器的识别天线，
其特征在于，所述功分器和所述RF MEMS移相器之间使用微带线连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于RF MEMS移相器的识别天
线，其特征在于，所述功分器是威尔金森功分器，实现等幅同相功率分
配后与所述RF MEMS移相器连接。
4.根据权利要求1至3任一所述的一种基于RF MEMS移相器的识
别天线，其特征在于，所述RF MEMS移相器包括开关线型移相器，所
述开关线型移相器包括两个RF MEMS单刀双掷开关，每个RF MEMS
单刀双掷开关两端分别连接至两个电压信号控制线，所述电压信号控制
线导通时控制RF MEMS单刀双掷开关同侧支路导通，控制每个RF 
MEMS单刀双掷开关的两个电压信号控制线之一同时导通，使得经过移
相器的信号产生0度，45度，90度，或135度的相位偏移。
5.根据权利要求1至4任一所述的一种基于RF MEMS移相器的识

【专利技术属性】
技术研发人员：刘泽文，钟亚君，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11