一种高电流LED灯珠制造技术

技术编号:10349845 阅读:134 留言:0更新日期:2014-08-22 17:06
本实用新型专利技术提供一种高电流LED灯珠,包括支架体,所述的支架体上设有LED芯片、正负极金属连接层、胿胶填充层,其特征在于:所述LED芯片的底部由正极片、缺口一、负极片构成,以缺口一为中间,一边为正极片、另一边为负极片,所述的正负极金属连接层的芯片连接面是一种以正中间为缺口二分界的正负极金属连接层,所述的LED芯片底部正极片和负极片直接与对应的正负极金属连接层的缺口二及正负极连接,所述的缺口一宽度为150μm。省略了金线的焊接连接,同时加大芯片电极和和正负极金属连接层,降低成本与生产工序,实现高电流的灯珠,有效提高了其性能及使用质量,其体积小,适用范围广。

【技术实现步骤摘要】
—种高电流LED灯珠
本技术涉及一种LED灯,特别是一种LED灯的高电流灯珠。
技术介绍
如今一个节能的时代,LED已经广泛应用于社会各个行业,其LED灯珠其特点是功耗低、高亮度、色彩艳丽、抗振动、寿命长、冷光源等优点,同时由于体积小,可以制备成各种形状的器件,适用范围广。现在使用的LED灯珠结构,其芯片需用金线将芯片的正负极与材料的正负极连接,用金线将芯片的正负极与金属连接层材料的正负极相连接,完全靠两条1.2mil (直径0.03_)左右金线给芯片供电,使其发光,在发光的同时也产生了巨大的热量,这样的连接方式有八个连接点,且连接面都比较小,如任何一点出了问题,都影响整个材料的质量,金线为99.99%纯金的价格相当昂贵。如果使用高电流,更容易出现品质问题。
技术实现思路
为解决加大芯片电极和和金属连接层正负极的连接点,降低成本,实现高电流灯珠,有效提高了其性能及使用质量,本技术提供一种高电流LED灯珠,包括支架体,所述的支架体上设有LED芯片、正负极金属连接层、胜胶填充层,LED芯片与正负极金属连接层连接,胜胶填充层设在LED芯片上部,其特征在于:所述LED芯片的底部由正极片、缺口一、负极片构成,以缺口一为中间,一边为正极片、另一边为负极片,所述的正负极金属连接层的芯片连接面是一种以正中间为缺口二分界的正负极金属连接层,所述的LED芯片底部正极片和负极片直接与对应的正负极金属连接层的缺口二及正负极连接,所述的缺口一宽度为150 μ m。所述的灯珠长为2mm,宽为1.6mm。采用上述结构后,正负极金属连接层的芯片连接面是一种以正中间为缺口二分界的正负极金属连接层,所述的LED芯片底部正极片和负极片直接与对应的正负极金属连接层的正负极连接,省略了金线的焊接连接,同时加大芯片电极和和正负极金属连接层,降低成本与生产工序,实现高电流的灯珠,有效提高了其性能及使用质量,其体积小,适用范围广。本技术结构简单、实用,提高产品的使用性、有效性及装饰性。【附图说明】图1是本技术结构示意图。图中标示为:I支架体、2LED芯片、3正负极金属连接层、4胜胶填充层、21正极片、22缺口一、23负极片、31芯片连接面、311缺口二。【具体实施方式】下面结合附图,对本技术名称的具体实施例作进一步详述,但不构成对本技术的任何限制。如图1所示:一种高电流LED灯珠,包括支架体1,所述的支架体I上设有LED芯片2、正负极金属连接层3、胜胶填充层4,LED芯片2与正负极金属连接层3连接,胜胶填充层4设在LED芯片2上部,其特征在于:所述的LED芯片2底部由正极片21、缺口一 22、负极片23构成,以缺口一 22为中间,一边为正极片21、另一边为负极片23,所述的正负极金属连接层3的芯片连接面31是一种以正中间为缺口二 311分界的正负极金属连接层,所述LED芯片底部的正极片2和负极片23直接与对应的正负极金属连接层3的缺口二 311及正负极连接,所述的缺口一 22宽度为150 μ m。LED芯片2底部正极片21和负极片22直接与对应的正负极金属连接层3的正负极连接,省略了金线的焊接连接,同时加大芯片电极和和正负极金属连接层,降低成本与生产工序,实现高电流的灯珠,有效提高了其性能及使用质量,其体积小,适用范围广。作为技术的进一步改进,所述的灯珠长为2mm,宽为1.6mm,其结构紧凑、尺寸小巧、容易替换使用,适用于各种场合方面使用或装饰。本技术结构简单、实用,提高产品的使用性、有效性及装饰性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电流LED灯珠,包括支架体(1),所述的支架体(1)上设有LED芯片(2)、正负极金属连接层(3)、胿胶填充层(4),LED芯片(2)与正负极金属连接层(3)连接,胿胶填充层(4)设在LED芯片(2)上部,其特征在于:所述的LED芯片(2)底部由正极片(21)、缺口一(22)、负极片(23)构成,以缺口一(22)为中间,一边为正极片(21)、另一边为负极片(23),所述的正负极金属连接层(3)的芯片连接面(31)是一种以正中间为缺口二(311)分界的正负极金属连接层,所述LED芯片底部的正极片(2)和负极片(23)直接与对应的正负极金属连接层(3)的缺口二(311)及正负极连接,所述的缺口一(22)宽度为150μm。

【技术特征摘要】
1.一种高电流LED灯珠,包括支架体(I ),所述的支架体(I)上设有LED芯片(2)、正负极金属连接层(3)、胜胶填充层(4),LED芯片(2)与正负极金属连接层(3)连接,胜胶填充层(4)设在LED芯片(2)上部,其特征在于:所述的LED芯片(2)底部由正极片(21)、缺口一(22)、负极片(23)构成,以缺口一(22)为中间,一边为正极片(21)、另一边为负极...

【专利技术属性】
技术研发人员:邢沈立朱亚明卢军
申请(专利权)人:东莞市亿晶源光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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