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住友化学株式会社专利技术
住友化学株式会社共有5996项专利
偏振片制造技术
一种偏振片,具备保护膜和起偏器,上述起偏器与上述保护膜邻接,对上述保护膜以
膜制造技术
本发明的课题在于提供一种膜,在
加热蒸腾用组合物及使用其的有害节肢动物的驱除方法技术
本发明提供有害节肢动物的驱除优异的加热蒸腾用组合物,其特征在于,包含天然除虫菊酯及拟除虫菊酯系化合物,天然除虫菊酯的有效成分与拟除虫菊酯系化合物的重量比在
非水电解液二次电池用层叠隔膜制造技术
提供一种兼具耐电压性和离子透过性的非水电解液二次电池用层叠隔膜。本发明的一个方式的非水电解液二次电池用层叠隔膜(4a)是在聚烯烃系基材(1)的单面或两面上具有耐热层(2a、2b)的非水电解液二次电池用层叠隔膜,所述层叠隔膜在至少一面上具...
带防护膜的有机EL显示装置制造方法及图纸
本发明提供一种带防护膜的有机EL显示装置,其在面内具有贯穿孔,在剥离防护膜时不易在有机EL显示面板的贯穿孔附近产生损伤。本发明的带防护膜的有机EL显示装置具备防护膜和有机EL显示装置,在俯视下具有贯穿孔,防护膜能够剥离地层叠于有机EL显...
锂二次电池用负极及锂二次电池制造技术
本发明的锂二次电池用负极由包含
光学层叠体制造技术
本发明的目的是提供薄型并且在转印至被转印体时抑制贴合错位和褶皱的产生
树脂组合物制造技术
本发明的目的是提供一种树脂组合物,其包含共聚物,所述共聚物包含具有咔唑环的结构单元,所述树脂组合物的溶剂溶解性优异
层叠膜和袋制造技术
本发明的课题在于,提供包含再生树脂并且外观比较优异且损伤性比较小的层叠膜以及包含该层叠膜的袋
锂二次电池用负极活性物质、金属负极及锂二次电池制造技术
本锂二次电池用负极活性物质是在铝相中分散有非铝相的含铝金属,上述含铝金属是沿一个方向轧制而成的轧制材,上述非铝相包含B及Ti中的任一者或两者,在通过图像获取条件中记载的方法所获取的图像中,满足(1)及(2)。满足(1)及(2)。
2-甲基-2-苯基丙酸衍生物的制造方法技术
本发明涉及2
烯烃系聚合物组合物和膜制造技术
本发明的课题在于提供一种能够形成可在较低温下热封的膜,并且该膜具有良好的抗粘连性的烯烃系聚合物组合物以及含有该烯烃系聚合物组合物的膜。本发明的烯烃系聚合物组合物含有烯烃系聚合物,满足下述要件(1)~(3)。要件(1):在利用使用具备石墨...
树脂组合物制造技术
一种树脂组合物,其含有:热塑性树脂和/或热固化性树脂;以及分散在所述热塑性树脂和/或所述热固化性树脂中的玻璃成分,对将所述树脂组合物灰化后的残渣成分进行ICP分析时,相对于所述树脂组合物所含的金属成分100质量%,所述树脂组合物所含的钙...
显示装置制造方法及图纸
本发明的课题在于,提供能够抑制在高折射率层(45)反射了的反射光射入受光传感器(42)的显示装置(1),进一步还提供该显示装置(1)中使用的光学层叠体(51)。本发明的显示装置(1)从可视侧起依次具有高折射率层(42)、第1相位差层(3...
无基材双面粘合片制造技术
本发明提供一种无基材双面粘合片,在剥离轻剥离膜时能够抑制粘合剂层向轻剥离膜的转粘。本发明提供的无基材双面粘合片包含粘合剂层、层叠于该粘合剂层的一个面的轻剥离膜和层叠于该粘合剂层的另一个面的重剥离膜,该粘合剂层的轻剥离膜侧表面的Si元素量Si
无机微粒分散液制造技术
本发明提供能够形成具有高透光率和高涂膜强度(涂膜对基材的高粘附性)的涂膜并且具有良好的保存稳定性的无机微粒分散液。一种无机微粒分散液,所述无机微粒分散液包含:无机微粒、沸点大于等于100℃且小于190℃的液体分散介质A(其中,不包括水)...
层叠体制造技术
本发明提供一种层叠体,其依次层叠有直线偏振层、第1粘合层、液晶涂层和第2粘合层,在以直线偏振层侧为外侧进行反复弯曲时不易产生裂纹。所述层叠体依次层叠有直线偏振层、第1粘合层、液晶涂层和第2粘合层,在将第1粘合层在温度25℃下的储能模量设为G
苯基乙酸衍生物、其用途及其制造中间体制造技术
本发明提供对有害生物具有优异的防除效力的、式(I)表示的化合物或其N氧化物或者它们的盐。式(I)中,X及L的组合表示X为氮原子、且L为氧原子或NH的组合等,n表示1或2,E表示C6
信息处理方法、程序、信息处理装置以及模型生成方法制造方法及图纸
提供一种能够适宜地估计磁性管的状态信息处理方法等。信息处理方法使计算机执行如下处理:取得对磁性管的磁特性值进行测定而得的测定数据,通过向学习完毕的模型输入所取得的所述测定数据来估计与所述磁性管的壁厚有关的壁厚信息,以使得在输入了所述测定...
偏振板及图像显示装置制造方法及图纸
本发明的目的在于,提供不易在热冲击试验中在孔部产生裂纹的偏振板。本发明的偏振板具有使二色性色素在聚乙烯醇系树脂层吸附取向而成的偏振元件和透明保护膜,聚乙烯醇系树脂层的硼吸附率为5.70质量%以上,偏振元件的硼的含有率为4.0质量%以上且...
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