本发明的目的在于提供提高成品率的等离子体处理装置。等离子体处理装置具备：试样台基座，其配置于试样台的外周；压力传感器，其经由连结管和缓冲部而连接于试样台基座；加热器，其以使连结管、所述缓冲部的温度随着趋向所述压力传感器而变高的方式形成温...

本公开的目的在于提供一种带电粒子束系统，其能够使用因对试样照射光而产生的光的干涉、光的衍射、光的驻波等引起的观察图像上的特征量，得到与试样有关的信息。本公开的带电粒子束系统从试样的观察图像中提取因对试样照射光而产生的所述光的干涉、所述光...

对样品的碱基序列进行解析的基因解析装置将观测环境与迁移率校正量数据对应起来管理，所述迁移率校正量数据用于校正通过对样品进行电泳而取得的多个碱基的信号强度的时间序列数据的时间方向的位置，在接收到通过在第一观测环境下对样品进行电泳而取得的多...

本发明的目的在于提供一种能够抑制气体的团簇化、并稳定地供给气体的等离子处理装置。本发明的等离子处理装置之一是具备调整气体的流量的集成气柜和放电部的等离子处理装置，所述集成气柜具有气体块，该气体块具备：流路，流过所述气体；加热器，对所述流...

提供检测静电卡盘的膜的表面状态的异常的技术。在对具备载置静电吸附于膜的样品的样品台的半导体制造装置的状态进行诊断的诊断装置中，取得对样品投入的能量的变化前后的温度数据，根据所取得的所述温度数据来探测膜的异常。异常。异常。

静电卡盘(40)具有分别被电介质膜(41～45)覆盖的加热器(HT1)以及加热器(HT2)。加热器(HT2)被分成俯视观察下形成圆形状的区域(HT2a)、俯视观察下包围区域(HT2a)的外周的区域(HT2b)和俯视观察下包围区域(HT2...

本发明提供一种准确地推定横向的蚀刻量并基于推定出的蚀刻量来判定终点的等离子处理方法以及等离子处理装置。本发明所涉及的等离子处理方法是对晶片进行等离子处理的等离子处理方法，包含：第一步骤，向所述晶片照射光；第二步骤，在所述晶片的等离子处理...

在本发明中，其目的在于提供一种能够选择性地除去含金属层的控制性高的等离子处理方法。一种等离子处理方法，对在所形成的图案上成膜且被含碳膜覆盖的含金属膜进行等离子蚀刻，在除去含碳膜后，通过基于从等离子产生的自由基的蚀刻，来除去含金属膜。来除...

本发明准确地判定被输送体的输送速度降低的原因。输送装置具备：输送板，其能够沿着输送面输送被输送体；磁路部，其被配置在所述输送板的所述输送面的相反侧，并具有卷绕于齿的周围的绕组；位置检测部，其检测所述被输送体的位置；电流检测部，其检测所述...

本发明提供一种等离子处理方法，仅在图案内的所希望的材料上形成用于抑制蚀刻的保护膜，对图案进行蚀刻处理。对成膜于试样的被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法具有：清洁化工序，对所述试样的表面进行清洁化；保护膜形成工序，在形成于所述被蚀刻膜...

提高能够填充液体试样的试样支架的性能。试样支架(200)具有：上侧片材(300)，其配置于电子束的照射侧；以及下侧片材(400)，其与上侧片材(300)对置配置。此时，试样支架(200)具备：隔膜(350)，其设置于上侧片材(300)；...

本发明提供一种改善压力测量的精度的压力传感器模块以及分注装置。压力传感器模块具备：流路基板，其形成有流路及分支路；以及应变检测部，其检测压力。所述分支路从所述流路分支并在一端与所述应变检测部连接，所述应变检测部以堵塞所述分支路的所述一端...

本公开的目的在于提出一种进行使用了适当的低品质图像和高品质图像的学习的学习方法。为了实现上述目的，提出了一种学习方法，将在第一图像生成条件下生成的第一图像和在与所述第一图像生成条件不同的第二图像生成条件下生成的第二图像输入到以抑制输入图...

即使在不能正确地提取与各子序列的开始和结束对应的监控信号的上升沿、下降沿的情形中，也能探测装置状态的异常。构成了装置诊断装置，以使得对从传感器得到的第一时间序列信号设定进行掩蔽的时间带，作成将与进行掩蔽的时间带对应的第一时间序列信号掩蔽...

实现一种能够自动检测注射泵单元中的柱塞的故障的自动分析装置。自动分析装置具备：试样分注机构，其具有液面检测功能，向液体收纳容器(11)排出试样；试剂分注机构(60)，其向液体收纳容器(11)排出试剂；以及控制部，其控制试样分注机构以及试...

一种重叠偏移量算出系统及方法，即便在位于不同层的图案之间的重叠偏移量较大的情况下，也稳定地执行重叠偏移量的准确测定。重叠偏移量算出系统具备控制部，根据通过向试料照射带电粒子束而得到的图像算出图案间的重叠偏移量，基于与第一模板图像的匹配，...

本发明的目的在于提供一种自动分析装置，其能够抑制装置的复杂化，并且能够分别确定发生异常的流路。为此，本发明的自动分析装置包括：液体流动的流路、监视所述流路的传感器、以及根据所述传感器的测定结果判定在所述流路流动的液体的异常的控制部，一个...

本发明的目的在于，提供一种兼顾高的氧化硅膜的蚀刻速率和低的氮化硅膜的蚀刻速率、以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地蚀刻氧化硅膜的方法。因此，本发明的蚀刻处理方法是一种干式蚀刻方法，对于在配置于处理室内的晶片上预先形成的、氧化硅膜被氮化硅膜...

本发明提供一种载物台装置、带电粒子束装置以及光学式检查装置，能够降低伴随下方的工作台的旋转振动的浮起载物台(上方的工作台)的残留振动，能够提高生产率。该载物台装置具备能够在基座(106)上移动的第一工作台(104)、能够在第一工作台上浮...

本发明的自动分析装置包括：供水箱(53)；从供水箱(53)连接到自动分析装置(100)的各机构的供给流路(70)；从供水箱(53)经由供给流路(70)向各机构供水的供水泵(54)；检测供给流路(70)内的异常的检测器(61)；在设置于供...